本發(fā)明公開了一種柔性AMOLED結(jié)構(gòu)及其制備方法，包括像素發(fā)光層，在所述像素發(fā)光層上設(shè)有薄膜封裝層，其特征在于：所述薄膜封裝層上設(shè)有多個(gè)間隔布置的封裝單元結(jié)構(gòu)，每個(gè)封裝單元均由多層結(jié)構(gòu)堆疊形成，且每層結(jié)構(gòu)由下至上尺寸逐漸減小。本發(fā)明柔性...

本技術(shù)公開了一種高亮高分辨率顯示組件，包括顯示屏R、顯示屏G以及顯示屏B，所述顯示屏R、顯示屏G以及顯示屏B疊層形成一塊整體顯示組件，顯示屏R、顯示屏G以及顯示屏B中的像素對(duì)齊設(shè)置。該高亮高分辨率顯示組件設(shè)計(jì)合理，R、G、B三塊屏像素對(duì)...

本技術(shù)公開了一種適用Micro?Oled多型號(hào)FPC產(chǎn)品的搬送裝置，包括第一吸嘴桿、第二吸嘴桿、設(shè)置于第一吸嘴桿上的主吸嘴、設(shè)置于第二吸嘴桿上的副吸嘴、第一橫梁和與所述第一吸嘴桿連接的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，所述第一吸嘴桿設(shè)置于第一橫梁上且第一吸嘴桿...

本技術(shù)屬于硅基OLED產(chǎn)品點(diǎn)膠技術(shù)領(lǐng)域的帶修正功能的點(diǎn)膠設(shè)備。設(shè)備殼體(14)內(nèi)設(shè)置修正機(jī)構(gòu)(2)，修正機(jī)構(gòu)(2)的伸縮桿(8)連接馬達(dá)(12)，馬達(dá)(12)連接修正機(jī)構(gòu)殼體(13)，修正機(jī)構(gòu)殼體(13)內(nèi)設(shè)置支撐軸(11)，支撐軸(1...

一種靜電吸附掩膜板、氣相沉積設(shè)備及其使用方法，屬于氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域，其中的靜電吸附掩膜板，包括復(fù)合膜層，所述復(fù)合膜層包括與襯底表面貼合的低熱膨脹層及其表面的導(dǎo)電層，所述復(fù)合膜層的像素區(qū)上均布設(shè)置有像素開口，本發(fā)明的有益效果是，本發(fā)明提供...

本技術(shù)公開了一種應(yīng)用于硅基微顯示貼膜的裝置，包括底座、設(shè)置于底座上的定位擋塊、工作臺(tái)盤本體和設(shè)置于底座上且用于控制工作臺(tái)盤本體沿豎直方向進(jìn)行升降的升降機(jī)構(gòu)。本技術(shù)的應(yīng)用于硅基微顯示貼膜的裝置，可以有效的減少型號(hào)切換之間的作業(yè)時(shí)間和換型所...

本發(fā)明屬于硅基OLED技術(shù)領(lǐng)域的硅基OLED橫向擾流隔斷結(jié)構(gòu)，本發(fā)明還涉及一種硅基OLED橫向擾流隔斷結(jié)構(gòu)的制造方法。在CMOS基板(2)鍍膜，形成陽(yáng)極圖案；在陽(yáng)極圖案上鍍膜無(wú)機(jī)材料層，形成平坦化的無(wú)機(jī)物膜層(4)；在平坦化的無(wú)機(jī)物膜層...

本發(fā)明公開了一種微顯示器，包括柵極驅(qū)動(dòng)電路、源極驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)IC和像素區(qū)，所述驅(qū)動(dòng)IC至少設(shè)置兩個(gè)，驅(qū)動(dòng)IC與所述柵極驅(qū)動(dòng)電路和所述源極驅(qū)動(dòng)電路連接，所述像素區(qū)被分成與驅(qū)動(dòng)IC的數(shù)量相同的多個(gè)部分。本發(fā)明的微顯示器，通過(guò)開發(fā)多驅(qū)動(dòng)IC...

