本發(fā)明公開了一種用于離子注入機的具有雙向能量控制特性的高壓直流電源，包括電壓源、電流源和限流單元；所述電流源與限流單元串聯(lián)后，整體再與電壓源并聯(lián)以對外輸出。本發(fā)明的具有雙向能量控制特性的高壓直流電源，能夠有效的通過電源內部的限流電阻設計...

本發(fā)明公開了一種離子注入機批靶換片機構及批靶換片方法，批靶換片機構包括靶臺、儲片室、第一傳送組件和轉向傳送機構，靶臺可旋轉地安裝在批靶靶室內，靶臺沿周向均勻設置有多個靶盤，靶盤的盤面垂直于靶臺，儲片室內水平放置有若干晶片，轉向傳送機構包...

本發(fā)明公開了一種離子注入機線圈電阻率的非接觸式測量系統(tǒng)及方法，系統(tǒng)包括控制單元、磁場檢測單元和感應線圈單元；所述控制單元分別與所述磁場檢測單元、感應線圈單元和待測線圈相連；所述磁場檢測單元用于檢測待測線圈產生的磁場信號，并發(fā)送至控制單元...

本發(fā)明公開了一種離子注入機的晶圓制冷系統(tǒng)，將冷環(huán)和用于承載第一晶圓的工藝靶盤設置在工藝腔室內，且工藝靶盤設置在冷環(huán)頂部，冷環(huán)底部通過冷媒穿管與分配器連接；將預冷環(huán)和用于承載第二晶圓的預冷靶盤設置在機械手腔室內，且預冷環(huán)設置在預冷靶盤底部...

本發(fā)明公開了一種離子注入機的高壓電源間隙放電測試裝置，包括間隙放電組件、間隙控制驅動機構、放電控制器和待測高壓電源；所述間隙放電組件包括高壓電位引出電極和地電位引出電極，所述高壓電位引出電極與所述地電位引出電極之間平行布置，所述高壓電位...

本發(fā)明公開了一種晶圓電荷量控制方法及系統(tǒng)，控制方法包括：當晶圓放置在靶盤上時，通過調整晶圓吸力電源來控制晶圓電荷去抵消晶圓自身凈電荷，從而將晶圓凈電荷控制在所需要的范圍內；當需要晶圓電荷整體偏正或偏負時，通過調整晶圓吸力電源來控制晶圓電...

本發(fā)明公開了一種大束流離子注入機用束流監(jiān)測和響應系統(tǒng)及其應用方法，系統(tǒng)包括低壓電源Glitch監(jiān)測模塊、高壓電源Glitch監(jiān)測模塊、電機使能監(jiān)測模塊、劑量補充模塊、束流中斷模塊和Glitch?Test模塊；低壓電源Glitch監(jiān)測模塊...

本技術公開了一種晶圓非接觸式預加熱裝置，包括預加熱腔室、預加熱電源和預加熱燈具；所述預加熱電源和預加熱燈具位于預加熱腔室外部，所述預加熱腔室上設有圓形石英窗，所述預加熱燈具正對于所述石英窗；所述預加熱電源與預加熱燈具相連，用于給預加熱燈...

本技術公開了一種離子注入機加熱電源的校準裝置，包括上位機、加熱電源和用于替代高溫靶盤的靶盤替代單元；所述靶盤替代單元包括用于替代靶盤盤體的絕緣襯底、電阻單元、電極單元和測溫單元；所述電阻單元內嵌于絕緣襯底內，所述電極單元的兩端連接電阻單...

本技術公開了一種排廢管道電阻率檢測裝置及排廢管道系統(tǒng)，檢測裝置包括采集管道、排廢檢測接口板和排廢控制器，所述采集管道安裝于排廢管道上，所述排廢檢測接口板安裝于所述采集管道上，所述排廢檢測接口板包括地線接線端E0、電流測試端E1、電流采集...

