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    北京特思迪半導體設備有限公司專利技術

    北京特思迪半導體設備有限公司共有102項專利

    • 本發明公開了一種拋光壓頭及單面拋光設備,拋光壓頭包括:支撐盤,支撐盤上設置有圓形孔;下壓件,下壓件的下端面用于固定晶圓,下壓件與支撐盤通過柔性連接件連接;扭矩傳遞件,扭矩傳遞件包括第一連接部和第二連接部,第二連接部與下壓件固定連接,第一...
    • 本發明提供一種單波長光束測厚參考數據庫建立方法、測量方法及設備,所述參考數據庫建立方法包括:獲取晶圓薄膜在不同厚度下的反射率,其中厚度為給定值,相應的反射率是通過數學模型計算出的值,所述反射率是晶圓薄膜對特定波長光的反射率,所述反射率隨...
    • 本發明提供一種基于拋光過程的單波長光束測厚、標定庫構建方法及設備,所述標定庫構建方法包括:在晶圓薄膜的拋光過程中利用多波長光束在線原位測量所述晶圓薄膜的厚度,并在多個不同厚度下獲取所述晶圓薄膜對單波長光束的反射光的光強度對應的電信號;基...
    • 本發明提供一種針對晶圓薄膜拋光過程的在線原位厚度測量方法及設備,所述方法包括第一測量階段和第二測量階段,其中第一測量階段包括在對晶圓薄膜進行拋光的過程中,利用多波長光束測量所述晶圓薄膜的厚度,并監測厚度是否達到閾值;第二測量階段包括在厚...
    • 本發明提供一種用于晶圓薄膜拋光過程的厚度測量方法及設備,所述方法包括:在對晶圓薄膜進行拋光的過程中,獲取所述晶圓薄膜對單波長光束的反射光的光強度對應的電信號;根據所述電信號和標定系數計算所述晶圓薄膜對所述單波長反射光的反射率;確定包括前...
    • 本發明提供一種晶圓膜厚標定庫構建方法、測量方法及拋光設備,所述構建方法包括:獲取適用于單層膜環境的膜厚反射率庫,其中反射率值隨厚度值的變化呈現周期性變化;獲取已知不同厚度的兩個晶圓薄膜對單波長光束的反射光的光強度對應的電信號和電信號;獲...
    • 本發明提供一種晶圓薄膜厚度測量方法及設備,所述方法包括:獲取第一膜厚反射率庫和第二膜厚反射率庫;利用標定系數將第一膜厚反射率庫中的反射率值轉換為電信號值、利用標定系數將第二膜厚反射率庫中的反射率值轉換為電信號值;獲取未知厚度的晶圓薄膜對...
    • 本發明公開了一種半導體材料亞表面損傷層的檢測方法,包括:在半導體材料的表面沉積保護層,保護層至少覆蓋半導體材料的損傷觀測位置;采用高能束流對半導體材料進行刻蝕并形成第一截面,第一截面的深度大于等于半導體材料的預估損傷深度;采用高能束流對...
    • 本申請提供一種側向定位機構,屬于半導體加工設備技術領域,包括:基座;定位軸;導向輪,安裝在定位軸端部,導向輪具有隨定位軸上下滑動的工作位置及非工作位置,在工作位置,導向輪與定位輪配合對放置在研磨盤上的晶圓承載盤進行定位。機械手將帶有晶圓...
    • 本發明涉及MAX相材料加工技術領域,具體涉及一種Max相TiAlC材料的拋光方法及所制備的Max相TiAlC拋光材料。本發明提供了一種Max相TiAlC材料的拋光方法,包括如下步驟:采用拋光墊和拋光液進行拋光,拋光液中磨料為金剛石,金剛...
    • 本發明提供一種基于光譜共聚焦的膜厚測量方法及設備。應用于高精度測量技術領域。該方法包括:預先獲取光譜共聚焦系統的出射光調制系數;利用光譜儀采集聚焦于扁平件上下表面的反射光光譜,得到在入射光下攜帶位置信息的實時特征光譜和實時入射光調制光源...
    • 本申請提供一種壓頭,用于對晶圓提供下壓力,將所述晶圓按壓在工作盤的上表面進行打磨,半導體設備加工技術領域,所述壓頭包括依次連接的驅動部、主軸、連接部和壓盤;所述驅動部用于驅動所述主軸進行升降運動,進而帶動所述連接部和所述壓盤進行升降運動...
    • 本申請提供一種尋邊偏差定位方法,涉及晶圓加工技術領域,尋邊機構包括定位基座和檢測機構;定位基座上設有第一檢測孔和第二檢測孔;第一檢測孔圓心與第二檢測孔圓心之間的連線為定位基準線;方法包括以下步驟:晶圓完全遮擋所述第一檢測孔和所述第二檢測...
    • 本申請提供一種尋邊定位方法,涉及晶圓加工技術領域,尋邊機構包括定位基座,定位基座上設有第一檢測孔和第二檢測孔,以第一檢測孔圓心與第二檢測孔圓心之間的連線設為定位基準線;方法包括以下步驟:晶圓完全遮擋第一檢測孔和第二檢測孔獲取上述情況下第...
    • 本申請提供一種游星輪外圈滾道裝置,涉及半導體加工設備技術領域,包括銷齒圈和外圈座;其中:所述銷齒圈環繞設置于機床工作臺的外側,所述銷齒圈以所述機床工作臺的圓心作為轉動中心與所述機床工作臺相對轉動;所述外圈座套設在所述機床工作臺的外側,所...
    • 本發明提供一種晶圓面型原位測量方法、晶圓加工方法及系統。應用于半導體加工領域。所述晶圓面型原位測量方法包括:在晶圓處于加工環境原位且厚度不再發生變化的狀態下,利用厚度測量裝置測量晶圓多個圈層中的多個測量位置處的厚度;根據每個圈層中的多個...
    • 本申請提供一種游星輪外圈升降閃停裝置,涉及半導體加工設備技術領域,包括升降機構以及閃停機構;其中,所述升降機構包括:驅動裝置;絲軸,所述驅動裝置帶動所述絲軸轉動;絲母,螺紋連接于所述絲軸的頂部;所述閃停機構包括:活動卡接件,與所述絲軸底...
    • 本申請提供一種游星輪外圈貼帶傳動裝置,涉及半導體加工設備技術領域,包括:主動機構、傳動機構和從動機構;其中,所述主動機構用于提供旋轉動力;所述傳動機構包括主動輪、從動輪以及雙面同步帶,所述雙面同步帶的內側具有內齒結構,外側具有外齒結構,...
    • 本申請提供了一種半導體加工工作臺,屬于半導體加工設備技術領域,具體而言,包括:機座、環形座、環形電機、環形軸承、環形架和加工盤組件。通過采用環形電機和環形軸承,相比相關技術中的由主軸、減速機和電機構成的中心式主軸驅動機構,改為環形軸承進...
    • 本發明提供一種近表面層介質參數與參考圖庫分辨率的匹配方法及設備,所述方法包括:在給定的近表面層介質的參數范圍內選取個近表面層介質參數;利用個近表面層介質參數、個參考圖庫分辨率和給定的晶圓薄膜厚度值建立個參考圖庫;分別將個參考圖庫與已知厚...
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