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    高橋研專利技術

    高橋研共有10項專利

    • 目的在于提供更高感度地進行磁信號重放的磁阻元件的制造方法。本發(fā)明的磁阻元件的制造方法,其特征是具有以下的工序:使制作非磁性體層和強磁性體層的成膜室內達到的真空度減壓至大約10↑[-9]托以下的工序;在上述成膜室內導入至少含有氧和水的氣體...
    • 一種磁性薄膜,其特征在于:該磁性薄膜是用對向靶式DC噴鍍法,依據氮氣的反應性噴鍍,在基板上形成由氮化鐵薄膜。
    • 本發(fā)明提供一種強磁性金屬層的標準化矯頑磁力較高,同時可適應具有優(yōu)良的媒體S/N比的高記錄密度化的磁記錄媒體。矯本發(fā)明的磁記錄媒體特征在于:在基體上通過金屬底層形成Co基強磁性金屬層,在利用上述金屬底層及上述強磁性金屬層的氧氣濃度為100...
    • 本發(fā)明提供一種強磁性金屬層的矯頑磁力、各向異性磁場或/和標準化矯頑磁力均較強、能適應于高密度記錄的磁記錄媒體。該磁記錄媒體在基體上通過由Cr構成的金屬底層而設置了至少包含Co和Cr,并利用磁通量反轉,其特征在于:在構成該強磁性金屬層的晶...
    • 本發(fā)明是一種以鈷(Co)、鉻(Cr)以及鍺(Ge)為主體的磁性合金。其組成用通式Co↓[x]Cr↓[y]Ge↓[z]表示,表示組成比的X、y、z是以原子%表示并滿足以下關系式78≤x≤87、2.5≤y≤14.5、3.5≤z≤15、X+y...
    • 一種磁錄記媒體,其特征在于,在基體表面上通過金屬底層來形成強磁性金屬層并使用磁化反轉的磁記錄媒體,其中,強磁性金屬層的氧濃度被控制在100ppm(重量)以下。
    • 本發(fā)明的目的在于提供一種磁記錄媒體及其制造方法,該磁記錄媒體為具有由CoNiCr或CoCrPt合金磁性膜形成的強磁性金屬層的磁記錄媒體,其電磁轉換特性中的S/N比值較高,并且在大批量生產時可穩(wěn)定地獲得矯頑力。本發(fā)明的磁記錄媒體為下述的磁...
    • 本發(fā)明的目的在于提供一種磁記錄媒體及其造方法,在該磁記錄媒體中由于設置α層和β層,從而不依賴于基體材質,可獲得高的矯頑力。本發(fā)明的磁記錄媒體為下述的磁通反轉型磁記錄媒體,在其基體表面上通過或不通過至少由Cr構成的金屬襯層,設置由Co合金...
    • 磁記錄介質,在基體上,介以由含氧濃度100wt ppm以下的Cr組成的金屬基層,設置由含氧濃度100wt ppm以下的CoCrTa組成的強磁性金屬層形成的利用磁化反轉的磁記錄介質中,其特征在于,該強磁性金屬層的成分為14原子%以上2...
    • 一種低價格、高密度、不需用昂貴的強磁性金屬層,就可提高矯頑磁力的磁記錄媒體,其在基體表面上通過金屬底層來形成強磁性金屬層并使用磁化反轉的磁記錄媒體。其強磁性金屬層的氧濃度是在100ppm(重量)以下,另外其金屬底層的氧濃度為100ppm...
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