本發明涉及半導體技術，公開了一種塑封BOOST半導體模塊及封裝結構，其溫度監測焊接端口區連接有溫度引腳，溫度引腳包括溫度監測第一引腳和溫度監測第二引腳；上橋芯片焊接及鍵合區有上橋芯片引腳焊接區，上橋芯片引腳焊接區連接有上橋芯片引腳；開爾...

本發明涉及半導體技術，特別涉及一種多面柵碳化硅MOSFET晶體管及其制備方法、芯片，所述多面柵碳化硅MOSFET晶體管的所述源區、對應的阱區和碳化硅漂移區內形成有梳齒狀第一柵結構，所述梳齒狀第一柵結構具有梳齒側壁面、梳齒頂面、梳齒底面三...

本技術涉及氮化鎵器件領域，公開了一種具有多場板結構的增強型氮化鎵器件，其包括硅半導體襯底、GaN緩沖層和AlGaN溝道區，AlGaN溝道區的上表面設有作為柵極的p?GaN層，p?GaN層上設有柵極金屬場板，源極金屬場板的上端橫向延伸并至...

本技術涉及功率器件高壓測試技術，公開了一種高壓KGD測試夾具及測試裝置，其包括夾具基板(1)，其夾具基板(1)上設有凹槽單元(2)，凹槽單元(2)連接有功率器件芯片凸臺單元(4)，功率器件芯片凸臺單元(4)上設有真空吸附單元(3)，功率...

本技術涉及功率器件脈沖測試技術，公開了基于SiC功率器件的雙脈沖測試系統，其包括測試母板(1)，其還包括與測試母板(1)插拔連接的測試子板(2)；測試子板(2)上設有用于與SiC功率器件測試引腳連接的測試端口(3)；且SiC功率器件測試...

本實用新型涉及碳化硅功率器件的封裝技術，公開了一種SiC頂部散熱功率器件的封裝結構，功率器件的功率漏極D與功率源極S分別通過引線與第一引腳區(13)和第二引腳區(14)連接；當功率器件的功率漏極D與第一引腳區(13)連接，則功率器件的功...

本發明涉及碳化硅器件領域，公開了一種高可靠型的碳化硅場效應管結構及其制造工藝，其包括N型碳化硅襯底(102)，外延層包括由下至上依次層疊的第一N型碳化硅外延層(103)和第二N型碳化硅外延層(104)，在第一N型碳化硅外延層(103)的...

本發明涉及SiC功率器件的測試技術，公開了基于SIC功率器件的浪涌測試電路，其包括儲能單元和控制采樣隔離單元；其還包括浪涌執行單元和浪涌控制單元；儲能單元用于提供SiC功率測試器件進行浪涌測試的脈沖能量；控制采樣隔離單元用于對SiC功率...

本發明涉及碳化硅器件領域，公開了一種多次外延平面型碳化硅場效應管結構及其制造工藝，包括N型碳化硅襯底(102)，N型碳化硅襯底(102)的上表面設有外延層，外延層包括由下至上設置的N型碳化硅外延層(103)和P型碳化硅外延層(104)，...

本實用新型涉及SiC功率器件測試技術，公開了一種開環浪涌測試電路及測試裝置，其包括電源單元、儲能單元、開關單元、測試單元和限流單元；電源單元提供電源至測試電路，儲能單元與電源單元并聯，提供測試能量至測試單元；開關單元、測試單元及限流單元...

本實用新型涉及功率器件的故障檢測技術，公開了一種用于多組功率器件的故障檢測電路，至少有2組功率器件，其還包括用于驅動功率器件的驅動芯片，且驅動芯片與功率器件相互對應；驅動芯片輸出有故障信號端，故障信號端連接有用于檢測故障信號的故障檢測單...

本實用新型涉及過流保護技術，公開了一種反激電源過流保護系統，其包括反激拓撲架構，還包括漏感吸收模塊、電源控制模塊、輸出電壓隔離反饋模塊和采樣電阻，漏感吸收模塊用于吸收漏感能量防止產生大的電壓尖峰擊穿反激拓撲架構；電源控制模塊用于收集整個...

本實用新型涉及繼電器的故障檢測技術，公開了一種繼電器故障檢測電路，包括主控單元；繼電器觸點狀態檢測單元用于檢測繼電器觸點的狀態，并將繼電器觸點的狀態信號發送至繼電器故障檢測單元；繼電器線圈狀態檢測單元用于檢測繼電器線圈的狀態，并將繼電器...

本實用新型涉及電路檢測技術，公開了一種SiC功率器件的失效檢測電路，其包括用于提供檢測電路電源的供電單元、報警單元、限流單元和檢測顯示單元；報警單元用于對檢測的信號進行報警；限流單元用于對檢測的信號進行限流，檢測顯示單元用于對檢測的信號...

本發明涉及功率器件效率提升，公開了一種提升功率變換器件效率的方法和系統，其方法包括：電流的采樣，通過電流傳感器或采樣電阻采樣電流，并將采樣的電流傳送至DSP控制單元；負載區間的確定，依據采樣的電流確定負載區間；開關頻率的調節，通過調節驅...

本實用新型涉及多功率器件的電壓超調技術，公開了一種抑制SiC功率器件驅動電壓超調電路，包括電流采樣單元、多組電流調理單元和電流比較單元；其還包括多組電阻調節單元和被控單元；電流調理單元與電阻調節單元一一對應；電流采樣單元用于采集電流，將...

本實用新型涉及碳化硅場效應管，公開了一種平面型分離柵碳化硅場效應管，其包括碳化硅半導體襯底(105)，碳化硅半導體襯底(105)的上部左右兩側嵌設有Pwell層(104)，Pwell層(104)的上部嵌設有N+注入區(101)和P+注入...

本發明提供了一種平面型碳化硅場效應管及其制造方法，所述場效應管包括元胞結構，所述元胞結構包括：碳化硅襯底；外延層，所述外延層連接至所述碳化硅襯底上側面；所述外延層內設有PWELL阱層；所述PWELL阱層內設有N+注入區以及金屬硅化物層；...

本發明涉及SiC功率器件保護技術，公開了基于SiC功率器件的閾值電壓保護電路及方法，其包括DSP數據處理單元、溫度采樣單元、隔離電壓采樣單元、電源轉換單元、信號隔離單元、器件驅動單元、觸發信號采集單元和驅動控制單元；由于閾值電壓是一個溫...

本實用新型涉及碳化硅場效應管技術領域，公開了一種溝槽型碳化硅場效應管，其包括碳化硅半導體襯底(105)，碳化硅半導體襯底(105)上嵌設有深注入P型區(104)，碳化硅半導體襯底(105)上設有柵極溝槽，柵極溝槽內嵌設有柵極溝槽氧化層(...