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    一種定位透光陶瓷板及其制備方法技術

    技術編號:43158291 閱讀:21 留言:0更新日期:2024-11-01 19:52
    本發明專利技術涉及一種定位透光陶瓷板及其制備方法,屬于陶瓷磚生產制造技術領域。所述制備方法包括以下步驟:在透光坯體表面噴墨打印精雕墨水圖案;在噴墨打印精雕墨水圖案后的坯體表面施加面釉;在施加面釉后的坯體表面噴墨打印普通墨水圖案;在噴墨打印普通墨水圖案后的坯體表面施加拋釉;對施加拋釉后的坯體燒成并拋光,獲得所述定位透光陶瓷板。本發明專利技術能夠在通體透光陶瓷板的特定位置實現局部高透光,可用于生產具有石材紋理圖案裝飾的透光陶瓷大板,進而提升陶瓷板裝飾效果,拓寬建筑陶瓷產品應用空間。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及一種定位透光陶瓷板及其制備方法,屬于陶瓷磚生產制造。


    技術介紹

    1、定位透光陶瓷板在藝術燈光或自然光線照射下,將光線從陶瓷板特定位置透出,給人以一種朦朧、溫潤如玉、玲瓏剔透的感覺,能充分地展示出透光陶瓷大板的圖案顏色、紋理和質感,大大提升了陶瓷大板的視覺效果及裝飾效果。但是現有透光陶瓷板產品多數呈現為通體的透光效果,僅通過噴墨圖案進行表面裝飾,對圖案紋理的刻畫不夠細致深刻。


    技術實現思路

    1、針對上述問題,本專利技術提供一種定位透光陶瓷板及其制備方法,能夠在通體透光陶瓷板的特定位置實現局部高透光,可用于生產具有石材紋理圖案裝飾的透光陶瓷大板,進而提升陶瓷板裝飾效果,拓寬建筑陶瓷產品應用空間。

    2、第一方面,本專利技術提供一種定位透光陶瓷板的制備方法。所述制備方法包括以下步驟:

    3、在透光坯體表面噴墨打印精雕墨水圖案;

    4、在噴墨打印精雕墨水圖案后的坯體表面施加面釉;

    5、在施加面釉后的坯體表面噴墨打印普通墨水圖案;

    6、在噴墨打印普通墨水圖案后的坯體表面施加拋釉;

    7、對施加拋釉后的坯體燒成并拋光,獲得所述定位透光陶瓷板。

    8、較佳地,所述透光坯體的礦物組成包括:以質量百分比計,水磨鉀鈉砂10~15%,水磨鉀長石5~10%,燒滑石5~10%,硅灰石10~15%,超白高嶺土30~40%,高鈣高鋁熔塊20~30%;其中,所述高鈣高鋁熔塊的化學組成包括:以質量百分比計,sio2:40~45%、al2o3:20~30%、cao:10~15%、mgo:1~5%、k2o:1~5%、na2o:1~5%。

    9、較佳地,所述透光坯體的化學組成包括:以質量百分比計,燒失:2~5%、sio2:55~60%、al2o3:16~23%、fe2o3:0.5%以下、tio2:0.3%以下、cao:5~10%、mgo:1~5%、k2o:1~5%、na2o:1~5%。

    10、較佳地,所述面釉的礦物組成包括:以質量百分比計,水磨鉀鈉砂30~35%,水磨鉀長石20~25%,煅燒氧化鋁10~15%,硅酸鋯5~10%,超白高嶺土25~30%。

    11、較佳地,所述面釉的化學組成包括:以質量百分比計,燒失:2~5%、sio2:58~65%、al2o3:23~28%、fe2o3:0.3%以下、tio2:0.2%以下、k2o:2~5%、na2o:2~6%、zro2:3~6%。

    12、較佳地,所述面釉的施加方式為噴釉;所述面釉的比重為1.40~1.45g/cm3,施釉量為550~650g/m2。

    13、較佳地,所述拋釉的礦物組成包括:以質量百分比計,鉀長石10~15%,高嶺土5~10%,石英5~10%,煅燒高嶺土5~10%,高鈣高鋁熔塊20~30%,燒滑石10~15%,硅灰石15~20%,氧化鋅3~6%;其中,所述高鈣高鋁熔塊的化學組成包括:以質量百分比計,sio2:40~45%、al2o3:20~30%、cao:10~15%、mgo:1~5%、k2o:1~5%、na2o:1~5%。

    14、較佳地,所述拋釉的化學組成包括:以質量百分比計,燒失:1~5%、sio2:50~55%、al2o3:15~20%、fe2o3:0.3%以下、tio2:0.2%以下、cao:10~15%、mgo:5~10%、k2o:1~5%、na2o:1~5%、zno:3~6%。

