本發(fā)明提供一種研磨液切換供給系統(tǒng)，包括：通過輸送管道依次連接的原料儲存單元、混合單元、供給單元，以及調(diào)配控制單元；原料儲存單元包括研磨原液儲存罐和氧化劑儲存罐，分別通過第一輸送管道、第二輸送管道連接至混合單元；調(diào)配控制單元包括流速控制器...

本申請屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提供一種聚焦深度測量方法，包括以下步驟：提供掩膜圖形和待測試件，掩膜圖形包括若干第一圖形和第二圖形，第一圖形與相鄰第二圖形之間的距離小于或等于第一距離；對待測試件曝光顯影將掩膜圖形轉(zhuǎn)移至待測試件上；根據(jù)第二圖形...

本發(fā)明提供一種接觸窗CD的調(diào)控方法，采用具有O?C?H鍵的光刻膠層，且在圖案化底部抗反射層時(shí)，在刻蝕腔室中通入CH<subgt;2</subgt;F<subgt;2</subgt;氣體，由于CH<subgt...

本發(fā)明提供高壓LDMOS器件及其形成方法，高壓LDMOS器件的形成方法通過先執(zhí)行刻蝕工藝，刻蝕相鄰漂移區(qū)之間的高壓阱區(qū)，以在高壓阱區(qū)內(nèi)形成溝槽；接著執(zhí)行HTO工藝，形成柵極氧化層，柵極氧化層填充溝槽并覆蓋硬掩模層；接著采用化學(xué)機(jī)械研磨工...

本發(fā)明提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法通過先執(zhí)行第一刻蝕工藝，刻蝕輸入輸出器件區(qū)的硬掩模層和多晶硅層，以形成第一溝槽；再執(zhí)行第二刻蝕工藝，同時(shí)刻蝕核心器件區(qū)和輸入輸出器件區(qū)的硬掩模層、多晶硅層、第一柵極氧化層和第二柵極氧...

本發(fā)明公開了一種改善電漿集中環(huán)表面粗糙度的方法及應(yīng)用，包括步驟一：引入第一刻蝕氣體刻蝕表面粗糙的電漿集中環(huán)的粗糙表面，所述電漿集中環(huán)為單晶硅材質(zhì)，所述第一刻蝕氣體為四氟化碳，所述第一刻蝕氣體的流量為200～400sccm；步驟二：清除所...

本發(fā)明提供一種具有空氣隙的互連結(jié)構(gòu)及其制作方法，包括：圖案化掩膜層，以顯露出電介質(zhì)結(jié)構(gòu)的第一預(yù)設(shè)區(qū)域以及第一預(yù)設(shè)區(qū)域以內(nèi)的第一導(dǎo)電特征；基于圖案化的掩膜層，通過濕法刻蝕工藝選擇性去除第一預(yù)設(shè)區(qū)域以內(nèi)的第一介質(zhì)層，形成含釕擴(kuò)散阻擋層作為側(cè)...

本發(fā)明提供一種輸送系統(tǒng)及其控制方法、半導(dǎo)體制造設(shè)備，輸送系統(tǒng)的控制方法包括：獲取天車的運(yùn)行時(shí)間，基于運(yùn)行時(shí)間，得到一預(yù)設(shè)時(shí)間；在當(dāng)批晶圓完成加工并到達(dá)解鎖位之前，提前預(yù)設(shè)時(shí)間向天車發(fā)送呼叫信號；基于呼叫信號，天車由待車位向解鎖位運(yùn)行，并...

本發(fā)明提供的一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中形成有溝槽，所述溝槽內(nèi)壁設(shè)置有不摻雜硼的第一SiGe填充層，所述第一SiGe填充層上設(shè)置有摻雜硼的SiGe填充區(qū)，所述第一SiGe填充層設(shè)置在所述溝槽的兩側(cè)側(cè)壁的尖角以及所述溝...

本發(fā)明提供了一種版圖缺陷修正的方法及系統(tǒng)、掩膜版，屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。該版圖缺陷修正的方法包括提供一版圖。篩選出同時(shí)存在于第一區(qū)域和第二區(qū)域的目標(biāo)圖形。基于所述密集圖形和孤立圖形，獲取所述目標(biāo)圖形的過渡區(qū)域。對與目標(biāo)圖形相鄰的兩個(gè)圖形的線端...

