本發明公開了一種垂直LED芯片的測試方法，涉及半導體技術領域，包括以下步驟：將第一承載膜貼合到承載環上，并在第一承載膜上至少開設3個孔洞；將晶圓片貼合到第一承載膜上，孔洞顯露出晶圓片的背面；切割晶圓片的正面，形成若干垂直LED芯片測試單...

本發明公開了一種深紫外LED芯片的制備方法及深紫外LED芯片，包括：在襯底上生長AlN緩沖層和第一AlGaN層；在第一AlGaN層上沉積金屬薄膜，得到深紫外LED生長模板；對深紫外LED生長模板進行高溫快速退火，將金屬薄膜轉化為若干個金...

本發明公開了一種Micro?LED區塊及其制備方法、顯示裝置，所述Micro?LED區塊包括襯底及設置在所述襯底上的多個間隔分布的Micro?LED單元，多個間隔分布的所述Micro?LED單元具有厚度差，不同Micro?LED單元之間...

本發明公開了一種垂直結構LED芯片及其制造方法，涉及半導體技術領域，所述制造方法包括外延生長、第一輪光刻加工、共晶鍵合、襯底剝離、第二輪光刻加工和芯片分割；其中，襯底剝離后獲得預處理結構，N?GaN層顯露于所述預處理結構的表面；所述第二...

本發明公開了一種晶圓測試方法、裝置及設備，所述晶圓測試方法包括以下步驟：將待測晶圓固定在測試平臺上；將所述待測晶圓分為若干個檢測區域，獲取不同檢測區域相對于置零位置處的厚度偏差；根據不同檢測區域的厚度偏差獲得測試平臺的高度補償值；根據測...

本發明公開了一種Micro?LED微顯示陣列及其制備方法，涉及半導體技術領域，包括：第一應力釋放組層，第一應力釋放組層包括依次層疊的第一Ti層（厚度為A<subgt;1</subgt;）、第一Pt層（厚度為B<subg...

本發明公開了一種Mini?LED芯片的分選方法，包括以下步驟：提供多個晶圓，每個所述晶圓包括多個芯片；按照一次分選標準將每個晶圓的芯片劃分為多個一級子BIN，抓取相同一級子BIN的芯片排列，得到多個一次分選方片；所述一次分選標準為芯片的...

本技術的Micro?LED顯示面板，包括基板，所述基板上設有若干Micro?LED芯片、所述Micro?LED芯片下方設有反射層，所述Micro?LED芯片四周以及相鄰所述Micro?LED芯片之間設有白色絕緣擋光層，所述白色絕緣擋光層...

本發明公開了一種LED芯片分選方法和系統，涉及發光二極管技術領域。其中，LED芯片的分選方法包括：提供晶圓和多個轉移載體，所述晶圓包括多個分割后的LED芯片；測試所述LED芯片，并根據測試信息將所述LED芯片分級；將LED芯片轉移到轉移...

本發明公開了一種高亮度LED芯片及其制備方法，涉及半導體技術領域，外延層的四周成型有第一溝槽，中心區域成型有第二溝槽；第一溝槽延伸至襯底，第二溝槽延伸至N型GaN層內；P型GaN層上設置有ITO透明導電層，沿著第一溝槽、ITO透明導電層...

本發明公開了一種AlGaN基深紫外LED芯片及其制備方法，涉及半導體技術領域，AlGaN基深紫外LED芯片包括外延片、以及設置在外延片上的p型電極和n型電極，n型電極上設置有疊層結構，疊層結構包括依次層疊設置在n型電極上的ITO層、第一...

本發明公開了一種Micro?LED顯示面板及其制備方法，所述制備方法包括以下步驟：(1)提供半導體發光結構；(2)在半導體發光結構上制備電流擴展層、第一金屬反射層和第一鍵合層；(3)提供驅動基板，驅動基板表面間隔設有第二鍵合層；(4)將...

本發明公開了一種Micro?LED顯示裝置的制備方法，包括以下步驟：(1)提供Micro?LED發光結構，包括依次層疊的襯底、N型半導體層、發光層和P型半導體層，在所述襯底背面制備應力補償層；(2)在所述P型半導體層上制備電流擴展層、第...

本發明公開了一種LED芯片，涉及半導體技術領域，所述LED芯片包括網格狀ITO透明導電層、網格狀銀金屬保護層、網格狀金屬導電層和網格狀焊盤金屬層；所述網格狀ITO透明導電層、所述網格狀銀金屬保護層、所述網格狀金屬導電層和所述網格狀焊盤金...

本發明公開了一種GaN基藍綠光LED外延結構，涉及半導體光電器件領域。其中，GaN基藍綠光LED外延結構包括襯底和依次層疊于所述襯底上的緩沖層、位錯調控層、U?GaN層、N?GaN層、多量子阱層、電子阻擋層和P?GaN層；其中，所述位錯...

本發明公開了一種倒裝LED芯片陣列及其制備方法，涉及發光二極管技術領域。制備方法包括以下步驟：(1)將倒裝LED芯片的襯底一側固定到膠膜層上，得到芯片陣列；(2)將芯片陣列的焊盤焊接到封裝基板的焊點上；剝離膠膜層，得到焊接陣列；(3)去...

本發明公開了一種高可靠性LED及其制備方法，涉及發光二極管技術領域。制備方法包括：提供外延片，形成光刻膠層；將光刻膠層曝光顯影形成具有底切部的第一孔洞，在第一孔洞中形成至少一層第一金屬層；在60℃～120℃烘烤5min～15min，以使...

本發明公開了一種同時激發出雙色光譜的外延結構及其制備方法，其中，多量子阱層包括依次生長于電子注入層上的第一量子層、第二量子層和第三量子層；第一量子層為3?10個周期的In<subgt;x1</subgt;Ga<subg...

本技術公開了一種LED芯片分選用承載裝置，包括承載環和基座環，承載環和基座環固定連接，承載環位于基座環上，承載環沿著自身的厚度方向貫穿設置有多個通氣孔，基座環的內部設置有環形空腔，多個通氣孔和環形空腔連通；基座環的底部設置有至少一個螺紋...

本發明公開了一種LED器件的多層全介質膜層襯底及制備方法，所述LED器件的多層全介質膜層襯底包括：襯底、設置在襯底上的多層全介質膜層，覆蓋在在所述多層全介質膜層上的外延層；所述多層全介質膜層包括若干個子介質層單元，任一所述子介質層單元包...