本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種近紫外線激發(fā)發(fā)光元件用熒光體，其為式（１）所示化合物中的元素Ｍ１及／或Ｍ２的一部分被活化元素（Ｍ３）取代而成，Ｍ１ａＭ２ｂＰｃＯ１５（１）（這里，Ｍ１表示選自Ｃａ、Ｓｒ及Ｂａ的１種以上，Ｍ２表示選自Ｍｇ及Ｚｎ的１種以上，ａ為１．５以上２．５以下范圍的值，ｂ為２．５以上３．５以下范圍的值，ｃ為３．５以上４．５以下范圍的值）。優(yōu)選Ｍ１為Ｓｒ、Ｍ２為Ｍｇ的上述熒光體，優(yōu)選Ｍ３為Ｅｕ的上述熒光體。本發(fā)明專利技術(shù)還涉及具有上述熒光體的熒光體糊劑及具有上述熒光體的發(fā)光強度高的近紫外線激發(fā)發(fā)光元件。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
本專利技術(shù)涉及近紫外線激發(fā)發(fā)光元件用熒光體。
技術(shù)介紹
近紫外線激發(fā)發(fā)光元件用熒光體被用于白色LED等近紫外線激發(fā)發(fā)光元件中。作 為近紫外線激發(fā)發(fā)光元件用熒光體，專利文獻1記載了經(jīng)Eu活化了的堿土類金屬鹵素磷灰 石熒光體。專利文獻1 日本特開 2005-340748 號公報(US2005/0156496 Al)
技術(shù)實現(xiàn)思路
專利技術(shù)預解決的技術(shù)問題本專利技術(shù)的目的在于提供發(fā)光強度高的近紫外線激發(fā)發(fā)光元件及對其優(yōu)選的新型 熒光體。用于解決技術(shù)問題的方法本專利技術(shù)人等進行深入研究，結(jié)果完成本專利技術(shù)。即，本專利技術(shù)提供下述專利技術(shù)。<1> 一種近紫外線激發(fā)發(fā)光元件用熒光體，其為式(1)所示化合物中的元素M1及 /或M2的一部分被活化元素(M3)取代而成，M1aM2bPcO15(I)(這里，M1表示選自Ca、Sr及Ba的1種以上，M2表示選自Mg及Zn的1種以上，a 為1. 5以上2. 5以下范圍的值，b為2. 5以上3. 5以下范圍的值，c為3. 5以上4. 5以下范 圍的值)。<2>上述<1>所述的熒光體，其中，M1為Sr、M2為Mg。<3>上述<1>或<2>所述的熒光體，其中，M3為Eu。<4> 一種熒光體糊劑，其具有上述<1> <3>中任一項所述的熒光體。<5> 一種近紫外線激發(fā)發(fā)光元件，其具有上述<1> <3>中任一項所述的熒光體。專利技術(shù)效果本專利技術(shù)可以提供發(fā)光強度高的近紫外線激發(fā)發(fā)光元件及對其優(yōu)選的熒光體，本發(fā) 明在工業(yè)上有用。附圖說明為實施例1及參考例1的發(fā)光光譜。(橫軸表示發(fā)光的波長、縱軸表示發(fā) 光強度(任意單位)。)具體實施例方式以下，詳細地說明本專利技術(shù)。本專利技術(shù)的近紫外線激發(fā)發(fā)光元件用熒光體的特征在于，其為式(1)所示化合物中 的元素M1及/或M2的一部分被活化元素(M3)取代而成，M1aM2bPcO15(I)(這里，M1表示選自Ca、Sr及Ba的1種以上，M2表示選自Mg及Zn的1種以上，a 為1. 5以上2. 5以下范圍的值，b為2. 5以上3. 5以下范圍的值，c為3. 5以上4. 5以下范 圍的值。)。本專利技術(shù)中，熒光體被近紫外線激發(fā)而發(fā)光。這里，近紫外線是指300nm 400nm波 長的光。本專利技術(shù)中，從熒光體的結(jié)晶性的觀點出發(fā)，M1優(yōu)選至少含有Sr、更優(yōu)選可舉出Sr。本專利技術(shù)中，從熒光體的結(jié)晶性的觀點出發(fā)，M2優(yōu)選至少含有Mg、更優(yōu)選可舉出Mg。本專利技術(shù)中，活化元素(M3)只要熒光體會發(fā)光即可，可以使用任何元素。例如，可以 從稀土類元素及Mn中適當?shù)剡x擇使用。從結(jié)晶性的觀點出發(fā)，M3優(yōu)選按照其離子半徑接 近構(gòu)成M1及/或M2的元素的離子半徑的方式進行選擇，作為優(yōu)選的組合，可舉出Eu(M3)/ Sr (M1)Jn (Μ3)/Mg (Μ2)。從進一步提高熒光體的發(fā)光強度的觀點出發(fā)，優(yōu)選M3為Eu。另外， 此時還可用共活化元素取代M3的一部分進行使用。作為共活化元素可舉出Al、Y、La、Gd、 Pr、Nd、Sm、Dy、Ho、Er、Bi 等。本專利技術(shù)中，作為M1的一部分被M3取代時或M2的一部分被M3取代時的M3的取代比 例，M3的摩爾量相對于M1及M3的總摩爾量或者M2及M3的總摩爾量通常為0. 