一種SOI硅片對準鍵合的方法，屬于半導體芯片加工制造領域，本發明提出的SOI硅片對準方法利用光學對準標記進行對準精度的測量，僅僅使用機械對準方式以及適當的補償調整，即可在SOI硅片鍵合時將上下兩片硅片的X與Y方向的偏移量控制在50μm以...

一種用原子層沉積技術生長氧化鋁的工藝，屬于半導體制造領域，本發明是以三甲基鋁為鋁源，以臭氧為氧源，氮氣為載氣，襯底為硅片，設置原子層沉積系統反應腔溫度為320℃～380℃，制備氧化鋁薄膜，本工藝使得溫度升高，既可以提高氧化鋁薄膜的生長速...

一種室溫下硅片清洗方法，屬于半導體芯片加工制造領域，本發明所用清洗液含有氫氧化銨、雙氧水及去離子水，且氫氧化銨、雙氧水及去離子水按照1:2:50的體積比進行混合，并控制清洗硅片時硅片清洗液的溫度為室溫。硅片清洗后經甩干工序，可以得到表面...

本發明公開了一種不同尺寸異質材料混合集成的方法，屬于半導體制造領域，該方法通過使用模具完成2英寸晶圓與8英寸晶圓的鍵合，同時利用機械對準方式與光學對準方式相結合，完成兩次鍵合工藝，在鍵合工藝之間使用8英寸生產機臺進行光刻等工藝，實現不同...

本發明公開了一種背照式圖像傳感器晶圓邊緣無硅膜缺陷的工藝制程方法，屬于半導體制造領域，該方法通過將一片帶有圖像傳感器的晶圓A和另一片承載晶圓B在常溫常壓下鍵合；鍵合后，使用機械磨邊工藝去除兩片晶圓邊緣鍵合力弱的硅膜；鍵合后晶圓A機械減薄...

本發明公開了一種SOI晶圓邊緣零空洞的工藝制程方法，屬于SOI晶圓材料制造領域，該方法包括如下步驟：步驟S01、前期準備；步驟S02、晶圓一次磨掉邊緣處理；步驟S03、晶圓鍵合；步驟S04、晶圓一次減薄；步驟S05、晶圓二次磨掉邊緣處理...

一種SOI晶圓的加工方法，屬于半導體制造領域，包括如下步驟，且以下步驟順次進行：①對第一襯底與第二襯底進行清洗；②對清洗后的第一襯底進行剪邊處理；③在第一襯底和第二襯底的待鍵合表面分別制備出一層氧化層；④第一襯底為頂部晶圓，第二襯底為底...

一種用于紅外光學成像系統兩視場切換的變倍機構，屬于兩視場間斷變焦紅外光學成像領域；本機構為了解決光電經緯儀的紅外光學成像系統兩視場快速精準切換的技術問題，電機驅動齒輪，帶動變倍齒輪，從而帶動電位計聯動齒輪，實現帶動變倍鏡筒的旋轉和多圈電...