本發明提供了一種用于從生長坩堝中取出晶體的裝置和方法。方法包括：將生長坩堝倒置；對生長坩堝進行加熱，使得生長在生長坩堝中的晶體表面熔化，從而與生長坩堝分離。本發明提供的方法可以實現在不破壞坩堝結構的前提下，安全有效地將晶體從生長坩堝中分...

本申請公開一種降溫法生長氧化鎵晶體的裝置及其方法，包括：坩堝加熱單元，置于所述坩堝四周；升降單元，用于支撐所述坩堝；風冷單元，位于所述坩堝下方，用于調節所述坩堝下部的溫度；其中，所述坩堝在所述升降單元的作用下能夠進入或移出所述加熱單元內...

本申請公開一種多步法生長氧化鎵晶體的裝置和方法，包括：坩堝；溫控結構，包括置于坩堝四周的加熱元件和多組隔熱擋板，隔熱擋板位于加熱元件下方，每組隔熱擋板之間具有間距；升降結構，包括用于支撐坩堝的坩堝底托和連接于坩堝底托使坩堝上下移動的升降...

本申請公開一種梯度式氧化鎵晶體生長裝置及生長方法。包括：坩堝支架，包括本體、設置在本體內的容納空間和蓋體，本體包括第一部分、第二部分和位于第一部分和第二部分之間的第三部分，第一部分由氧化鋁陶瓷制成，第二部分由氧化鋁纖維制成，第三部分由氧...

本申請公開一種熔化氧化鎵粉末材料的裝置及方法，包括：坩堝；第一加熱單元，用于加熱所述坩堝；第二加熱單元，用于加熱所述坩堝，設置在所述第一加熱單元下方，與所述第一加熱單元之間通過隔熱擋板分離；以及升降單元，用于放置所述坩堝，在所述升降單元...

本申請提供了一種氧化鎵單晶及其生長裝置及生長方法。生長裝置包括：坩堝，用于生長氧化鎵單晶，具有第一開口；坩堝的側壁長度小于坩堝的底壁長度；坩堝支架，用于容納和支撐坩堝，具有第二開口；坩堝支架的側壁厚度小于坩堝支架的底壁厚度；保溫蓋，蓋設...

本申請公開一種冷坩堝法生長氧化鎵晶體的裝置及生長方法，包括：加熱單元，包括高頻感應線圈；水冷坩堝單元，包括水冷瓣和氧化鎵殼層，以及升降單元，包括升降裝置；其中，所述水冷瓣包括水冷銅管和底座，所述底座包括進水口和出水口，所述水冷銅管與所述...

本發明提供了一種利用助熔劑生長氧化鎵晶體的方法。該方法包括：將氧化鎵粉體和助熔劑粉體放入坩堝中，并置于生長爐內；將生長爐抽真空后充入氧氣和氮氣，然后升溫并保溫以使得氧化鎵粉體和助熔劑粉體完全熔化，獲得熔體；確定熔體的飽和點溫度；在高于飽...

本申請公開一種氧化鎵晶體的生長裝置及生長方法，包括：生長爐、坩堝、加熱器和驅動裝置；其中，所述坩堝為氧化物坩堝。本申請將一定配比的鎵和氧化鎵一起置入坩堝中，晶體生長過程中，一部分金屬鎵被氧化成氧化鎵，一部分鎵熔體處于坩堝底部籽晶的周圍，...

本發明公開了一種用于冷坩堝法制備氧化鎵單晶的坩堝設計和制備方法，冷坩堝由坩堝壁、緩沖層以及氧化鎵擠壓層構成，其中所述緩沖層附在所述坩堝壁內側和所述氧化鎵擠壓層外側，所述坩堝壁的厚度大于所述氧化鎵擠壓層的厚度，所述緩沖層的厚度小于所述氧化...

本發明公開了一種Mist法制備氧化鎵薄膜的制備設計，它包括以下步驟：步驟1：將乙酰丙酮鎵在常溫下溶于去離子水中，加入Ga金屬離子配置成前驅體溶液，并將將配置好的前驅體溶液與鹽酸溶液均勻混合；步驟2：將藍寶石襯底依次在在丙酮、乙醇、去離子...