本發(fā)明提供了一種基于金屬熱界面材料的芯片封裝方法，包括：FCBGA封裝；在芯片上表面貼附一層水溶膠；器件塑封，使塑封料形成圍壩；使用專用溶劑去除芯片上方的水溶膠并干燥；噴涂助焊劑；將金屬熱界面材料貼裝在芯片的上表面；貼裝散熱蓋；金屬熱界...

本發(fā)明提供了一種基于金屬熱界面材料的芯片封裝方法和結(jié)構(gòu)，方法包括：通過(guò)FCBGA封裝完成芯片與基板的連接；在芯片上表面均勻噴涂助焊劑；通過(guò)貼片機(jī)將金屬熱界面材料貼裝在芯片的上表面；器件塑封，且使塑封料在芯片上方圍成容納金屬熱界面材料的空...

本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體制造和芯片封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種提高信號(hào)走線在BGA焊盤處阻抗的布線結(jié)構(gòu)及方法，通過(guò)連接BGA焊盤的傳輸線在BGA焊盤的相鄰層板中繞著B(niǎo)GA焊盤的軸線布置引入了一定長(zhǎng)度的附加走線，以沿著信號(hào)路徑產(chǎn)生感性負(fù)載，對(duì)由于BGA...

本發(fā)明提供了一種芯片封裝基板過(guò)孔結(jié)構(gòu)，包括基板以及開(kāi)設(shè)在所述基板上的過(guò)孔，所述過(guò)孔包括記憶金屬外層、銅壁層以及相變流體通道；所述記憶金屬外層位于所述過(guò)孔的最外層，所述記憶金屬外層采用記憶金屬制成，記憶金屬在吸收熱量的同時(shí)能夠產(chǎn)生變形，溫...

本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，在選定的半導(dǎo)體材料表面制作多個(gè)晶粒并切出，得到裸芯片；在封裝基板上刻蝕布線，得到布線基板，并將裸芯片貼裝至布線基板的相應(yīng)位置；將裸芯片焊盤與布線基板上的走線連通，得到初始半導(dǎo)體封...

本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體SIP封裝電源模塊的塑封工藝，涉及封裝領(lǐng)域，包括：制作封裝模具、安裝基礎(chǔ)元件、加工散熱蓋并貼裝散熱蓋、鋪設(shè)離型膜、合模并塑封、以及停止塑封并開(kāi)模，在本申請(qǐng)中，在塑封前對(duì)散熱蓋進(jìn)行灼蝕，使得散熱蓋的上表面形成圍壩，圍...

本技術(shù)公開(kāi)了一種適用于FCBGA的硅油基導(dǎo)熱墊片的封裝結(jié)構(gòu)，包括均熱板和硅油基導(dǎo)熱墊片，所述硅油基導(dǎo)熱墊片的表面設(shè)有金屬層，所述金屬層位于所述均熱板和硅油基導(dǎo)熱墊片之間，所述硅油基導(dǎo)熱墊片的外圍設(shè)有一圈粘結(jié)膠，所述硅油基導(dǎo)熱墊片與所述均...

本發(fā)明提供了一種適用于導(dǎo)熱墊片的雙粘接劑FCBGA封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、芯片、熱界面材料、散熱蓋，所述散熱蓋與所述基板之間通過(guò)高模量膠以及低模量膠連接，所述高模量膠靠近所述基板的中心區(qū)域，所述低模量膠位于所述基板的邊緣位置，所述高模量膠用...

本發(fā)明提供了一種適用于導(dǎo)熱墊片的FCBGA封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、芯片、熱界面材料、散熱蓋，所述散熱蓋與所述基板之間設(shè)置有加強(qiáng)AD膠，所述加強(qiáng)AD膠位于所述散熱蓋與所述基板之間的間隙內(nèi)，所述加強(qiáng)AD膠貼近所述熱界面材料所在的位置。本發(fā)明通過(guò)...