本發(fā)明揭示了一種可點(diǎn)亮Micro?OLED先導(dǎo)片的制作方法，其特征在于：步驟1、沉積金屬層M1和絕緣層P1；步驟2、制作金屬走線；步驟3、制作絕緣層P2，步驟4、減薄絕緣層P2；步驟5、減薄絕緣層P2和絕緣層P1，直至露出金屬層M1；步...

一種抗磁掩膜板及其制備方法與氣相沉積設(shè)備，屬于氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域，其中的抗磁掩膜板，包括由低熱膨脹材料和抗磁材料制備的單層或多層結(jié)構(gòu)的復(fù)合膜層，所述復(fù)合膜層的像素區(qū)上均布設(shè)置有像素開口，本發(fā)明的有益效果是，本發(fā)明提供的掩膜板掩結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制...

本技術(shù)公開了一種適用于MicroOLED驅(qū)動(dòng)的直流電壓調(diào)理電路，輸入電壓VIN輸入至整流電路；所述整流電路的輸出正極連接至三極管T1的集電極以及三極管T2的集電極；所述整流電路的輸出負(fù)極連接至二極管D6的陽(yáng)極，二極管D6的陰極連接至運(yùn)放...

一種改善電學(xué)串?dāng)_的硅基OLED顯示器件及其制備方法，屬于硅基OLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，其中的改善電學(xué)串?dāng)_的硅基OLED顯示器件，包括基板及其上依次設(shè)置的陽(yáng)極層、PDL層、OLED器件單元、陰極層和封裝層，所述PDL層位于陽(yáng)極層的上表面設(shè)置有...

本技術(shù)屬于半導(dǎo)體顯示技術(shù)領(lǐng)域的晶圓制備雜物清除裝置。包括晶圓存放盒體(1)、蝕刻設(shè)備盒體存放部件(2)，晶圓存放盒體(1)底部設(shè)置開孔部(3)，蝕刻設(shè)備盒體存放部件(2)設(shè)置盒體存放位(4)，盒體存放位(4)設(shè)置部件通道(5)，部件通道...

本發(fā)明公開了一種像素定義層，包括基板襯底和設(shè)置于所述基板襯底上的底切結(jié)構(gòu)，底切結(jié)構(gòu)上面向發(fā)光層的第一表面為凹透鏡形狀。本發(fā)明的像素定義層，通過(guò)設(shè)置表面具有凹透鏡形狀的底切結(jié)構(gòu)，使用凹透鏡方式改變光路，調(diào)整顯示面板散射的光路，起到聚光作用...

本發(fā)明涉及微顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體來(lái)說(shuō)是本發(fā)明公開了一種微顯示器結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)工藝；所述生產(chǎn)工藝主要包括制備整體基材；對(duì)整體基材進(jìn)行裂片以及分選得到半成品微顯示器；在半成品微顯示器上布置PCB板；把半成品微顯示器與PCB板通過(guò)打線相連接；本發(fā)...

本實(shí)用新型屬于蝕刻機(jī)技術(shù)領(lǐng)域的蝕刻機(jī)蓋體管路布置結(jié)構(gòu)

本實(shí)用新型公開了一種干法刻蝕機(jī)減少機(jī)臺(tái)微粒的工藝結(jié)構(gòu)，所述的干法刻蝕機(jī)包括晶圓傳送盒

本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體顯示器件技術(shù)領(lǐng)域的半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備加熱裝置

本實(shí)用新型屬于

本實(shí)用新型揭示了一種晶圓生產(chǎn)承載裝置，承載基座的表面豎直固定有管狀結(jié)構(gòu)的支持柱，所述支持柱的底部通過(guò)管路連通抽氣管，每個(gè)所述支持柱的頂部均設(shè)有支撐晶圓的支撐帽，所述支撐帽上設(shè)有連通支持柱的孔