【技術實現步驟摘要】
本申請涉及半導體，尤其涉及一種半導體器件及其制造方法、存儲系統。
技術介紹
1、動態隨機存儲器是一種重要的存儲器。動態隨機存儲器的存儲單元主要包括一個存儲電容、和存儲電容串聯連接的一個晶體管。其中，存儲電容用于存儲數據，晶體管用于控制對存儲電容中數據的存儲。
2、目前，動態隨機存儲器的制造工藝難度較大，如何降低動態隨機存儲器的制造難度是需要解決的技術問題。
技術實現思路
1、本申請的目的在于提供一種半導體器件及其制造方法、存儲系統，以降低半導體器件的制造難度。
2、第一方面，本申請提供一種半導體器件，包括：
3、多個溝道結構，沿第一方向和第二方向陣列排布，并沿第三方向延伸，所述第一方向與所述第二方向相交，所述第三方向與所述第一方向以及所述第二方向相交；
4、多個導電屏蔽結構，沿所述第二方向排布，在所述第二方向上所述導電屏蔽結構位于相鄰的所述溝道結構之間；
5、沿所述第一方向和所述第三方向延伸的柵極線，且所述柵極線位于相鄰的所述溝道結構之間；以及
6、屏蔽結構引出導線，所述屏蔽結構引出導線的至少部分沿所述第二方向延伸，并與至少兩個所述導電屏蔽結構連接。
7、在一些實施例的半導體器件中，所述半導體器件還包括：多條位線，沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排布，并分別與多個所述溝道結構在所述第三方向的一端連接；
8、多個位線引出觸點，分別與多條所述位線連接；以及
9、屏蔽結構引出觸點
10、在一些實施例的半導體器件中，在所述第三方向上多條所述位線與所述屏蔽結構引出導線位于所述溝道結構的同一側，且在所述第一方向上所述屏蔽結構引出導線位于所述位線的至少一側。
11、在一些實施例的半導體器件中，所述半導體器件還包括：沿所述第三方向延伸的冗余溝道結構，與多條所述位線斷開連接；所述屏蔽結構引出導線與所述冗余溝道結構相鄰設置。
12、在一些實施例的半導體器件中，在所述第一方向上，所述屏蔽結構引出導線與所述冗余溝道結構間隔設置。
13、在一些實施例的半導體器件中，所述屏蔽結構引出導線與所述冗余溝道結構接觸。
14、在一些實施例的半導體器件中，所述半導體器件還包括：多個柵極線引出觸點，在所述第一方向上位于所述位線的兩側，且分別與多條所述柵極線連接；
15、其中，在所述第二方向上，多個位線引出觸點和所述屏蔽結構引出觸點分別位于所述柵極線的兩側。
16、在一些實施例的半導體器件中，所述半導體器件還包括：電容器，與所述溝道結構在所述第三方向上的另一端連接；
17、其中，在所述第三方向上，所述電容器與所述屏蔽結構引出導線位于所述溝道結構的兩側。
18、在一些實施例的半導體器件中，所述屏蔽結構引出導線沿所述第二方向延伸；或，
19、所述屏蔽結構引出導線包括沿所述第二方向延伸的第一導線段和沿所述第一方向延伸的第二導線段，所述第一導線段與所述第二導線段連接且與多個導電屏蔽結構接觸。
20、第二方面，本申請提供一種半導體器件的制造方法，包括：
21、于所述半導體層中形成凹槽，所述凹槽由所述半導體層的第一表面向第二表面內陷，剩余的所述半導體層包括沿第一方向和第二方向陣列排布并沿第三方向延伸的多個溝道結構，所述第一表面與所述第二表面在所述第三方向上相對設置，所述第一方向與所述第二方向相交，所述第三方向與所述第一方向以及所述第二方向相交；
22、于所述半導體層中形成沿所述第二方向排布的多個導電屏蔽結構，在所述第二方向上所述導電屏蔽結構位于相鄰的所述溝道結構之間；
23、于所述半導體層中形成沿所述第一方向和所述第三方向延伸的柵極線，且所述柵極線位于相鄰的所述溝道結構之間；以及
24、形成屏蔽結構引出導線，所述屏蔽結構引出導線的至少部分沿所述第二方向延伸，并與至少兩個所述導電屏蔽結構連接。
25、在一些實施例的半導體器件的制造方法中，所述方法還包括：形成沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排布的多條位線，多條所述位線分別與多個所述溝道結構在所述第三方向的一端連接；
26、形成分別與多條所述位線連接的多個位線引出觸點；以及
27、形成與所述屏蔽結構引出導線連接的屏蔽結構引出觸點，所述屏蔽結構引出觸點與所述位線引出觸點在所述第三方向上位于多個所述溝道結構的同一側，所述屏蔽結構引出觸點在所述第二方向上位于所述位線的至少一側。
28、在一些實施例的半導體器件的制造方法中，所述形成沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排布的多條位線包括：在所述第三方向上，使多條所述位線與所述屏蔽結構引出導線位于多個所述溝道結構的同一側，且在所述第一方向上，使所述屏蔽結構引出導線位于所述位線的至少一側。
29、在一些實施例的半導體器件的制造方法中，所述方法還包括：使剩余所述半導體層還包括沿所述第三方向延伸的冗余溝道結構；
30、所述形成沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排布的多條位線包括：形成與所述冗余溝道結構斷開連接的多條所述位線；
31、所述形成屏蔽結構引出導線包括：形成與所述冗余溝道結構相鄰設置的所述屏蔽結構引出導線。
32、在一些實施例的半導體器件的制造方法中，所述方法還包括：于所述凹槽中填充介質層；
33、對所述半導體層的所述第二表面進行薄化，以暴露出所述介質層，并形成薄化后的第三表面；以及
34、去除與所述冗余溝道結構相鄰的部分的所述介質層和/或相鄰的部分的所述半導體層，形成引出導線容置槽，所述引出導線容置槽暴露多個所述導電屏蔽結構，且所述引出導線容置槽的至少部分沿所述第三方向延伸，所述引出導線容置槽由所述第三表面向所述第一表面內陷；
35、所述形成屏蔽結構引出導線包括：于所述引出導線容置槽中形成與多個所述導電屏蔽結構接觸的屏蔽結構引出導線。
36、在一些實施例的半導體器件的制造方法中，所述在所述半導體層中形成凹槽包括：
37、于所述半導體層中形成沿所述第二方向和所述第三方向延伸的第一凹槽，剩余的所述半導體層包括半導體線；
38、于所述半導體層中形成沿所述第三方向以及所述第一方向延伸并沿所述第二方向排布的多個第二凹槽和多個第三凹槽，所述第二凹槽和所述第三凹槽與所述半導體線相交，所述第二凹槽沿所述第一方向的尺寸小于所述第三凹槽沿所述第一方向的尺寸；
39、所述于所述半導體層中形成沿所述第二方向排布的多個導電屏蔽結構包括：于多個所述第二凹槽和多個所述第三凹槽中填充導電層；以及
