【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體封裝，特別涉及一種半導體封裝方法和一種半導體封裝結構。
技術介紹
1、目前的封裝方法中，在制作再布線層(rdl)時，通常在再布線層制作完成后需要進行多余種子層刻蝕等刻蝕工藝，這樣制作出的具有線路精細的再布線層會有底部咬蝕問題，導致再布線層的附著性差，在后續的封裝加工過程中極容易剝離掉落，降低了再布線層的可靠性。
2、此外，由于目前電氣元件絕大部分都具有由錫材料制成的焊端，因此無法直接在電氣元件上方再布線，現有系統級封裝技術需要嵌入電氣元件時，通常需要引一層再布線層到芯片背面進行電氣元件貼裝，再進行電氣元件塑封，但是這導致封裝成本較高且加工周期很長。
技術實現思路
1、本專利技術的目的之一是提供一種半導體封裝方法和一種半導體封裝結構，能夠提高再布線層的可靠性。
2、為了實現上述目的與其它目的，本專利技術一方面提供一種半導體封裝方法。所述半導體封裝方法包括：提供第一載板；在所述第一載板上設置導電層；在所述導電層上形成第一介電層，所述第一介電層中具有多個線路開口，所述多個線路開口露出所述導電層；以所述導電層作為導電輔助層，在所述多個線路開口內電鍍形成第一再布線層；以及在所述第一介電層和所述第一再布線層上安裝芯片。
3、可選的，所述在所述導電層上形成第一介電層，包括：在所述導電層上形成第一介電層；對所述第一介電層進行曝光和顯影，在所述第一介電層中形成多個線路開口；
4、或者，所述在所述導電層上形成第一介電層，包括：在所述導
5、可選的，所述芯片的正面具有多個焊墊；所述在所述第一介電層和所述第一再布線層上安裝芯片的步驟中，所述芯片的正面朝向所述第一再布線層，在所述第一介電層和所述第一再布線層所在的平面內，至少一個所述焊墊的正投影與所述第一再布線層僅部分重合。
6、可選的，所述半導體封裝方法包括：所述在所述第一介電層和所述第一再布線層上安裝芯片之后，在所述第一介電層上形成塑封層，所述塑封層覆蓋所述芯片和所述第一再布線層；去除所述第一載板，露出所述導電層；去除所述導電層；以及在所述第一再布線層遠離所述芯片的一側形成第二再布線層，所述第二再布線層與所述第一再布線層和所述芯片電連接。
7、可選的，所述在所述第一介電層和所述第一再布線層上安裝芯片的步驟中，所述芯片的正面設置有絕緣膜，所述絕緣膜覆蓋所述芯片正面的焊墊，且所述芯片的正面朝向所述第一再布線層；
8、所述在所述第一再布線層遠離所述芯片的一側形成第二再布線層，包括：在所述第一介電層遠離所述芯片的表面形成第二介電層，所述第二介電層覆蓋所述第一再布線層和所述第一介電層；去除部分所述第二介電層、部分所述第一介電層和部分所述絕緣膜，形成多個導通孔，一部分數量的所述導通孔露出所述第一再布線層的部分表面，另一部分數量的所述導通孔同時露出所述第一再布線層的部分表面和所述焊墊的部分表面；在所述第二介電層上形成所述第二再布線層，所述第二再布線層覆蓋所述多個導通孔的側壁，且與所述焊墊和所述第一再布線層接觸。
9、可選的，所述半導體封裝方法包括：所述在所述第一再布線層遠離所述芯片的一側形成第二再布線層之后，在所述第二再布線層上形成引線柱；形成覆蓋所述第二再布線層和所述引線柱的第三介電層；以及去除所述第三介電層的部分厚度，露出所述引線柱的端面。
10、可選的，所述半導體封裝方法還包括：所述在所述多個線路開口內電鍍形成第一再布線層之后，將電氣元件安裝在所述第一再布線層上，所述電氣元件與所述第一再布線層電連接。
11、可選的，所述將電氣元件安裝在所述第一再布線層上，包括：在所述第一再布線層上印刷錫膏；將所述電氣元件的焊端貼裝在所述錫膏上；以及執行回流焊工藝，將所述電氣元件的焊端焊接在所述第一再布線層上。
12、本專利技術的另一方面提供一種半導體封裝結構。所述半導體封裝結構包括塑封層、芯片、第一介電層、第一再布線層和第二介電層。所述芯片嵌設在所述塑封層內，所述芯片的正面具有焊墊，且所述芯片的正面上設置有絕緣膜；所述第一介電層位于所述塑封層的第一表面上，所述第一介電層中具有多個線路開口；所述第一再布線層位于所述多個線路開口內；所述第二介電層位于所述第一介電層和所述第一再布線層上；所述第二再布線層位于所述第二介電層上，一部分所述第二再布線層覆蓋穿過所述第二介電層的導通孔側壁與所述第一再布線層接觸，另一部分所述第二再布線層覆蓋穿過所述第二介電層、所述第一介電層和所述絕緣膜的導通孔側壁同時與所述第一再布線層和所述焊墊接觸，或者，另一部分所述第二再布線層覆蓋穿過所述第二介電層、所述第一介電層和所述絕緣膜的導通孔側壁與所述焊墊接觸。
