【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本申請(qǐng)涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光器件及顯示裝置。
技術(shù)介紹
1、發(fā)光器件通過(guò)電子與空穴復(fù)合釋放能量發(fā)光，在照明領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。近年來(lái)，量子點(diǎn)(qds)因具有熒光量子產(chǎn)率高、單色性佳、發(fā)射光譜隨尺寸連續(xù)可調(diào)、光化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)引起了產(chǎn)學(xué)研界的廣泛關(guān)注。以量子點(diǎn)作為發(fā)光層所構(gòu)筑的量子點(diǎn)發(fā)光器件(quantum?dot?light?emitting?diodes，qled)因其具有低成本、高亮度、廣色域、優(yōu)異的可溶液加工等諸多優(yōu)點(diǎn)已成為了最活躍的科學(xué)研究主題之一，在下一代平板顯示和固態(tài)照明應(yīng)用中表現(xiàn)出極具競(jìng)爭(zhēng)潛力。
2、雖然說(shuō)，qled顯示技術(shù)是從oled(organic?light-emitting?diode)繼承并發(fā)展而來(lái)的，可以通過(guò)借鑒oled中已有的理論應(yīng)用到qled中，來(lái)提升器件的性能。但由于量子點(diǎn)是納米材料，在與其他功能層相搭配時(shí)，材料的種類(lèi)、自身的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和成膜質(zhì)量、量子點(diǎn)材料與其他功能層間的膜層界面注入勢(shì)壘、材料自身老化衰減等方面都表現(xiàn)出巨大差異，導(dǎo)致實(shí)際加工過(guò)程中，當(dāng)采用不同量子點(diǎn)時(shí)，器件內(nèi)會(huì)出現(xiàn)截然不同的載流子傳輸情況，加劇了qled器件優(yōu)化的難度，導(dǎo)致qled器件的發(fā)光效率和壽命難以同時(shí)得到提升，極大地限制了其發(fā)展。因此，針對(duì)差異性較大的量子點(diǎn)材料，亟需開(kāi)發(fā)出更具有針對(duì)性的高性能發(fā)光器件。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、鑒于此，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N發(fā)光器件及顯示裝置，旨在同時(shí)提升發(fā)光器件的發(fā)光效率和使用壽命。
2、本申請(qǐng)實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的：p>
3、第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N發(fā)光器件，依次層疊設(shè)置的陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、陰極，其中，所述發(fā)光層的材料包括熒光量子產(chǎn)率為30％～70％的量子點(diǎn)，所述發(fā)光層的厚度為所述量子點(diǎn)的平均粒徑的0.8n～1..2n倍，n為大于等于3的整數(shù)；
4、所述空穴傳輸層的材料的遷移率為10×10-3～100×10-3cm2/vs。
5、可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述空穴傳輸層的材料的遷移率為15×10-3～40×10-3cm2/vs。
6、可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述空穴傳輸層與所述發(fā)光層的能級(jí)差的絕對(duì)值為0.1～1.6ev。
7、可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述空穴傳輸層的材料的homo能級(jí)為-5ev～-6ev。
8、可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述空穴傳輸層的材料包括t5dp2,7、tbpys中的任意一種，t5dp2,7具有如式(ⅰ)所示的結(jié)構(gòu)式，tbpys具有如式(ⅱ)所示的結(jié)構(gòu)式。
9、
10、可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述量子點(diǎn)的熒光量子產(chǎn)率為30％～70％。
11、可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，n小于等于10；
12、和/或，所述量子點(diǎn)的平均粒徑為5～8nm；
13、和/或，所述量子點(diǎn)為核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)，且所述量子點(diǎn)具有自?xún)?nèi)而外的第一殼層和第二殼層，其中，所述第一殼層的材料為znse，所述第二殼層的材料為cdzns；
14、和/或，所述量子點(diǎn)的核材料選自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一種；所述ii-vi族化合物選自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一種；所述iv-vi族化合物選自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一種；所述iii-v族化合物選自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一種；所述i-iii-vi族化合物選自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一種。
15、可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述第一殼層的厚度與所述量子點(diǎn)的核的半徑的比值為0.5～2:1；和/或，
16、所述第二殼層的厚度與所述量子點(diǎn)的核的半徑的比值為0.4～2:1。
17、可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述發(fā)光器件還包括設(shè)于所述陰極和所述發(fā)光層之間的電子傳輸層；
