本申請公開了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體本體，第一電極，第二電極，以及第一鐵電材料層，和/或，第二鐵電材料層。第一電極設(shè)置于半導(dǎo)體本體的第一表面，第二電極設(shè)置于半導(dǎo)體本體的第二表面，第一鐵電材...

本申請公開了一種固定電荷的監(jiān)控方法、監(jiān)控裝置和工藝溫度的調(diào)控系統(tǒng)，屬于半導(dǎo)體工藝設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。其中，監(jiān)控方法包括為：確定柵極氧化層的第一C?V曲線，并確定該柵極氧化層在熱處理后的第二C?V曲，然后根據(jù)第一C?V曲線和第二C?V曲線，確定...

本申請?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件及其制備方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體本體、柵極結(jié)構(gòu)、填充層、源極和漏極。半導(dǎo)體本體的第一表面設(shè)置有延伸至半導(dǎo)體本體中的源極溝槽，半導(dǎo)體本體還包括位于源極溝槽內(nèi)壁...

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛。該半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體本體，包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面；半導(dǎo)體本體還包括阱區(qū)和第一區(qū)域；第一區(qū)域設(shè)置于第一表面，阱區(qū)設(shè)置于第一區(qū)域遠(yuǎn)離第一表面的一側(cè)；第一表面還設(shè)置有溝槽...

一種屏蔽型SiC功率器件、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛，屬于功率器件技術(shù)領(lǐng)域，該屏蔽型SiC功率器件，包括多個間隔排列的元胞結(jié)構(gòu)，所述元胞結(jié)構(gòu)包括襯底層及其一側(cè)的外延層；電場屏蔽結(jié)構(gòu)，設(shè)置于多個所述元胞結(jié)構(gòu)之間，電場屏蔽結(jié)構(gòu)包括伸入外延層內(nèi)的靠近...

本申請公開了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。半導(dǎo)體器件包括碳化硅襯底、漂移層、阱區(qū)、源區(qū)、柵極、源極、漏極。其中阱區(qū)設(shè)置于漂移層的遠(yuǎn)離碳化硅襯底的一側(cè)，源區(qū)設(shè)置于阱區(qū)內(nèi)，并且阱區(qū)的遠(yuǎn)離碳化硅...

本申請公開了一種半導(dǎo)體器件及制備方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛，該制備方法包括提供碳化硅襯底和外延層，在外延層的遠(yuǎn)離碳化硅襯底的第三表面形成溝槽，在溝槽內(nèi)依次形成保護(hù)層和半導(dǎo)體層，去除半導(dǎo)體層的部分得到阻擋層，阻擋層覆蓋溝槽的底部和...

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛。該半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體本體，包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面；半導(dǎo)體本體還包括阱區(qū)和第一區(qū)域；第一表面還設(shè)置有第一溝槽和第二溝槽；耐壓層位于第二溝槽內(nèi)，且耐壓層覆蓋第一溝槽的第...

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及制造方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛。該半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體本體包括阱區(qū)、第一區(qū)域和第二區(qū)域；第一表面還設(shè)置有包括第一子溝槽和第二子溝槽的溝槽；第一區(qū)域的導(dǎo)電類型和阱區(qū)的導(dǎo)電類型相同相反；第一子溝槽包括在...

本申請公開了一種半導(dǎo)體器件及制備方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體本體被設(shè)置為第一導(dǎo)電類型，半導(dǎo)體本體包括被設(shè)置為第一導(dǎo)電類型的第一區(qū)域、第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)以及第二導(dǎo)電類型的第二區(qū)域，第二區(qū)域及至...

本申請公開了一種半導(dǎo)體器件及制備方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體本體被設(shè)置為第一導(dǎo)電類型，半導(dǎo)體本體的第一表面設(shè)置有柵極溝槽，溝槽柵極結(jié)構(gòu)位于柵極溝槽內(nèi)。半導(dǎo)體本體還包括被設(shè)置為第一導(dǎo)電類型的第...

本申請公開了一種半導(dǎo)體器件及制備方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，半導(dǎo)體器件包括襯底、外延層、柵極結(jié)構(gòu)、源極、漏極。其中，外延層包括遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的第一表面，外延層還包括阱區(qū)、第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域設(shè)置于第一表...

本發(fā)明公開了一種功率器件及制備方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛，制備方法包括：在襯底上形成外延層；在外延層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)形成第一掩膜層；第一掩膜層包括第一窗口，第一窗口處裸露出外延層；通過第一窗口對外延層進(jìn)行離子注入，形成非晶化區(qū)；形...

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體功率器件、制備方法、功率模塊、轉(zhuǎn)換電路和車輛，半導(dǎo)體功率器件包括：襯底；半導(dǎo)體外延層，位于襯底的一側(cè)；半導(dǎo)體外延層包括依次遠(yuǎn)離襯底的漂移區(qū)、體區(qū)和接觸區(qū)；柵極溝槽和柵極結(jié)構(gòu)，柵極溝槽位于半導(dǎo)體遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的表面；柵...

本發(fā)明公開了一種功率器件及其制備方法，功率器件的制備方法包括：提供半導(dǎo)體本體；所述半導(dǎo)體本體包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面，所述半導(dǎo)體本體還包括外延生長的阱區(qū)和外延生長的第一區(qū)域，所述第一區(qū)域設(shè)置于所述第一表面，所述阱區(qū)位于所述第一區(qū)...

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及制備方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛。該半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體本體和第一介質(zhì)層，第一介質(zhì)層位于半導(dǎo)體本體的一側(cè)；第一介質(zhì)層設(shè)置有修調(diào)導(dǎo)電接觸孔，修調(diào)導(dǎo)電接觸孔靠近半導(dǎo)體本體一...

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及制備方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛。該半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體本體，包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面；半導(dǎo)體本體包括第一外延層和第二外延層，第一外延層用于支撐第二外延層；第二外延層的導(dǎo)電類型和第一外延層的導(dǎo)...

本申請公開了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。制備方法為，首先在襯底上形成柵極，襯底的材料包括碳化硅，襯底還包括位于柵極的相對兩側(cè)的源極區(qū)；然后形成第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層依次覆蓋柵極，且暴露源極區(qū)；接...

本申請公開了一種退火設(shè)備的監(jiān)控裝置、監(jiān)控方法和調(diào)控系統(tǒng)，屬于半導(dǎo)體工藝設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。其中，監(jiān)控裝置包括：厚度測量器，用于測量芯片在退火前的第一厚度和芯片在退火后的第二厚度；監(jiān)控器，與厚度測量器電連接，用于計算第一厚度與第二厚度的第一差值...

本發(fā)明公開了一種功率器件及其制備方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路及車輛。功率器件包括：襯底以及設(shè)置于襯底一側(cè)的外延層；外延層遠(yuǎn)離所述襯底的表面設(shè)置有源極溝槽、柵極溝槽、第一層和第二層；其中，所述第二層位于所述第一層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；所述源...