本發(fā)明公開了一種降低缺陷密度的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制作方法，包括：在襯底上生長BNO緩沖層；在BNO緩沖層上依次生長B<subgt;x</subgt;Al<subgt;(1－x)</subgt;NO的第一過渡層和Ga&l...

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明公開了一種減少晶圓應(yīng)力的晶圓結(jié)構(gòu)和芯片顆粒排布光罩設(shè)計(jì)方法，晶圓結(jié)構(gòu)包括襯底、形成于襯底上的若干芯片顆粒，相鄰芯片顆粒的切割道寬度為W，所述芯片顆粒沿所述襯底橫向排布的長度A小于沿所述襯底縱向排布的寬度B，以使所...

本發(fā)明公開了一種減少晶格適配的發(fā)光二極管制作方法，包括：在襯底上生長BNO緩沖層；在所述BNO緩沖層上生長過渡層；在所述過渡層上生長GaN外延層。本發(fā)明還公開了一種減少晶格適配的發(fā)光二極管。本發(fā)明還公開了一種減少晶格適配的發(fā)光二極管，包...

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體芯片及半導(dǎo)體晶圓，所述半導(dǎo)體芯片包括芯片本體、外電極，所述芯片本體和所述外電極之間還形成有緩沖電極，所述緩沖電極包括拉應(yīng)力層，所述拉應(yīng)力層由多層大熱膨脹系數(shù)金屬層與小熱膨脹系數(shù)金屬層依次交錯堆疊而成，以抵消至少部分...

本發(fā)明公開了一種具有PAD保護(hù)層的LED芯片，包括芯片本體、形成于所述芯片本體上的PAD電極，以及防水抗腐蝕的保護(hù)層，所述PAD電極具有底層電極和頂層電極，所述PAD電極的底層電極形成于所述芯片本體上并與所述芯片本體中的內(nèi)電極物理及電連...

本發(fā)明公開一種發(fā)光器件的制備方法，包括：提供至少一個發(fā)光芯片；將所述至少一個發(fā)光芯片通過具有多個通孔的多孔結(jié)構(gòu)層吸附轉(zhuǎn)移至目標(biāo)載體上；向所述多個通孔內(nèi)填充混合膠，所述混合膠包括色轉(zhuǎn)換材料；固化所述混合膠，以使得所述發(fā)光芯片的出光面與多孔...

本發(fā)明公開了一種有光導(dǎo)層的LED芯片，包括外延層、光導(dǎo)層、反射層，外延層上形成有出光面，反射層位于外延層遠(yuǎn)離出光面的一側(cè)并具有朝向外延層的第一層材料層，光導(dǎo)層位于反射層和外延層之間且與反射層相連，光導(dǎo)層的折射率大于第一層材料層的折射率，...

本發(fā)明公開了一種Micro?LED顯示模塊的制作方法以及顯示模塊，包括：提供生長有多個發(fā)光單元的襯底；在發(fā)光單元的頂部形成第一電極，第一電極還延伸至發(fā)光單元的側(cè)壁上；在發(fā)光單元之間形成將多個發(fā)光單元連接在一起的封裝結(jié)構(gòu)，封裝結(jié)構(gòu)包裹第一...

本發(fā)明公開一種轉(zhuǎn)移載板，包括：氮化鎵支撐體，氮化鎵支撐體具有多個通孔，通孔由氮化鎵支撐體的第一面延伸至與第一面相對的第二面，通孔位于第一面上的孔口為通孔出口，通孔位于第二面上的孔口為通孔入口；氮化鎵支撐體中至少一個通孔對應(yīng)的一個通孔入口...

本發(fā)明公開了一種散熱性能高的激光芯片制作方法及激光芯片，包括：在襯底上沉積第一金剛石膜；在第一金剛石膜上沉積激光外延層，將沉積有激光外延層的襯底解理成巴條，在出光面上沉積第二金剛石膜以將第二金剛石作為腔面透射膜，在背光面上沉積第三金剛石...