13、可選的，所述半導體封裝結構還包括電氣元件，所述電氣元件嵌設在所述塑封層中，且所述電氣元件的焊端焊接在所述第一再布線層上。
14、本專利技術的半導體封裝方法和半導體封裝結構具有以下優勢：(1)通過第一介電層背面的導電層進行導電電鍍形成第一再布線層，且第一再布線層305形成在第一介電層304的線路開口304a中，后續去除第一介電層背面的導電層時不會影響第一再布線層和第一介電層的結合，避免了由于剝去干膜和蝕刻濺射鍍種子層導致再布線層脫落等問題，有利于提高第一再布線層的可靠性；(2)一部分第二再布線層覆蓋穿過第二介電層的導通孔側壁與第一再布線層連接，另一部分第二再布線層覆蓋穿過第二介電層、第一介電層和絕緣膜的導通孔側壁與芯片正面的焊墊連接或同時與第一再布線層和焊墊連接，如此芯片不需要預先制作凸塊(bump)，且不需要對芯片進行倒裝貼片后的焊接工藝，降低了封裝工藝成本，提高了加工效率；(3)電氣元件可以和芯片一起安裝在第一再布線層上，電氣元件嵌入不需要采用將線路引到芯片背面、再貼裝、以及二次塑封的方式，加工工序大幅縮減，材料成本也大大減少。
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1.一種半導體封裝方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述在所述導電層上形成第一介電層，包括：在所述導電層上形成第一介電層；對所述第一介電層進行曝光和顯影，在所述第一介電層中形成多個線路開口；
3.如權利要求1所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述芯片的正面具有多個焊墊；所述在所述第一介電層和所述第一再布線層上安裝芯片的步驟中，所述芯片的正面朝向所述第一再布線層，在所述第一介電層和所述第一再布線層所在的平面內，至少一個所述焊墊的正投影與所述第一再布線層僅部分重合。
4.如權利要求1所述的半導體封裝方法，其特征在于，包括：
5.如權利要求4所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述在所述第一介電層和所述第一再布線層上安裝芯片的步驟中，所述芯片的正面設置有絕緣膜，所述絕緣膜覆蓋所述芯片正面的焊墊，且所述芯片的正面朝向所述第一再布線層；
6.如權利要求4所述的半導體封裝方法，其特征在于，包括：
7.如權利要求1所述的半導體封裝方法，其特征在于，還包括：
8.如權利要求
9.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：
10.如權利要求9所述的半導體封裝結構，其特征在于，還包括電氣元件，所述電氣元件嵌設在所述塑封層中，且所述電氣元件的焊端焊接在所述第一再布線層上。
...【技術特征摘要】
1.一種半導體封裝方法，其特征在于，包括：
2.如權利要求1所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述在所述導電層上形成第一介電層，包括：在所述導電層上形成第一介電層；對所述第一介電層進行曝光和顯影，在所述第一介電層中形成多個線路開口；
3.如權利要求1所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述芯片的正面具有多個焊墊；所述在所述第一介電層和所述第一再布線層上安裝芯片的步驟中，所述芯片的正面朝向所述第一再布線層，在所述第一介電層和所述第一再布線層所在的平面內，至少一個所述焊墊的正投影與所述第一再布線層僅部分重合。
4.如權利要求1所述的半導體封裝方法，其特征在于，包括：
5.如權利要求4所述的半導體封...
【專利技術屬性】
技術研發人員：周文武，
申請(專利權)人：矽磐微電子重慶有限公司，
類型：發明
國別省市：
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