在一個總的方面，本發明提供了一種裝置，該裝置可包括半導體區以及限定在所述半導體區內的槽。所述槽可具有沿著豎向軸線對齊的深度并具有沿著與所述豎向軸線正交的縱向軸線對齊的長度。所述槽可具有包括在所述半導體區的端接區中的長度的第一部分，并可具...

本發明涉及具有厚溝槽底部氧化物的MOSFET器件。披露了一種裝置，包括基板；位于基板上且具有第一導電類型的外延層；位于外延層中的第一溝槽；位于第一溝槽中的溝槽氧化物，具有位于溝槽氧化物的柵極部分下方的溝槽底部氧化物部分；位于第一溝槽旁側...

一種功率整流器件，包括：包括n?型導電性的碳化硅的漂移層；設置在所述漂移層上的肖特基電極，所述肖特基電極和所述漂移層的表面提供肖特基接觸。所述功率整理器件還可以包括設置在所述肖特基電極下面的p?型區域陣列。

本申請案涉及一種功率轉換器及一種電子裝置。所述功率轉換器包含負載檢測器、處理器及功率控制塊。所述負載檢測器經配置以在未接收到從耦合到所述功率轉換器的電子裝置傳達的指示所述電子裝置的負載值的改變的消息的情況下確定所述負載值的所述改變，且確...

本發明公開了一種箝位電路及箝位電壓的方法，該箝位電路包括：第一開關控制單元，包括控制端以及第一開關端和第二開關端，其中，控制端和第一開關端耦接至比較器的第一級輸出的高電勢端，并且其中，第一開關控制單元被配置為在高電勢端的電壓低于第一預定...

本發明涉及雙側冷卻集成功率裝置封裝和模塊及其制造方法。本發明提供一種集成功率裝置模塊，其具有：引線框架結構，其具有第一和第二分隔墊以及位于所述第一與第二墊之間的一個或一個以上共同源極?漏極引線；第一和第二晶體管，其分別以倒裝芯片形式附接...

本發明提供了一種默認用有效的電池電源為電子設備供電的電路和方法。在示例中，電路可以被配置為：接收與電池電源(例如，內部電池)有關的信息，如，電池電源電壓(V

在至少一個一般方面，本發明提供了一種SiC器件及其制造方法，所述SiC器件可包括第一導電類型的漂移區、屏蔽體和肖特基區。所述SiC器件可包括至少部分地圍繞所述屏蔽體和所述肖特基區的具有第二導電類型的邊緣。所述SiC器件可包括至少部分地圍...

本發明公開了一種裝置，所述裝置包括具有引線接合裝置(210)、測量裝置(215)和剔除裝置(220)的引線接合器系統。所述引線接合裝置(210)被構造為將引線接合型電互連件附接到電子組件。引線接合在第一半導體裝置和第二電子裝置之間形成，...

本發明涉及高壓金屬氧化物半導體器件及其形成方法。在一般方面，高壓金屬氧化物半導體(HVMOS)器件可包括設置在所述HVMOS器件的溝道區上的第一柵極電介質層和設置在所述HVMOS器件的漂移區的至少一部分上的第二柵極電介質層。所述漂移區可...

本發明涉及半導體部件之間的隔離。在一些一般方面，一種裝置可包括設置為鄰近第一引線框部分的第一半導體管芯、設置為鄰近第二引線框部分的第二半導體管芯，以及耦接到所述第一半導體管芯和所述第二半導體管芯的電容性隔離電路。所述電容性隔離電路可設置...

本發明涉及自配置裝置及自動配置電子設備的方法。該自配置裝置包括：檢測電路，被配置為從識別寄存器接收數字值，并且使用所述數字值來確定在音頻或視頻插頭的導電端子處的分離附屬設備的第一電阻值；以及控制邏輯電路，被配置將所述數字值存儲在所述識別...

本發明涉及檢測附屬設備的電子電路及控制其操作的方法。該電子電路包括：檢測電路，被配置為從識別寄存器接收數字值，并且使用所述數字值來確定音頻或視頻插頭的導電端子處的電阻；以及控制邏輯電路，被配置將所述數字值存儲在所述識別寄存器中，并且為當...

本申請涉及分立器件中的負載平衡。在一般方面，本發明公開了一種設備，所述設備可包括溫度測量電路和溫度比較電路，所述溫度測量電路被配置成生成指示第一半導體器件的第一操作溫度的第一信號，所述溫度比較電路可操作地與所述溫度測量電路聯接。所述溫度...

本發明涉及一種無結絕緣柵電流限制器裝置。在一個總體方面，設備可包括半導體襯底，以及限定在所述半導體襯底內并具有沿著垂直軸對齊的深度、沿著縱軸對齊的長度和沿著水平軸對齊的寬度的溝槽。所述設備包括設置在所述溝槽內的電介質，以及設置在所述電介...

本發明公開了一種半導體組件，尤其公開了一種電源模塊半導體組件，其包括柔性電路板以及制造這樣的組件的方法。半導體組件包含柔性電路板，在柔性電路板的上表面的第一部分上的導電薄膜，在柔性電路板的上表面的第二部分上的焊盤，在柔性電路板的底面的一...

在一個總的方面，本發明提供了一種裝置，該裝置可包括半導體區以及限定在所述半導體區內的槽。所述槽可具有沿著豎向軸線對齊的深度并具有沿著與所述豎向軸線正交的縱向軸線對齊的長度。所述槽可具有包括在所述半導體區的端接區中的長度的第一部分，并可具...

本發明涉及輸入電力保護。在一個總體方面，提供一種設備，該設備可包括輸入端、輸出端和接地端。所述設備還可包括耦接在所述輸入端與所述輸出端之間的過電流保護器件。所述設備還可包括耦接在所述輸出端與所述接地端之間的熱分流器件，所述熱分流器件被配...

本發明描述了制備半導體結構、功率半導體器件及屏蔽柵極MOSFET器件的方法。制備半導體結構的方法包括：提供半導體襯底；在所述襯底上提供外延層，所述外延層包括底部和上部，所述底部包含在整個所述底部上基本上恒定的第一濃度的第一導電型摻雜物，...

本發明涉及包括電流限制器的方法和設備。在一個總體方面，所述設備可包括負載端和電源端。所述設備可包括耦接至所述負載端并耦接至所述電源端的電流限制器。所述電流限制器可被配置為使用響應于在所述電源端與所述負載端之間的電壓差所激活的電場，限制從...