本技術(shù)針對于混合襯底及其制造方法。在各種實(shí)施例中，本技術(shù)提供一種用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括形成襯底及將第一電路耦合到所述襯底。所述第一電路由第一熱膨脹系數(shù)CTE表征且所述襯底由第二CTE表征。所述第一CTE與所述第二CTE的...

本公開涉及硬盤驅(qū)動(dòng)器上的可變數(shù)據(jù)交錯(cuò)大小。經(jīng)改進(jìn)工具及技術(shù)用于配置硬盤驅(qū)動(dòng)器的寫入頭及/或用于將數(shù)據(jù)寫入到硬盤驅(qū)動(dòng)器。所述硬盤驅(qū)動(dòng)器中的磁盤的寫入面能夠被分成多個(gè)邏輯區(qū)，每一區(qū)具有不同交錯(cuò)大小。此方案能夠滿足對更接近于所述寫入面的中心的...

本公開涉及用于多路復(fù)用多驅(qū)動(dòng)器直通命令的系統(tǒng)及方法。所述系統(tǒng)可包含一或多個(gè)處理器，其經(jīng)配置以接收幀，所述幀包括命令的數(shù)量、存儲(chǔ)裝置的數(shù)量及緩沖器映射。響應(yīng)于所述幀，所述一或多個(gè)處理器可使用所述緩沖器映射并從存儲(chǔ)器讀取(1)對應(yīng)于存儲(chǔ)裝置...

用于基于載具狀態(tài)進(jìn)行分組過濾的新穎工具及技術(shù)。聯(lián)網(wǎng)裝置可以具有過濾規(guī)則的存取控制列表ACL為特征，所述過濾規(guī)則各自具有用以標(biāo)識(shí)例如載具的可能狀態(tài)的字段。基于此字段，可在對照所述ACL中的所述規(guī)則評估分組時(shí)忽視不適用于所述狀態(tài)的規(guī)則。

本公開涉及用于網(wǎng)絡(luò)中的重新關(guān)聯(lián)的系統(tǒng)及方法。系統(tǒng)及方法使用用于安全重新關(guān)聯(lián)交換的協(xié)議。第一裝置可在所述交換中使用且包含經(jīng)配置以將至少一個(gè)幀提供到第二裝置的電路。所述幀包括受保護(hù)重新關(guān)聯(lián)請求消息。替代地，幀可包含受保護(hù)重新關(guān)聯(lián)響應(yīng)消息。

本公開涉及功率條及四元條中的拍頻模式抑制。諧振器包含包括頂表面的襯底、安置在所述襯底的所述頂表面上的底部電極、安置在所述底部電極上的壓電層，及安置在所述壓電層上的頂部電極。所述底部電極包含第一細(xì)長部件，所述第一細(xì)長部件經(jīng)配置以在所述襯底...

本技術(shù)針對于混合襯底及其制造方法。在各種實(shí)施例中，本技術(shù)提供一種半導(dǎo)體裝置，其包括由第一熱膨脹系數(shù)CTE表征的第一電路及由第二CTE表征的襯底。所述第一CTE與所述第二CTE的比率大于或等于3:5，這確保和諧的熱行為，從而提高合格率并減...

本公開涉及用于具有5/6碼率的低密度奇偶校驗(yàn)LDPC碼的系統(tǒng)及方法。在一些實(shí)施方案中，一種設(shè)備可包含發(fā)射器及一或多個(gè)處理器。所述一或多個(gè)處理器可經(jīng)配置以根據(jù)5/6的碼率及3888位的碼塊大小來識(shí)別用于準(zhǔn)循環(huán)低密度奇偶校驗(yàn)QC?LDPC碼...

本公開涉及一種基于面積高效鰭片的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。一種設(shè)備包含：襯底，其具有第一摻雜，所述襯底包括具有第二摻雜的第一阱及具有第三摻雜的第二阱；及鰭片，其安置在所述襯底上。所述鰭片定位在所述第一阱上方，且至少部分在所述...

本公開涉及用于在網(wǎng)絡(luò)中使用探測消息進(jìn)行通信的系統(tǒng)及方法。系統(tǒng)及方法使用用于安全探測交換的協(xié)議。一些實(shí)施例涉及第一裝置。所述第一裝置包含經(jīng)配置以響應(yīng)于未受保護(hù)廣播探測請求消息而跨越連接將至少一個(gè)幀提供到第二裝置的電路。所述幀包含未受保護(hù)單...