40、去除多個所述第三凹槽中的所述導電層，多個所述第二凹槽中剩余的至少部分所述導電層形成多個所述導電屏蔽結構本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：多條位線，沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排布，并分別與多個所述溝道結構在所述第三方向的一端連接；
3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，在所述第三方向上多條所述位線與所述屏蔽結構引出導線位于所述溝道結構的同一側，且在所述第一方向上所述屏蔽結構引出導線位于所述位線的至少一側。
4.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：沿所述第三方向延伸的冗余溝道結構，與多條所述位線斷開連接；所述屏蔽結構引出導線與所述冗余溝道結構相鄰設置。
5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，在所述第一方向上，所述屏蔽結構引出導線與所述冗余溝道結構間隔設置。
6.根據權利要求4或5所述的半導體器件，其特征在于，所述屏蔽結構引出導線與所述冗余溝道結構接觸。
7.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：多個柵極線引出觸點，在所述第一方向上位于所述位線的兩側，且分
8.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：電容器，與所述溝道結構在所述第三方向上的另一端連接；
9.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述屏蔽結構引出導線沿所述第二方向延伸；或，
10.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：
11.根據權利要求10所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：形成沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排布的多條位線，多條所述位線分別與多個所述溝道結構在所述第三方向的一端連接；
12.根據權利要求11所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述形成沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排布的多條位線包括：在所述第三方向上，使多條所述位線與所述屏蔽結構引出導線位于多個所述溝道結構的同一側，且在所述第一方向上，使所述屏蔽結構引出導線位于所述位線的至少一側。
13.根據權利要求11所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：使剩余所述半導體層還包括沿所述第三方向延伸的冗余溝道結構；
14.根據權利要求13所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：于所述凹槽中填充介質層；
15.根據權利要求13所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述在所述半導體層中形成凹槽包括：
16.根據權利要求15所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：擴大所述第三凹槽沿所述第三方向和所述第二方向的尺寸，形成多個第四凹槽；
17.根據權利要求10所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：形成與多個所述溝道結構在所述第三方向上的另一端連接的電容器；
18.根據權利要求10所述半導體器件的制造方法，其特征在于，所述形成所述屏蔽結構引出導線包括：形成沿所述第二方向延伸且與多個所述導電屏蔽結構接觸的所述屏蔽結構引出導線；或，
19.一種存儲系統，其特征在于，所述存儲系統包括：
...【技術特征摘要】
1.一種半導體器件，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：多條位線，沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向排布，并分別與多個所述溝道結構在所述第三方向的一端連接；
3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，在所述第三方向上多條所述位線與所述屏蔽結構引出導線位于所述溝道結構的同一側，且在所述第一方向上所述屏蔽結構引出導線位于所述位線的至少一側。
4.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：沿所述第三方向延伸的冗余溝道結構，與多條所述位線斷開連接；所述屏蔽結構引出導線與所述冗余溝道結構相鄰設置。
5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，在所述第一方向上，所述屏蔽結構引出導線與所述冗余溝道結構間隔設置。
6.根據權利要求4或5所述的半導體器件，其特征在于，所述屏蔽結構引出導線與所述冗余溝道結構接觸。
7.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：多個柵極線引出觸點，在所述第一方向上位于所述位線的兩側，且分別與多條所述柵極線連接；
8.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：電容器，與所述溝道結構在所述第三方向上的另一端連接；
9.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述屏蔽結構引出導線沿所述第二方向延伸；或，
10.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：
11.根據權利要求10所述半導體器...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉子琛，劉威，
申請(專利權)人：長江存儲科技有限責任公司，
類型：發明
國別省市：
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