001 %以上50 % 以下的值的范圍，優(yōu)選為0. 001 %以上10%以下的值的范圍，更優(yōu)選為0. 1 %以上7%以下 的值的范圍。另外，作為M1及M2的一部分被M3取代時的M3的取代比例，M3的摩爾量相對于 M1、M2及M3的總摩爾量通常為0. 001%以上50%以下、優(yōu)選為0. 01%以上20%以下。通過 達到這種M3的取代比例，能夠進一步提高發(fā)光強度。另外，優(yōu)選M1的一部分被M3取代。當 M3的一部分被共活化元素取代時，上述M3的摩爾量是指M3的摩爾量和共活化元素的摩爾量 的總摩爾量。利用共活化元素的M3的取代比例并無特別限定，但通常相對于M3的摩爾量為 0.01%以上10%以下的范圍。本專利技術(shù)中，作為M3使用Eu時，優(yōu)選熒光體用下式(2)表示。M1ail^EuaxM2bPcO15 (2)(這里，Μ1、M2、a、b及c具有與上述相同的含義，χ為0.00001以上0. 5以下的范圍的值。)式⑵的χ優(yōu)選為0. 00001以上0. 1以下的范圍。接著，說明制造本專利技術(shù)熒光體的方法。本專利技術(shù)的熒光體例如可如下制造。本專利技術(shù)的熒光體可以通過對含有利用燒成可成 為本專利技術(shù)熒光體的組成的金屬化合物混合物進行燒成來制造。具體地說，按照達到規(guī)定組 成稱量含有相應(yīng)金屬元素的化合物進行混合后，將所得金屬化合物混合物進行燒成，從而 可以制造。更具體地說，按照達到規(guī)定的摩爾比稱量含有M1的化合物、含有M2的化合物、含有 M3的化合物、含有P的化合物、根據(jù)需要含有共活化元素的化合物的各原料，將它們混合后， 對所得金屬化合物混合物進行燒成，從而制造。在上述含有金屬元素的化合物中，作為含有M1的化合物、含有M2的化合物、含有M3的化合物、含有共活化元素的化合物，例如可以使用氧化物或者氫氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、 鹵化物、草酸鹽、磷酸鹽等在高溫下分解及/或氧化可變?yōu)檠趸锏奈镔|(zhì)。另外，作為含有 P的化合物可使用H3PO4、(NH4)2HP04。例如，作為本專利技術(shù)優(yōu)選熒光體之一的Ba Mg P Eu的摩爾比為 1.99 3 4 0. 01 (理論組成比)的熒光體可如下制造按照Ba Mg P Eu的摩 爾比達到1.99 3 4 0.01稱量BaC03、Mg0、(NH4) 2昍04及Eu2O3，進行混合，對所得金屬 化合物混合物進行燒成，從而制造。上述混合例如可使用球磨機、V型混合機、攪拌機等通常工業(yè)中使用的裝置，此時， 還可利用干式混合、濕式混合的任一種。另外，還可經(jīng)過利用析晶的工序。根據(jù)需要將上述金屬化合物混合物投入燒成容器，通常在900°C 1100°C范圍的 溫度、特別是在提高結(jié)晶性的觀點上在950°C 1050°C范圍的溫度下保持通過0.5小時以 上100小時以下、特別是1小時以上6小時以下進行燒成，可獲得本專利技術(shù)的熒光體。作為進行燒成的氣氛，例如可舉出氮氣、氬氣等惰性氣體氣氛；空氣、氧氣、含氧氮 氣、含氧氬氣等氧化性氣氛；含有0. 1 10體積％氫的含氫氮氣、含有0. 1 10體積％氫 的含氫氬氣等還原性氣氛。在強還原性的氣氛中進行燒成時，還可使用在金屬化合物混合 物中含有適量的碳進行燒成等的技術(shù)。當在金屬化合物混合物中使用氫氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、商化物、草酸鹽等可在 高溫下分解及/或氧化的化合物時，還可在低于燒成溫度的溫度下保持進行煅燒，還可在 制成氧化物或者除去結(jié)晶水后進行上述燒成。進行煅燒的氣氛可以是惰性氣體氣氛、氧化 性氣氛或者還原性氣氛的任一種。另外，還可在煅燒后進行粉碎。作為上述燒成容器，可以適當選擇在上述溫度、氣氛中與金屬化合物混合物的反 應(yīng)性低的材質(zhì)的容器。作為容器例如可舉出氧化鋁制容器、氧化鎂制容器、氧化鋯制容器、 莫來石制容器、Au制容器、Pt制容器。另外，從防止燒成時的P的升華的觀點出發(fā)，還可在 容器上使用例如氧化鋁制、氧化鎂制、氧化鋯制、莫來石制、Au制、Pt制本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：戶田健司，上松和義，佐藤峰夫，梅田鐵，伊藤豐，
申請(專利權(quán))人：國立大學法人新瀉大學，住友化學株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：JP
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