本技術公開了一種離子注入機用離子源坩堝結構，包括坩堝和用于加熱坩堝的加熱部件，所述坩堝連接有進氣管和出氣管，所述出氣管延伸至離子源的弧室。一種離子注入機用離子源，包括高溫區(qū)和弧室，還包括上述的離子注入機用離子源坩堝結構。本技術可以通過進...

本技術公開一種高壓電連接器及包含其的靜電吸附裝置，高壓電連接器包括外殼，所述外殼的兩端分別設有真空灌膠區(qū)和常壓灌膠區(qū)，所述外殼內部設有兩端貫穿的通孔，導針通過絕緣填充層固定于外殼的通孔內且伸出通孔的兩端，所述導針的兩端分別延伸至真空灌膠...

一種晶圓夾持機構，包括晶圓壓環(huán)和多個沿晶圓壓環(huán)圓周方向分布的晶圓壓緊件，晶圓壓環(huán)上沿圓周方向設置有多個安裝彈片和用于避讓安裝彈片形變的避讓部，多個晶圓壓緊件一一對應的與多個安裝彈片連接。本發(fā)明晶圓壓緊件與安裝彈片相連，在晶圓壓環(huán)向下運動...

本發(fā)明的一種低溫靜電吸盤，吸附基板上設有吸附電極層，吸附電極層上設有介電層，吸附電極層中設有六相吸附電極，以實現(xiàn)承載物被吸附在介電層上，介電層與承載物之間形成氣密空間；吸附基板與冷卻基座連接，吸附基板與冷卻基座之間設有導電墊圈，吸附基板...

本發(fā)明的一種應用于離子注入機的固態(tài)元素注入系統(tǒng)及工藝，系統(tǒng)包括：工控機、ADIO控制器、加熱電源、離子源弧室和坩堝組件，坩堝組件包括坩堝蒸發(fā)器、溫度傳感器、送氣管和加熱燈管；工控機、ADIO控制器和加熱電源依次連接；加熱電源分別連接加熱...

本發(fā)明公開了一種晶圓離子注入方法及注入系統(tǒng)，方法包括：S1、通過晶圓水平/豎直中心線將晶圓四等分，依次為第一至第四象限，預設各象限的注入百分比；S2、根據(jù)各象限的注入百分比，生成兩種水平掃描波形，第一種水平掃描波形/第二種水平掃描波形用...

本發(fā)明公開了一種用于離子注入機的一價離子過濾裝置及離子注入機，過濾裝置包括真空腔體，所述真空腔體上設有束流入口，所述束流入口與離子注入機中質量分析器的出口對接，所述真空腔體內部設有膜片透鏡組件，所述膜片透鏡組件包括過濾電極組件，用于抑制...

本發(fā)明公開了一種用于離子注入機的電偏轉透鏡調控方法及系統(tǒng)，方法包括步驟：分析確定離子注入機的電偏轉透鏡的控制參數(shù)；獲取不同數(shù)值控制參數(shù)下的各電極電壓，并將各電極電壓與預設閾值進行對比；如果各電極電壓均位于預設閾值內，則判斷各控制參數(shù)的數(shù)...

本發(fā)明公開了一種高溫離子注入晶圓溫度控制方法、裝置、介質及系統(tǒng)，方法包括步驟：預先獲取晶圓溫度與靶盤測溫點溫度之間的對應映射關系；根據(jù)晶圓溫度與靶盤測溫點溫度之間的對應映射關系，獲取與晶圓目標溫度相對應的靶盤測溫點溫度；對靶盤進行加熱以...

本發(fā)明公開一種高溫靜電吸盤，包括：加熱線圈組件、電極吸附組件、測溫組件以及由上至下依次重疊的陶瓷基體、隔熱板和水冷基座，當高溫靜電吸盤處于工作狀態(tài)時，陶瓷基體處于真空環(huán)境，水冷基座處于標準大氣壓環(huán)境；陶瓷基體頂部設有介質層，介質層與承載...