本技術(shù)公開(kāi)了一種SBD器件定位封裝結(jié)構(gòu)，其包括：定位塊、SBD芯片、注塑封裝基體、第一引腳和第二引腳，所述定位塊設(shè)置在注塑封裝基體中，所述定位塊正面內(nèi)凹設(shè)置有與SBD芯片對(duì)應(yīng)的開(kāi)口，所述SBD芯片設(shè)置在開(kāi)口中，所述定位塊的頂部間隔設(shè)置有...

本技術(shù)公開(kāi)了一種惰性保護(hù)氣體噴淋裝置，其包括：噴淋管、送氣管、第一封堵板和第二封堵板，所述送氣管同心設(shè)置在水平放置的噴淋管中，所述第一封堵板設(shè)置在噴淋管的尾部并進(jìn)行送氣管的封堵，所述第二封堵板設(shè)置在噴淋管的前端，所述送氣管的前端貫穿第二...

本技術(shù)公開(kāi)了一種探針臺(tái)用PCB板快速固定裝置，其包括：固定座、轉(zhuǎn)銷、螺紋壓桿和壓板，所述壓板設(shè)置在固定座中，所述固定座底部設(shè)置有位于壓板下方的第一避讓槽，所述轉(zhuǎn)銷可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置在壓板兩端并向下延伸，所述固定座中設(shè)置有與轉(zhuǎn)銷對(duì)應(yīng)的導(dǎo)套，所述...

本技術(shù)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體均勻加熱裝置，其包括：工作臺(tái)、加熱箱、加熱板、導(dǎo)熱罩和半導(dǎo)體載臺(tái)，所述加熱箱設(shè)置在工作臺(tái)上，所述工作臺(tái)上設(shè)置有位于加熱箱中的隔熱板，所述加熱板設(shè)置在隔熱板上，所述導(dǎo)熱罩可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置在加熱板上方，所述半導(dǎo)體載臺(tái)設(shè)置在...

本技術(shù)公開(kāi)了一種晶圓自定位夾持運(yùn)載裝置，其包括：固定座、滑座、第一導(dǎo)向桿、第二導(dǎo)向桿、第一運(yùn)載塊和第二運(yùn)載塊，所述滑座可橫移地設(shè)置在固定座上，所述第一運(yùn)載塊和第二運(yùn)載塊可縱向移動(dòng)地相對(duì)設(shè)置在滑座上，所述第一運(yùn)載塊和第二運(yùn)載塊上分別內(nèi)凹設(shè)...

本技術(shù)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件定位工裝，其包括：平板、旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置、轉(zhuǎn)軸、齒條和托板，所述平板中水平設(shè)置有通孔，所述轉(zhuǎn)軸設(shè)置在通孔中，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置設(shè)置在平板的一側(cè)并與轉(zhuǎn)軸相連接，所述平板的頂面內(nèi)凹設(shè)置有位于通孔上方的定位槽，所述定位槽底...

本發(fā)明公開(kāi)了一種n層堆疊LDMOS器件及其制備方法，該器件包括基底及SiO<subgt;2</subgt;層，基底包括P型襯底Ⅰ，以及由下至上依次交叉堆疊的N型漂移區(qū)和P型襯底Ⅱ，每層N型漂移區(qū)的上表面均設(shè)置有P?top區(qū)和...

本發(fā)明公開(kāi)了一種高壓快速軟恢復(fù)二極管及其制備方法，所述二極管包括由下至上依次設(shè)置的陰極、緩沖層、N?型襯底、陽(yáng)極，所述陰極包括陰極N+區(qū)、陰極P+區(qū)、輕摻雜N?區(qū)，所述輕摻雜N?區(qū)位于陰極P+區(qū)上方，且與陰極N+區(qū)及緩沖層相接。本發(fā)明通...

本發(fā)明公開(kāi)了一種雪崩耐量可調(diào)的續(xù)流二極管及其制備方法，所述續(xù)流二極管包括表面金屬、SiO<subgt;2</subgt;初氧層、P型分壓環(huán)、發(fā)射極P區(qū)、P型EAS可調(diào)結(jié)構(gòu)、N?型襯底以及底部金屬，所述SiO<subgt...

