本發明專利技術公開了一種高電壓泄流保護封裝材料的制備方法，包括以下步驟：將含有Ti元素、Zn元素或Sn元素的溶液放置到容器內，加熱反應生成氧化物結晶體，所述氧化物結晶體經研磨后加入到有機電介質溶液中，然后攪拌所述有機電介質溶液使氧化物結晶體均勻分散到有機電介質溶液的上表面，并在所述有機電介質溶液的上表面形成懸浮液體，取出所述懸浮液體，得高電壓泄流保護封裝材料。本發明專利技術制備的高電壓泄流保護封裝材料具有優良的粘接性和柔韌特性，并且具有低電壓為電絕緣體、高電壓為電導體的特性。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于電子和電力元器件的電氣絕緣封裝材料領域，涉及一種封裝材料的制備方法，具體涉及。
技術介紹
電氣絕緣封裝材料在電子和電力工業有廣泛的應用。采用絕緣材料對電容器、電阻器、變壓器等電子和電力元器件進行包封，可以起到防止外界污染、濕氣侵入以及外力沖擊等作用從而保護元器件不受破壞損傷。在電子電力工業中，常用的電氣絕緣封裝材料是環氧樹脂和聚酰胺等有機聚合物。環氧樹脂等有機聚合物具有電阻率高、粘接性和柔韌性好、易于密封成型等優點。但是環氧樹脂等有機聚合物的高電阻率特性難以防止異常高的過沖電壓直接作用在元器件上造成電擊穿。為了防止過高電壓對元器件的電擊穿，技術上可以采用半導體玻璃釉作為封裝材料。半導體玻璃釉具有低電壓時電阻率高、高電壓時電阻率低的特點，作為封裝材料使用時可以讓過高電壓通過玻璃釉包封層進行旁路泄流避免過高的電壓直接作用在元器件造成電擊穿損傷。但是半導體玻璃釉是一種無機的脆性材料，存在著與元器件粘接性能不好、抗機械和溫度沖擊性差、易于開裂等問題。
技術實現思路
本專利技術的目的在于克服上述現有技術的缺點，提供了，該制備方法制備的高電壓泄流保護封裝材料具有優良的粘接性和柔韌特性，并且具有低電壓為電絕緣體、高電壓為電導體的特性。為達到上述目的，本專利技術所述的高電壓泄流保護封裝材料的制備方法包括以下步驟:制備氧化物結晶體，所述氧化物結晶體經研磨后加入到有機電介質溶液中，然后攪拌使氧化物結晶體顆粒均勻分散在有機電介質溶液中形成懸浮液體，再進行固化，獲得高電壓泄流保護封裝材料，氧化物結晶體與有機電介質溶液的體積比為1-5:10o制備氧化物結晶體的具體操作為:將含有Ti元素、Zn元素或Sn元素的化學溶液放置到容器內，通過加熱反應生成氧化物結晶體。制備氧化物結晶體的具體操作為:取氧化鈦、氧化鋅或氧化錫，將氧化鈦、氧化鋅或氧化錫放置到容器內，通過加熱反應生成氧化物結晶體。將含有Ti元素、Zn元素或Sn元素的化學溶液放置到容器內，加熱到300_600°C生成氧化物結晶體。化學溶液為氯化鋅溶液、二氧化鈦溶液或者氫氧化錫溶液。取氧化鈦、氧化鋅或氧化錫，將氧化鈦、氧化鋅或氧化錫放置到容器內，通過加熱至600-900 °C反應生成氧化物結晶體。將所述氧化物結晶體經研磨為粒徑小于等于Imm的顆粒后加入到有機電介質溶液中。所述有機電介質溶液為環氧樹脂溶液。固化的具體操作為:將懸浮液體放置在真空干燥箱中加熱到60-100°C并保溫24h0本專利技術具有以下有益效果:本專利技術所述的高電壓泄流保護封裝材料的制備方法在制備高電壓泄流保護封裝材料的過程中，以Ti元素、Zn元素或者Sn元素為原料制作成具有低電場電阻率大、高電場電阻率小特性的無機氧化物結晶體，所述氧化物結晶體經研磨后分散在有機電介質溶液中，從而使制備的高電壓泄流保護封裝材料具有低電壓為電絕緣體、高電壓為電導體的特性，同時粘接性和柔韌特性得到大幅的提高，在實際應用時，通過調節氧化物結晶的品種及添加量來調節封裝材料的泄流保護電壓閥值與密度。【附圖說明】圖1為本專利技術制備的高壓泄流保護封裝材料的導通電場強度Eg與導通電流I隨無機氧化物ZnO顆粒體積百分比改變的示意圖；圖2為本專利技術制備的高壓泄流保護封裝材料作為高壓陶瓷電容器絕緣封裝材料的使用說明不意圖；圖3為本專利技術制備的高壓泄流保護封裝材料作為高壓導通器的制作和使用說明示意圖。