本技術提供一種半導體工藝設備，包括底座、工藝管、進氣管、第一轉接部件和第二轉接部件，工藝管豎向設置在底座上，進氣管豎向設置在工藝管內，用于向工藝管內輸送工藝氣體，第一轉接部件和第二轉接部件為可拆卸連接的分體結構，第一轉接部件的至少部分豎...

本申請實施例提供了一種晶圓存儲裝置及半導體工藝設備，其中，所述晶圓存儲裝置包括：存儲架和噴氣裝置；存儲架的上下兩側分別設有上擋板和下擋板，存儲架的周向側設有開放側面和封擋側面；噴氣裝置設于上擋板，噴氣裝置用于從上擋板朝向下擋板噴氣，以在...

本技術提供一種工藝介質輸運結構及半導體工藝設備，工藝介質輸運結構包括儲液部件、儲氣部件和第一測壓部件，儲液部件與儲氣部件連通，并用于與工藝介質源連通，儲液部件用于對由工藝介質源輸入的液態工藝介質進行儲存，并向儲氣部件輸運工藝介質蒸汽，儲...

本技術公開一種進氣裝置和半導體工藝設備，所公開的進氣裝置用于半導體工藝設備，所公開的進氣裝置包括工藝氣體通道、清洗氣體通道和止回裝置，所述工藝氣體通道和所述清洗氣體通道均用于與所述半導體工藝設備的反應腔室連通，所述止回裝置設于所述工藝氣...

本申請公開了一種半導體工藝腔室及半導體工藝設備，屬于半導體技術領域。半導體工藝腔室包括腔室本體、旋轉板和多個加熱元件，旋轉板可轉動地設置于腔室本體內，腔室本體內設有用于承載晶片的基座，基座與旋轉板相對，多個加熱元件間隔設置于旋轉板，以加...

本技術提供一種槽蓋聯動機構以及清洗設備，所述槽蓋聯動機構包括：升降裝置，用于放置晶圓并帶動所述晶圓升降，以使所述晶圓移出或進入所述清潔槽；槽蓋，用于活動連接在所述清潔槽上，用于打開或關閉所述清潔槽的槽口，處于打開狀態的所述槽蓋避讓所述升...

本技術提供一種活動隔板裝置以及半導體清洗設備。其中，活動隔板裝置包括：隔板、驅動源和用于連接隔板和驅動源的支撐組件；驅動源用于驅動隔板移動；支撐組件包括第一支撐件、第二支撐件和第一連接件；第一支撐件與隔板固定連接；第二支撐件與驅動源固定...

本發明提供一種半導體工藝腔室及半導體工藝設備。半導體工藝腔室包括：腔體，設置有與內部連通的抽氣口；基座，設置于腔體內；第一氣體調節組件，設置于腔體內，且將腔體內部分隔成工藝腔和通氣腔，基座位于工藝腔中；通氣腔位于基座下方，且與抽氣口連通...

本申請公開一種半導體工藝設備，其包括腔體、勻氣件、旋轉電機、傳動組件和升降組件，所述升降組件的數量為多個，且多個所述升降組件沿所述腔體的周向間隔分布，各所述升降組件均與所述勻氣件連接，且各所述升降組件均通過所述傳動組件與所述旋轉電機傳動...

本申請公開了一種工藝任務的執行方法及半導體工藝設備。其中，該方法包括：在工藝任務啟動后，獲取目標服務執行完成后的目標腔室空閑時間，目標服務為工藝任務啟動前最后執行的服務；根據目標服務和目標腔室空閑時間，獲取對應的測試晶圓的推薦數量；若推...

本技術提供一種半導體工藝腔室，包括腔室本體、磁控組件、檢測組件和多個調節部件，腔室本體的頂部具有用于安裝濺射靶的安裝位，磁控組件設置在濺射靶的上方，磁控組件包括多個磁性部件，多個磁性部件沿濺射靶的徑向間隔設置，檢測組件設置在腔室本體內，...

本申請公開一種半導體清洗設備及其補液裝置，屬于半導體技術領域。補液裝置包括儲液裝置、補液管路、循環管路、泵體和控制部件，其中，儲液裝置的出口端與泵體的進口端連通，泵體的出口端分別與補液管路的第一端和循環管路的第一端連通，循環管路的第二端...

本發明公開了一種圖形化基底的制備方法圖、形化基底及半導體器件，該方法包括：在基底表面形成第一微結構；在所述第一微結構的表面形成第二微結構，所述第二微結構的光折射率大于所述第一微結構的光折射率；其中第一微結構和第二微結構中的至少一者包括分...

本申請公開一種半導體工藝腔室及半導體工藝設備，屬于半導體技術領域。半導體工藝腔室包括腔室本體、磁場調節機構和導向件，腔室本體內設有基座，磁場調節機構包括承載件和多個磁性件，承載件可轉動地設置于腔室本體之外，多個磁性件環繞腔室本體設置，且...

本發明提供一種靜電卡盤的測溫裝置，靜電卡盤包括第一電極和第二電極，測溫裝置包括多個吸附部件和多個測溫部件，多個吸附部件用于間隔放置在靜電卡盤的用于吸附晶圓的表面上，且至少一個吸附部件與第一電極對應放置，至少另一個吸附部件與第二電極對應放...

本技術提供一種工藝腔室及半導體工藝設備。工藝腔室包括腔體、工藝基座和磁組件，工藝基座具有用于承載晶圓的承載面，磁組件環繞設置于腔體外；磁組件包括磁體結構和連接于磁體結構的調節組件，調節組件用于驅動磁體結構沿第一預設方向、第二預設方向和第...

本申請公開了一種晶圓載臺、偽片腔室及半導體工藝設備，晶圓載臺包括至少兩個環繞預設圓設置的承載機構，用于從晶圓的邊緣對晶圓形成支撐；以預設圓的圓心為參考，每個承載機構包括：第一固定座，靠近圓心的一端設置有第一支撐部；第二固定座，靠近圓心的...

本發明公開了一種側墻刻蝕方法、場效應晶體管和半導體工藝設備，包括：提供待刻蝕器件，待刻蝕器件包括襯底、設置在襯底上的柵極以及覆蓋柵極和襯底的待刻蝕膜層，待刻蝕膜層包括沿遠離襯底的方向依次層疊設置的第一半導體層、第二半導體層和第三半導體層...

本發明公開了一種水蒸氣發生裝置、液位控制方法及半導體工藝腔室，裝置包括：水箱，水箱的底部與補水管路連接，水箱的頂部通過蒸汽輸送管路與工藝腔室連通，補水管路上設有補水閥，蒸汽輸送管路上設有氣體流量控制件；水箱設有加熱件、溫度檢測件、壓力檢...

本發明提供了遮蔽盤組件檢測方法和半導體工藝設備，涉及半導體工藝技術領域，以解決遮蔽盤是否被放入遮蔽盤庫中難以檢測的問題。遮蔽盤組件檢測方法獲取遮蔽盤組件的圖像；基于圖像，獲取支撐臂上支撐點的位置；和/或，基于圖像，獲取遮蔽盤本體中心點的...