18、所述電子傳輸層的材料的遷移率為0.05×10-3～0.2×10-3cm2/vs；
19、和/或，所述電子傳輸層的材料包括金屬氧化物、摻雜金屬氧化物中的一種或多種；所述金屬氧化物包括zno、tio2、sno2、zro、al2o3、wo3、hfo3、ta2o3、zrsio4、batio3、bazro3中的一種或多種；所述摻雜金屬氧化物中的金屬氧化物包括zno、tio2、sno2、zro、al2o3、wo3、hfo3、ta2o3、zrsio4、batio3、bazro3中的多種，摻雜元素包括al、mg、li、in、ga、cd、cs、cu中的一種或多種；
20、和/或，所述電子傳輸層的材料的平均粒徑為2～12nm。
21、可選的，在本申請(qǐng)的一些實(shí)施例中，所述陽(yáng)極和所述陰極各自獨(dú)立的選自摻雜金屬氧化物顆粒電極、金屬與金屬氧化物的復(fù)合電極、石墨烯電極、碳納米管電極、金屬電極或合金電極，所述摻雜金屬氧化物顆粒電極的材料選自銦摻雜氧化錫、氟摻雜氧化錫、銻摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅、鎵摻雜氧化鋅、銦摻雜氧化鋅、鎂摻雜氧化鋅及鋁摻雜氧化鎂中的一種或多種，所述金屬與金屬氧化物的復(fù)合電極選自azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns、zns/al/zns，所述金屬電極的材料選自ag、al、cu、mo、au、pt、si、ca、mg及ba中的一種或多種；和/或，
22、所述發(fā)光器件還包括設(shè)于所述陽(yáng)極和所述發(fā)光層之間的空穴注入層本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊設(shè)置的陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、陰極，其中，所述發(fā)光層的材料包括量子點(diǎn)，所述發(fā)光層的厚度為所述量子點(diǎn)的平均粒徑的0.8n～1.2n倍，n為大于等于3的整數(shù)；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料的遷移率為15×10-3～40×10-3cm2/Vs。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層與所述發(fā)光層的能級(jí)差的絕對(duì)值為0.1～1.6eV；和/或，
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料包括T5DP2,7、TBPyS中的任意一種，T5DP2,7具有如式(Ⅰ)所示的結(jié)構(gòu)式，TBPyS具有如式(Ⅱ)所示的結(jié)構(gòu)式。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述量子點(diǎn)的熒光量子產(chǎn)率為30％～70％；和/或，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一殼層的厚度與所述量子點(diǎn)的核的半徑的比值為0.5～2:1；和/或，
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光器件還包括設(shè)于所
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述陽(yáng)極和所述陰極各自獨(dú)立的選自摻雜金屬氧化物顆粒電極、金屬與金屬氧化物的復(fù)合電極、石墨烯電極、碳納米管電極、金屬電極或合金電極，所述摻雜金屬氧化物顆粒電極的材料選自銦摻雜氧化錫、氟摻雜氧化錫、銻摻雜氧化錫、鋁摻雜氧化鋅、鎵摻雜氧化鋅、銦摻雜氧化鋅、鎂摻雜氧化鋅及鋁摻雜氧化鎂中的一種或多種，所述金屬與金屬氧化物的復(fù)合電極選自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS，所述金屬電極的材料選自Ag、Al、Cu、Mo、Au、Pt、Si、Ca、Mg及Ba中的一種或多種；和/或，
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述陽(yáng)極的厚度為20～200nm；和/或，
10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件。
...【技術(shù)特征摘要】
1.一種發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊設(shè)置的陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、陰極，其中，所述發(fā)光層的材料包括量子點(diǎn)，所述發(fā)光層的厚度為所述量子點(diǎn)的平均粒徑的0.8n～1.2n倍，n為大于等于3的整數(shù)；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料的遷移率為15×10-3～40×10-3cm2/vs。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層與所述發(fā)光層的能級(jí)差的絕對(duì)值為0.1～1.6ev；和/或，
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料包括t5dp2,7、tbpys中的任意一種，t5dp2,7具有如式(ⅰ)所示的結(jié)構(gòu)式，tbpys具有如式(ⅱ)所示的結(jié)構(gòu)式。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述量子點(diǎn)的熒光量子產(chǎn)率為30％～70％；和/或，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述第一殼層的厚度與所述量子點(diǎn)的核的半徑的比值為0.5～2:1；和/或，
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述...
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：聶志文，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：TCL科技集團(tuán)股份有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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