【具體實施方式】下面結合附圖對本專利技術做進一步詳細描述:本專利技術所述的高電壓泄流保護封裝材料的制備方法包括以下步驟: 制備氧化物結晶體，所述氧化物結晶體經研磨后加入到有機電介質溶液中，然后攪拌使氧化物結晶體顆粒均勻分散在有機電介質溶液中形成懸浮液體，再進行固化，獲得高電壓泄流保護封裝材料，氧化物結晶體與有機電介質溶液的體積比為1-5:10o制備氧化物結晶體的具體操作為:將含有Ti元素、Zn元素或Sn元素的化學溶液放置到容器內，通過加熱反應生成氧化物結晶體。化學溶液為氯化鋅溶液、二氧化鈦溶液或者氫氧化錫溶液。制備氧化物結晶體的具體操作為:取氧化鈦、氧化鋅或氧化錫，將氧化鈦、氧化鋅或氧化錫放置到容器內，通過加熱反應生成氧化物結晶體。將含有Ti元素、Zn元素或Sn元素的化學溶液放置到容器內，加熱到300_600°C生成氧化物結晶體。取氧化鈦、氧化鋅或氧化錫，將氧化鈦、氧化鋅或氧化錫放置到容器內，通過加熱至600-900 °C反應生成氧化物結晶體。將所述氧化物結晶體經研磨為粒徑小于等于Imm的顆粒后加入到有機電介質溶液中。所述有機電介質溶液為環氧樹脂溶液。固化的具體操作為:將懸浮液體放置在真空干燥箱中加熱到60-100°C并保溫24h0實施例一本專利技術所述的高電壓泄流保護封裝材料的制備方法包括以下步驟:制備氧化鈦結晶體，所述氧化鈦結晶體經研磨后加入到有機電介質溶液中，然后攪拌使氧化鈦結晶體顆粒均勻分散在有機電介質溶液中形成懸浮液體，再進行固化，獲得高電壓泄流保護封裝材料，氧化鈦結晶體與有機電介質溶液的體積比為1:10。制備氧化物結晶體的具體操作為:將含有Ti元素的化學溶液放置到容器內，通過加熱至300°C反應生成氧化鈦結晶體，化學溶液為二氧化鈦溶液。或者制備氧化物結晶體的具體操作為:取氧化鈦，將氧化鈦放置到容器內，通過加熱至900°C反應生成氧化鈦結晶體。將所述氧化物結晶體經研磨為粒徑小于等于Imm的顆粒后加入到有機電介質溶液中。所述有機電介質溶液為環氧樹脂溶液。固化的具體操作為:將懸浮液體放置在真空干燥箱中加熱到100°C并保溫24h。實施例二本專利技術所述的高電壓泄流保護封裝材料的制備方法包括以下步驟:制備氫氧化錫結晶體，所述氫氧化錫結晶體經研磨后加入到有機電介質溶液中，然后攪拌使氫氧化錫結晶體顆粒均勻分散在有機電介質溶液中形成懸浮液體，再進行固化，獲得高電壓泄流保護封裝材料，氫氧化錫結晶體與有機電介質溶液的體積比為5:10o制備氫氧化錫結晶體的具體操作為:將含有Sn元素的化學溶液放置到容器內，通過加熱至600°C反應生成氫氧化錫結晶體，化學溶液為氫氧化錫溶液。或者，制備氧化物結晶體的具體操作為:取氧化錫，將氧化錫放置到容器內，通過加熱至600°C反應生成氧化物結晶體。將所述氧化物結晶體經研磨為粒徑小于等于Imm的顆粒后加入到有機電介質溶液中。所述有機電介質溶液為環氧樹脂溶液。固化的具體操作為:將懸浮液體放置在真空干燥箱中加熱到60°C并保溫24h。實施例三本專利技術所述的高電壓泄流保護封裝材料的制備方法包括以下步驟:[00當前第1頁1 2 本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種高電壓泄流保護封裝材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：制備氧化物結晶體，所述氧化物結晶體經研磨后加入到有機電介質溶液中，然后攪拌使氧化物結晶體顆粒均勻分散在有機電介質溶液中形成懸浮液體，再進行固化，獲得高電壓泄流保護封裝材料，氧化物結晶體與有機電介質溶液的體積比為1?5：10。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：馮玉軍，田晶晶，劉陽，
申請(專利權)人：西安交通大學，
類型：發明
國別省市：陜西;61
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