本發(fā)明公開一種芯片，芯片包括透光襯底以及設(shè)于透光襯底上的外延層，外延層上還設(shè)置有第一電極和第二電極，第一電極和第二電極沿芯片的長度方向布置，外延層上除第一電極和第二電極所在的區(qū)域外的其他區(qū)域上還設(shè)置有反射層，透光襯底的底部設(shè)置有倒角且倒...

本發(fā)明公開了一種LED芯片，所述LED芯片形成電極的第一面分別形成有P電極、N電極以及連通電極，所述連通電極將所述P電極和N電極連接在一起，且所述連通電極的熔點(diǎn)高于所述N電極和P電極的熔點(diǎn)。本發(fā)明還公開了一種LED芯片的固晶方法，將LE...

本發(fā)明公開了一種高散熱的反射結(jié)構(gòu)，包括多個材料層，材料層包括多個第一材料層和多個第二材料層，第一材料層和第二材料層的二者之一為高折射率材料層，二者另一為低折射率材料層，多個第一材料層和多個第二材料層交替堆疊以形成反射單元，反射單元包括上表面

本發(fā)明公開一種發(fā)光芯片制作方法，通過在生長襯底上生長出包括有逐漸遠(yuǎn)離生長襯底且依次層疊的蝕刻層

本發(fā)明公開一種芯片分選方法，從同一晶圓上取晶時，在同一取晶軌跡下，按照連續(xù)的兩次取晶的芯片位于該晶圓上相鄰的行和

本實(shí)用新型發(fā)光結(jié)構(gòu)及顯示裝置，包括在襯底和在所述襯底上生長的LED外延結(jié)構(gòu)，所述LED外延結(jié)構(gòu)上設(shè)有凹槽，所述凹槽將所述LED外延結(jié)構(gòu)分隔成發(fā)光部和至少兩個支撐部，所述支撐部相對所述發(fā)光部對稱設(shè)置，所述LED外延結(jié)構(gòu)上設(shè)有電極；本實(shí)用新...

本發(fā)明公開了一種轉(zhuǎn)移載板，用于可選擇地轉(zhuǎn)移芯片，轉(zhuǎn)移載板的第一面上設(shè)有光敏膠層并包括光波導(dǎo)片，光波導(dǎo)片的出光面上具有若干可輸出預(yù)設(shè)光且獨(dú)立可控的出光位置，轉(zhuǎn)移載板的第一面設(shè)有對預(yù)設(shè)光敏感的光敏膠層，出光位置輸出的預(yù)設(shè)光從轉(zhuǎn)移載板的第一面...

本發(fā)明涉及LED芯片制備技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種LED芯片的制備方法及LED芯片。制備方法包括：提供一LED晶圓，所述LED晶圓包括生長襯底、發(fā)光結(jié)構(gòu)和電極層；提供一支撐襯底；將所述電極層鍵合至所述支撐襯底；去除所述生長襯底，使所述發(fā)光結(jié)構(gòu)...

本發(fā)明公開一種發(fā)光芯片制作方法，通過在基底上生長出分布有V型坑的外延層，然后在V型坑中填充光色轉(zhuǎn)換材料，在外延層遠(yuǎn)離基底的一面裝設(shè)LED芯片，通過LED芯片發(fā)出第一光色的光，再由光色轉(zhuǎn)換材料將第一光色的光轉(zhuǎn)換成第二光色的光，實(shí)現(xiàn)了利用第...

本發(fā)明公開一種LED芯片檢測分選方法，包括：提供制備有LED芯片的襯底、載膜以及一側(cè)表面設(shè)有第一粘膠層的轉(zhuǎn)移載板；將襯底置于載膜上，使襯底制備有LED芯片的一面背離載膜，并將襯底分割以獲得獨(dú)立的LED芯片；檢測載膜上的LED芯片以獲得檢...