本發(fā)明提供了一種基板嵌埋局部有機(jī)互聯(lián)橋的芯片高密度封裝方法，包括如下步驟：準(zhǔn)備臨時(shí)載板；在臨時(shí)載板上粘貼一層ABF材料，形成ABF層；將互聯(lián)橋?qū)Ь€層和聚酰亞胺層依次堆疊在ABF層上，實(shí)現(xiàn)互聯(lián)橋?qū)Ь€層的互聯(lián)；將臨時(shí)載板上的有機(jī)層切割為若干...

本實(shí)用新型提供了一種適用于FCBGA的封裝結(jié)構(gòu)，包括散熱蓋，所述散熱蓋呈帽狀結(jié)構(gòu)，包括帽體部和帽檐部，所述帽體部下表面與導(dǎo)熱凝膠TIM之間設(shè)置有多個(gè)凸臺(tái)；所述凸臺(tái)與導(dǎo)熱凝膠TIM連接處的TIM厚度小于未與導(dǎo)熱凝膠TIM連接處的TIM厚度...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種增強(qiáng)碳纖維熱界面材料界面熱傳導(dǎo)的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)從上往下依次為均熱板

本實(shí)用新型涉及微電子封裝技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種電子封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板、芯片、銦層、均熱板、防護(hù)壩；所述芯片焊接于所述基板的上表面；所述銦層與所述芯片的上表面相連；所述均熱板設(shè)有向下延伸的凸臺(tái)，所述凸臺(tái)的下表面與所述銦層的上表面相連；所述...

本實(shí)用新型提供了一種基板雙面嵌埋局部互聯(lián)橋的高密度封裝結(jié)構(gòu)，包括基板

本實(shí)用新型提供了一種新型POP芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：基板邏輯芯片，以倒裝的形式鍵合于所述基板的正面；在所述邏輯芯片的四周設(shè)置有第一焊球?qū)樱龅谝缓盖驅(qū)淤N裝在所述基板上；塑封層，設(shè)在基板上以將所述第一焊球?qū)雍瓦壿嬓酒M(jìn)行塑封，塑封層在第一...

本申請(qǐng)適用于功率器件封裝技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種用于引線鍵合的輔助夾具，包括第一夾板、第二夾板和設(shè)置于第一夾板和第二夾板之間的墊片；通過(guò)第一夾板夾持第一樣品基板，第二夾板夾持第二樣品基板，即可在引線鍵合機(jī)上進(jìn)行引線鍵合操作；鍵合完成后，可通...

本實(shí)用新型提供了一種基于轉(zhuǎn)接板雙面布置芯片的高密度封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、轉(zhuǎn)接板和芯片，所述芯片包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片通過(guò)第一微凸點(diǎn)與所述轉(zhuǎn)接板的正面互連，所述第二芯片通過(guò)第二微凸點(diǎn)與所述轉(zhuǎn)接板的背面互連，所述轉(zhuǎn)接板的背面通過(guò)...

本實(shí)用新型涉及電子封裝技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種三維堆疊封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板、多個(gè)無(wú)源器件、芯片、上塑封層、下塑封層以及電感；多個(gè)所述無(wú)源器件分別焊接于所述基板的上表面和所述基板的下表面；所述芯片與所述基板的下表面電連接；所述上塑封層與所述基...

本實(shí)用新型提供了一種實(shí)現(xiàn)雙面多芯片橫向互連的2.5D封裝結(jié)構(gòu)，涉及芯片封裝領(lǐng)域，包括基板，基板上設(shè)置有貫穿基板的第一導(dǎo)電體；設(shè)置在基板上、下表面的布線層，包括結(jié)構(gòu)相同的第一布線層和第二布線層，第一布線層包括二氧化硅層和光刻膠層，二氧化硅...

本發(fā)明提供了一種集成散熱微流道的基板制造方法，包括如下步驟：準(zhǔn)備芯材；制備形成芯材表面的導(dǎo)電層；在芯材表面加工出預(yù)設(shè)深度的凹槽；將兩塊加工好凹槽的芯材拼接為整體，兩者的凹槽對(duì)接形成微流道；在基板上開(kāi)孔；使用填充材料填充通孔，以將基板的兩...