本技術(shù)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體芯片定位封裝結(jié)構(gòu)，其包括：半導(dǎo)體芯片、封裝基體、限位塊和引腳，所述封裝基體設(shè)置在限位塊的上方，所述半導(dǎo)體芯片設(shè)置在封裝基體中，所述引腳間隔設(shè)置在限位塊中，所述引腳的頂部延伸至封裝基體中并與半導(dǎo)體芯片相連接，所述引腳...

本發(fā)明公開(kāi)了一種高壓平面肖特基二極管及其制備方法，所述肖特基二極管包括表面金屬、SiO<subgt;2</subgt;初氧層、肖特基勢(shì)壘金屬層、P型組合分壓環(huán)、N?型襯底及底部金屬，所述SiO<subgt;2</...

本技術(shù)公開(kāi)了一種高效SVG顯影裝置，其包括：機(jī)殼、第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置、第一轉(zhuǎn)盤、第二轉(zhuǎn)盤、顯影液噴頭和純水噴頭，所述第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置設(shè)置在機(jī)殼內(nèi)腔底部，所述第一轉(zhuǎn)盤水平設(shè)置在第一旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置的頂部輸出端，所述第一轉(zhuǎn)盤頂面中部豎向設(shè)置有隔板...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種避免引腳變形的

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種有利于散熱的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包括：絕緣封裝基體

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種被動(dòng)解鎖的半導(dǎo)體器件鎖定裝置，其包括：固定座、墊塊、滑動(dòng)鎖塊和被動(dòng)輪，所述墊塊水平設(shè)置在固定座上，所述滑動(dòng)鎖塊可橫移地設(shè)置在墊塊兩側(cè)，所述固定座邊緣設(shè)置有向上延伸并位于滑動(dòng)鎖塊后方的擋塊，所述滑動(dòng)鎖塊背面設(shè)置有向貫穿...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件嵌入式定位載具，其包括：定位塊、頂桿、浮板、撥叉和底座，所述定位塊設(shè)置在底座上方，所述定位塊頂面內(nèi)凹設(shè)置有嵌入槽，所述浮板可升降地設(shè)置在嵌入槽中，所述定位塊底部?jī)?nèi)凹設(shè)置有與嵌入槽連通的凹槽，所述浮板底部設(shè)置...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種防漏氣的單晶硅片真空加熱裝置，其包括：真空加熱箱、電加熱管、密封圈和接頭，所述真空加熱箱頂部設(shè)置有密封板，所述密封板上間隔設(shè)置有與電加熱管一一對(duì)應(yīng)的安裝孔，所述安裝孔上方設(shè)置有安裝座，所述安裝座頂面內(nèi)凹設(shè)置有與安裝孔...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種半導(dǎo)體晶片氧化爐用保護(hù)氣體布?xì)庋b置，其包括：布?xì)夤堋⑦M(jìn)氣管接頭和布?xì)庹郑鲞M(jìn)氣管接頭設(shè)置在水平放置的布?xì)夤苌希霾細(xì)庹衷O(shè)置在布?xì)夤艿南路剑⒀夭細(xì)夤艿拈L(zhǎng)度方向延伸，所述布?xì)庹值膬啥朔謩e設(shè)置有與布?xì)夤芡鈭A相連接的第...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件無(wú)損測(cè)試裝置，其包括：轉(zhuǎn)盤、轉(zhuǎn)盤驅(qū)動(dòng)裝置、半導(dǎo)體器件載具、測(cè)試插頭、壓觸開(kāi)關(guān)和導(dǎo)套，所述轉(zhuǎn)盤水平設(shè)置在轉(zhuǎn)盤驅(qū)動(dòng)裝置上，所述半導(dǎo)體器件載具環(huán)形陣列分布在轉(zhuǎn)盤上，所述導(dǎo)套對(duì)稱設(shè)置在半導(dǎo)體器件載具上，所述升降驅(qū)動(dòng)...