本發(fā)明公開了一種OPC模型構(gòu)建方法及裝置、存儲介質(zhì)和終端，其中方法包括對測試掩模進(jìn)行光學(xué)曝光模擬以獲取初步模擬數(shù)據(jù)，基于第一篩選條件對初步模擬數(shù)據(jù)中單元圖案進(jìn)行篩選獲取初步單元圖案信息；獲取基于初步單元圖案信息所建立的初步機(jī)臺量測程式，...

本發(fā)明提供了一種層間介質(zhì)層的形成方法，包括：提供襯底，其包括第一區(qū)及第二區(qū)，第一區(qū)的柵極結(jié)構(gòu)的密度大于第二區(qū)的柵極結(jié)構(gòu)的密度；形成第一介電層順形地覆蓋襯底表面及柵極結(jié)構(gòu)外壁的停止層表面，且第一區(qū)的柵極結(jié)構(gòu)間的第一介電層保留有開口的第一間...

公開了一種多晶硅柵極薄膜結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體加工方法、晶圓及半導(dǎo)體集成電路。多晶硅柵極薄膜結(jié)構(gòu)包括：帶有浮柵層的襯底；第一多晶硅層，布置于浮柵層上；氧化層，布置于第一多晶硅層上，氧化層充當(dāng)化學(xué)機(jī)械研磨的停止層；以及第二多晶硅層，布置于氧化層上，...

本發(fā)明提供一種高壓電荷泵的三維電容結(jié)構(gòu)及其制備方法，包括：MOS電容，包括襯底、第一電容介質(zhì)及多晶硅電極；三維垂直天生電容，包括垂直堆疊的至少兩個(gè)電容層，每個(gè)電容層包括間隔排布的多個(gè)第一金屬電極板和第二金屬電極板，相鄰兩個(gè)第一金屬電極板...

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法，包括以下步驟：提供一第一導(dǎo)電類型襯底并于其上表層形成第一導(dǎo)電類型阱區(qū)，于阱區(qū)上表面形成包括依次層疊的柵介質(zhì)層及柵極層的柵極結(jié)構(gòu)；于阱區(qū)上表面形成覆蓋柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的保護(hù)層及覆蓋保護(hù)層遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的...

本發(fā)明提供一種鰭式場效晶體管的單擴(kuò)散隔離方法，包括：于襯底上形成環(huán)形半導(dǎo)體鰭體；通過刻蝕工藝在環(huán)形半導(dǎo)體鰭體中形成單擴(kuò)散隔離溝槽以隔離出多個(gè)半導(dǎo)體鰭體單元；于半導(dǎo)體鰭體單元的頂面、四周側(cè)面和襯底表面形成保護(hù)層；通過刻蝕去除所需切除的半導(dǎo)...

本發(fā)明提供一種光源掩模協(xié)同優(yōu)化方法，包括以下步驟：準(zhǔn)備需要做SMO的圖形，決定圖形的最小周期，并提供光罩資訊；建立光學(xué)模型；利用建立好的光學(xué)模型，基于最小周期、光罩資訊進(jìn)行初步的光源掩模協(xié)同優(yōu)化，得到初步優(yōu)化的光源形態(tài)與優(yōu)化過的光罩關(guān)鍵...

本發(fā)明提供了一種版圖優(yōu)化方法及系統(tǒng)，屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。該版圖優(yōu)化方法包括提供初始版圖，所述初始版圖包括若干分立排布的主圖形；篩選所述主圖形中的目標(biāo)圖形，所述目標(biāo)圖形包括第一目標(biāo)圖形和第二目標(biāo)圖形。獲取輔助圖形的添加規(guī)則，在所述第一目標(biāo)圖形...

本發(fā)明提供了一種OPC后的檢測模型及其建立方法、優(yōu)化OPC驗(yàn)證的方法，所述OPC后的檢測模型的建立方法，包括：獲取OPC后的第一樣品圖形，第一樣品圖形在光刻后容易出現(xiàn)光刻膠頂部形貌失真；獲取第一樣品圖形的光學(xué)模型及對應(yīng)的失真等級；對光學(xué)...

本發(fā)明提供一種降低光學(xué)鄰近效應(yīng)修正時(shí)間的方法，包括以下步驟：提供初始目標(biāo)圖形，對初始目標(biāo)圖形進(jìn)行OPC修正，得到初始目標(biāo)圖形的修正掩膜板，將初始目標(biāo)圖形的修正掩膜板與初始目標(biāo)圖形進(jìn)行對比，得到偏差表；提供待修正目標(biāo)圖形，待修正目標(biāo)圖形與...