    15、較佳地,所述拋釉的施加方式為噴釉;所述拋釉的比重為1.50~1.55g/cm3,施釉量為500~550g/m2。

    16、較佳地,燒成溫度為1180~1220℃,燒成周期為60~80分鐘。

    17、第二方面,本專利技術提供一種定位透光陶瓷板。所述定位透光陶瓷板是根據所述的制備方法獲得。

    18、有益效果

    19、本專利技術能夠在通體透光陶瓷板的特定位置實現局部高透光,可用于生產具有石材紋理圖案裝飾的透光陶瓷大板,進而提升陶瓷板裝飾效果,拓寬建筑陶瓷產品應用空間。

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    【技術保護點】

    1.一種定位透光陶瓷板的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括以下步驟:

    2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述透光坯體的礦物組成包括:以質量百分比計,水磨鉀鈉砂10~15%,水磨鉀長石5~10%,燒滑石5~10%,硅灰石10~15%,超白高嶺土30~40%,高鈣高鋁熔塊20~30%;其中,所述高鈣高鋁熔塊的化學組成包括:以質量百分比計,SiO2:40~45%、Al2O3:20~30%、CaO:10~15%、MgO:1~5%、K2O:1~5%、Na2O:1~5%。

    3.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述透光坯體的化學組成包括:以質量百分比計,燒失:2~5%、SiO2:55~60%、Al2O3:16~23%、Fe2O3:0.5%以下、TiO2:0.3%以下、CaO:5~10%、MgO:1~5%、K2O:1~5%、Na2O:1~5%。

    4.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述面釉的礦物組成包括:以質量百分比計,水磨鉀鈉砂30~35%,水磨鉀長石20~25%,煅燒氧化鋁10~15%,硅酸鋯5~10%,超白高嶺土25~30%。

    5.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述面釉的化學組成包括:以質量百分比計,燒失:2~5%、SiO2:58~65%、Al2O3:23~28%、Fe2O3:0.3%以下、TiO2:0.2%以下、K2O:2~5%、Na2O:2~6%、ZrO2:3~6%。

    6.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述面釉的施加方式為噴釉;所述面釉的比重為1.40~1.45g/cm3,施釉量為550~650g/m2。

    7.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述拋釉的礦物組成包括:以質量百分比計,鉀長石10~15%,高嶺土5~10%,石英5~10%,煅燒高嶺土5~10%,高鈣高鋁熔塊20~30%,燒滑石10~15%,硅灰石15~20%,氧化鋅3~6%;其中,所述高鈣高鋁熔塊的化學組成包括:以質量百分比計,SiO2:40~45%、Al2O3:20~30%、CaO:10~15%、MgO:1~5%、K2O:1~5%、Na2O:1~5%。

    8.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述拋釉的化學組成包括:以質量百分比計,燒失:1~5%、SiO2:50~55%、Al2O3:15~20%、Fe2O3:0.3%以下、TiO2:0.2%以下、CaO:10~15%、MgO:5~10%、K2O:1~5%、Na2O:1~5%、ZnO:3~6%。

    9.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述拋釉的施加方式為噴釉;所述拋釉的比重為1.50~1.55g/cm3,施釉量為500~550g/m2。

    10.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,燒成溫度為1180~1220℃,燒成周期為60~80分鐘。

    11.一種定位透光陶瓷板,其特征在于,所述定位透光陶瓷板是根據權利要求1至10中任一項所述的制備方法獲得。

    ...

    【技術特征摘要】

    1.一種定位透光陶瓷板的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括以下步驟:

    2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述透光坯體的礦物組成包括:以質量百分比計,水磨鉀鈉砂10~15%,水磨鉀長石5~10%,燒滑石5~10%,硅灰石10~15%,超白高嶺土30~40%,高鈣高鋁熔塊20~30%;其中,所述高鈣高鋁熔塊的化學組成包括:以質量百分比計,sio2:40~45%、al2o3:20~30%、cao:10~15%、mgo:1~5%、k2o:1~5%、na2o:1~5%。

    3.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述透光坯體的化學組成包括:以質量百分比計,燒失:2~5%、sio2:55~60%、al2o3:16~23%、fe2o3:0.5%以下、tio2:0.3%以下、cao:5~10%、mgo:1~5%、k2o:1~5%、na2o:1~5%。

    4.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述面釉的礦物組成包括:以質量百分比計,水磨鉀鈉砂30~35%,水磨鉀長石20~25%,煅燒氧化鋁10~15%,硅酸鋯5~10%,超白高嶺土25~30%。

    5.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述面釉的化學組成包括:以質量百分比計,燒失:2~5%、sio2:58~65%、al2o3:23~28%、fe2o3:0.3%以下、tio2:0.2%以下、k2o:2~5%、na2o:2~6%、zro2:3~6%。

    6.根據權...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:劉一軍時炯亮楊元東鄧來福王愉康汪隴軍
    申請(專利權)人:蒙娜麗莎集團股份有限公司
    類型:發明
    國別省市:

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