本技術(shù)涉及磁編碼器系統(tǒng)及其方法。根據(jù)實(shí)施例，本技術(shù)提供一種磁編碼器，其包括第一磁體及第二磁體。所述第一磁體包括第一極對及開口。所述第二磁體包括第二極對且定位于所述開口內(nèi)部。所述磁編碼器進(jìn)一步包括：第一傳感器，其經(jīng)配置以基于所述第一磁體的...

本公開涉及一種具有輸出AC耦合包絡(luò)跟蹤電源的放大器。一種裝置包含第一電路、第二電路及第三電路。所述第一電路接收第一信號及第二信號，且所述第一電路提供第三信號。所述第二電路接收第四信號及第五信號，且所述第二電路提供第六信號。所述第三電路接...

本公開涉及具有一或多個(gè)通路的加強(qiáng)構(gòu)件。提供用于實(shí)施半導(dǎo)體封裝或芯片封裝的新穎工具及技術(shù)，且更特定來說，提供用于實(shí)施包含具有通路的加強(qiáng)構(gòu)件的半導(dǎo)體封裝或芯片封裝的方法、系統(tǒng)及設(shè)備。在各種實(shí)施例中，一種設(shè)備包含襯底及電耦合到所述襯底的連接器...

本公開涉及一種具有靜電放電保護(hù)的半導(dǎo)體裝置。一種可在靜電放電保護(hù)方面提供優(yōu)勢的半導(dǎo)體裝置，例如鰭式場效應(yīng)晶體管FinFET。所述半導(dǎo)體裝置包含具有無摻雜區(qū)域、第一摻雜區(qū)域、第二摻雜區(qū)域及定位在所述第一摻雜區(qū)域與所述第二摻雜區(qū)域之間的第三...

本公開涉及可擴(kuò)縮開關(guān)電容器電壓調(diào)節(jié)器。公開了一種用于使用多個(gè)開關(guān)電容器電壓調(diào)節(jié)器電路來調(diào)節(jié)寬廣范圍的集成電路IC的電壓的解決方案。一種系統(tǒng)可包含經(jīng)配置以響應(yīng)于電壓輸入而提供電壓輸出的多個(gè)電路。每一電路可包含多個(gè)開關(guān)及一或多個(gè)電容器且可與...

本技術(shù)涉及用于連接集成電路的系統(tǒng)及方法。在實(shí)施例中，本技術(shù)提供一種包括第一電路及第二電路及第三電路的裝置。所述第一電路通過第一互連件耦合到所述第二電路及所述第三電路。所述第三電路通過第二互連件耦合到第四電路。所述第四電路包含處理器電路。...

本公開涉及用于通過金屬接觸件及流體溝道進(jìn)行集成的結(jié)構(gòu)及方法。本技術(shù)解決方案可提供通過形成在熱產(chǎn)生電路下面及貫穿襯底通路TSV旁邊的流體溝道對流冷卻所述電路。可在第一襯底的表面的內(nèi)側(cè)垂直蝕刻TSV的多個(gè)部分，其中TSV的所述部分中的每一者...

本公開涉及用于三維集成電路3DIC的時(shí)鐘校準(zhǔn)調(diào)整的系統(tǒng)及方法。本文中公開的一些實(shí)施例涉及一種裝置。一種裝置可包含第一導(dǎo)電元件，其經(jīng)配置以在第一功能塊處接收第一信號。所述裝置可包含第二導(dǎo)電元件，其經(jīng)配置以將所述第一信號傳送到所述裝置的第二...

本公開涉及使用數(shù)據(jù)請求或響應(yīng)在網(wǎng)絡(luò)中進(jìn)行通信的系統(tǒng)及方法。系統(tǒng)及方法使用用于請求及響應(yīng)的協(xié)議。一種裝置可包含電路，其經(jīng)配置以跨連接向第二裝置提供至少一個(gè)幀。所述幀包含第一字段，所述第一字段包含指示來自所述第二裝置的所請求的信息的值。所述...

本公開涉及802.11中用于增強(qiáng)鏈路自適應(yīng)、延時(shí)敏感業(yè)務(wù)及裝置內(nèi)共存的性能的反饋增強(qiáng)。公開一種用于提供延時(shí)敏感業(yè)務(wù)、多鏈路操作、鏈路自適應(yīng)及裝置內(nèi)共存的性能的改進(jìn)的解決方案。具有共享至少一個(gè)天線的Wi?Fi收發(fā)器及第二收發(fā)器的裝置能夠檢...