本發明公開了一種具有限制因子增強層的GaN基半導體激光器，從下至上依次包括襯底、下包覆層、下波導層、有源層、上波導層、電子阻擋層、上包覆層，所述電子阻擋層與上包覆層之間具有限制因子增強層，所述限制因子增強層包括第一限制因子增強層和第二限...

本發明公開了一種具有模式選擇下波導層的GaN基半導體激光器，從下至上依次包括襯底、下包覆層、下波導層，有源層、上波導層、電子阻擋層、上包覆層和接觸層，所述下波導層為模式選擇下波導層；所述模式選擇下波導層包括第一模式選擇下波導層和第二模式...

本發明公開了一種具有低快軸發散角下波導層的氮化鎵基半導體紫光激光器，從下至上依次包括襯底、下包覆層、下波導層、有源層、上波導層、上包覆層，所述下波導層為低快軸發散角下波導層；所述低快軸發散角下波導層為InGaN、GaN、InN、AlIn...

本發明提出了一種具有空穴燒孔抑制層的氮化鎵基半導體激光器，包括從下至上依次設置的襯底、下限制層、下波導層、有源層、上波導層、電子阻擋層和上限制層。本發明設定空穴燒孔抑制層、上限制層、上波導層、下波導層中Al元素濃度或In元素濃度的分布狀...

本發明提出了一種具有光場限制增強層的GaN基半導體激光器元件，包括從下至上依次設置的襯底、下限制層、下波導層、有源層、上波導層、電子阻擋層和上限制層，所述上波導層與電子阻擋層之間設置有光場限制增強層。本發明在GaN基半導體激光器元件中設...

本發明涉及一種提高聚焦的發光器件結構，包括由第一半導體層、第二半導體層和有源層組成的發光器件；有源層位于第一半導體層、第二半導體層之間；與第二半導體層形成歐姆接觸的第一導電層，與第一導電層形成電連接的反射層，與反射層形成電連接的第二導電...

本發明提出了一種具有光場調控層的氮化物半導體激光器，包括從下至上依次設置的襯底、下限制層、下波導層、有源層、上波導層、電子阻擋層和上限制層，所述下波導層包括第一下波導層和第二下波導層，所述第一下波導層位于所述第二下波導層下方，所述第一下...

本發明提出了一種具有扭折抑制層的氮化物半導體激光器的外延結構，包括從下至上依次設置的襯底、下限制層、下波導層、有源層、上波導層、電子阻擋層、上限制層和接觸層，所述下限制層與襯底之間設置有第一扭折抑制層，所述上限制層與接觸層之間設置有第二...

本發明提出了一種具有遠場圖像縱橫比調控層的GaN基半導體激光器元件，包括從下至上依次設置的襯底、下限制層、下波導層、有源層、上波導層、電子阻擋層和上限制層。本發明在GaN基半導體激光器元件中對上波導層和下波導層的折射率、In元素濃度以及...

本發明涉及半導體光電器件技術領域，具體公開了一種氮化鎵基半導體紫光紫外激光器芯片元件。該氮化鎵基半導體紫光紫外激光器芯片元件，從下至上依次包括襯底、下包覆層、下波層、有源層、上波導層、上包覆層，其特征在于，所述上波導層包括第一抑制光吸收...

本發明公開了一種氮化鎵基半導體激光器芯片，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導層、有源層、上波導層、上限制層，所述下波導層與下限制層之間具有渦旋拓撲荷調制層，所述渦旋拓撲荷調制層的厚度為0.5～500nm。本發明通過控制界面相位的方位...

本發明公開了一種具有高橫向電流擴展層的半導體發光元件，從下至上依次包括襯底、n型半導體、量子阱、電子阻擋層、p型半導體和高橫向電流擴展層，所述高橫向電流擴展層的厚度為0.1～500nm，所述高橫向電流擴展層為InGaN/AlGaN超晶格...

本發明公開了一種半導體功率芯片和射頻芯片的外延結構，從下至上依次包括襯底、溝道層和勢壘層，所述溝道層與勢壘層界面形成二維電子氣層；所述溝道層與勢壘層界面的二維電子氣層的輕空穴有效質量的谷值位置往勢壘層方向的上升角度為α，所述溝道層與勢壘...

本發明公開了一種具有光束質量調控層的氮化物半導體激光器，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導層、有源層、上波導層、電子阻擋層和上限制層，所述下限制層包括第一下限制層、第二下限制層和第三下限制層，所述第一下限制層和第三下限制層為AlGa...

本發明公開了一種氮化鎵基半導體激光器元件，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導層、有源層、上波導層、上限制層，所述有源層和下波導層之間設有量子自旋輸運層。本發明使量子自旋輸運層形成多個拓撲表面態共存的低維拓撲結構，形成狄拉克表面態，構...

本技術公開了一種半導體激光器封裝模組，包括管腳、管座、管舌、熱沉和激光器芯片；激光器芯片與熱沉之間具有第一連接層；熱沉與管舌之間具有第二連接層；第一連接層的熱阻小于等于熱沉的熱阻；第二連接層的熱阻小于等于管座的熱阻；第二連接層的熱阻小于...

本發明公開了一種GaN基半導體激光器元件，包括包括襯底、下限制層、下波導層、有源層、上波導層和上限制層，所述下限制層和下波導層中設置有自旋軌道耦合層，本方案的自旋軌道耦合層設計用于調控鎖相激光響應和近場光束導引，抑制模式競爭，提升激光抑...

本技術涉及半導體光電器件的技術領域，尤其涉及一種半導體激光芯片，從下至上依次包括襯底、下包覆層、下波導層、有源層、上波導層、電子阻擋層、上包覆層，通過光刻工藝，將上包覆層刻蝕至距離電子阻擋層約5～500nm，刻出激光的脊，再在脊上方制備...

本發明公開了一種具有低快軸發散角下波導層的氮化鎵半導體激光器元件，從下至上依次包括襯底、下包覆層、下波導層，有源層、上波導層、電子阻擋層、上包覆層和接觸層，所述下波導層為低快軸發散角下波導層；所述低快軸發散角下波導層包括第一低快軸發散角...

本發明公開了一種氮化物半導體激光器元件，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導層、有源層、上波導層、上限制層，所述下波導層與下限制層之間具有自束縛激子極化激元層，述自束縛激子極化激元層包括第一自束縛激子極化激元層和第二自束縛激子極化激元...