本發明提供了一種平面嵌入式硅膜電容壓力傳感器及其制造方法。本發明的傳感器的硅膜下面的空腔是從硅片的正面掏空硅體而形成的密封腔體，電容器的電極分別做在腔體內硅膜的下表面和腔體的底面上，電容器的上下電極和硅膜由絕緣介質所隔離和支撐。它是采用...

本發明提供了一種單面加工硅梁壓阻加速度傳感器及其制造方法，該傳感器的特點是具有起質量塊作用的硅膜的二條或四條對稱分布的硅梁水平跨接在局部掏空的硅片上并由其硅片所支撐，其形成的主要步驟為：ａ、采用外延、擴散或離子注入技術提供制作硅梁和硅膜...

本發明提供了一種正面加工硅膜壓阻壓力傳感器及其制造方法，該傳感器的特點是硅膜下的空腔是從襯底硅體內鏤空形成的空腔腔體，它的形成步驟ａ、在襯底硅膜設計區的下方及兩側進行重摻雜，形成連通的低阻區；ｂ、采用陽極氧化技術，使低阻區的硅轉變成多孔...

本發明涉及一種集成硅膜熱流量傳感器及其制造方法，該傳感器的特點是采用隔熱作用的硅膜，硅膜懸在將硅片局部挖空而形成的空腔上，并由腔體壁所支撐，用作加熱器的硅電阻器和熱探測器的Ｓｉ／Ａｌ熱偶堆分別制作在硅膜上。硅膜是采用擴散或離子注入、硅外...