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    GTAT公司專利技術

    GTAT公司共有42項專利

    • 一種用來生產大塊硅碳化物的器具,本發明披露一種生產硅碳化物的方法。本方法包含提供升華爐的步驟,該升華爐包含爐殼、至少一個置于該爐殼外的加熱元件、以及置于該爐殼內通過絕緣物圍繞的熱區。該熱區包含坩堝,該坩堝具有置于其下部區中的硅碳化物先驅...
    • 一種柴可拉斯基生長裝置轉換配件,本實用新型是關于一種生長裝置轉換配件以及用于改進并轉換柴可拉斯基生長裝置的方法,特別是將批量柴可拉斯基生長裝置轉換成連續柴可拉斯基生長裝置。尤其,分離閥設置在上料斗與下料斗之間,以便在上料斗正在被重新填充...
    • 一種生產大塊硅碳化物的方法,該方法包含提供升華爐的步驟,該升華爐包含爐殼、至少一個置于爐殼外的加熱元件、以及置于爐殼內通過絕緣物圍繞的熱區。該熱區包含坩堝,該坩堝具有置于其下部區中的硅碳化物先驅物及置于其上部區中的硅碳化物晶種。將該熱區...
    • 本發明涉及使用硅碳化物晶種來生產大塊硅碳化物的方法和器具。具體地,本文公開一種生產硅碳化物的方法。本方法包括以下步驟:提供升華爐,其包括爐殼、至少一個位于爐殼外側的加熱元件、和位于爐殼內且由絕熱體包圍的熱區。該熱區包括具有位于下區域的硅...
    • 一種柴可拉斯基生長裝置轉換配件,本發明是關于一種生長裝置轉換配件以及用于改進并轉換柴可拉斯基生長裝置的方法,特別是將批量柴可拉斯基生長裝置轉換成連續柴可拉斯基生長裝置。尤其,分離閥設置在上料斗與下料斗之間,以便在上料斗正在被重新填充時維...
    • 一種形成一化學氣相沉積(CVD)反應器的一細絲組件的方法,包括由一橋連接的至少一細絲結構。該細絲結構包括與一硅種子合成一體的一中空硅細絲。本發明描述了各種實施例,包括具有此細絲組件的一CVD系統以及沉積硅于此細絲組件上的一方法。
    • 在經調節壓力下使用氦的高溫工藝改進
      本發明公開了在經調節壓力下使用氦的高溫工藝改進。具體地,本發明涉及一種用于在用于處理材料諸如生長晶體的真空熔爐中減少多余的輔助反應的方法。該工藝在熔爐腔室環境中執行,其中容許氦氣以用于沖除雜質的流率并且以用于在熱區中實現熱穩定性的預定壓...
    • 用于粒狀多晶硅生產的反向循環流化床反應器
      反向流化床反應器(FBR)通過絕熱垂直分配器被分隔成為預反應加熱區、反應區和脫氫區。所述脫氫區可以為獨特的,或者所述加熱區可用作脫氫區。多晶硅的顆粒向上循環通過加熱區并且進入反應區的頂部,在這里發生硅的沉積,并且生長的顆粒緩慢沉降,直至...
    • 本文公開一種生產硅碳化物的方法。本方法包括以下步驟:提供升華爐,其包括爐殼、至少一個位于爐殼外的加熱元件、和位于爐殼內由絕熱體包圍的熱區。熱區包括具有位于下區域的硅碳化物先驅物和位于上區域的硅碳化物晶種的坩堝。熱區經加熱以升華硅碳化物先...
    • 揭露一種生產硅碳化物的方法。本方法包含提供升華爐的步驟,該升華爐包含爐殼、至少一個置于該爐殼外的加熱元件、以及置于該爐殼內通過絕緣物圍繞的熱區。該熱區包含坩堝,該坩堝具有置于其下部區中的硅碳化物先驅物及置于其上部區中的硅碳化物晶種。將該...
    • 本文公開一種生產硅碳化物的方法。本方法包括以下步驟:提供升華爐,其包括爐殼、至少一個位于爐殼外側的加熱元件、和位于爐殼內且由絕熱體包圍的熱區。該熱區包括具有位于下區域的硅碳化物晶種前驅物、和位于上區域的硅碳化物晶種。該熱區被加熱以升華該...
    • 本發明描述了一種制造光伏電池的方法,和由所述方法制造的器件。所述方法包括提供半導體基底和使導電制品電耦接至所述半導體基底的頂面。在所述半導體基底和所述導電制品上方形成抗反射涂層,其中所述抗反射涂層具有多個子層。所述子層中的每一個均包含聚...
    • 一種生產硅碳化物的方法,該方法包含提供升華爐的步驟,該升華爐包含爐殼、至少一個置于爐殼外的加熱元件、以及置于爐殼內通過絕緣物圍繞的熱區。該熱區包含坩堝,該坩堝具有置于其下部區中的硅碳化物先驅物及置于其上部區中的硅碳化物晶種。將該熱區加熱...
    • 本發明公開了一種用于CVD硅沉積反應器的管狀細絲組件,其通過在管狀細絲的頂部和/或底部與匹配于橋和/或支撐卡盤的成型部件之間形成的可滑動的連接,提供了豎直管狀細絲連貫和低電阻的連接,使得該連接至少對豎直細絲和/或水平連橋的傾斜角度的小變...
    • 一種反應室,包括內部涂覆有金屬氮化物的外殼的罩殼,所述金屬氮化物提供大于90%的內部紅外線的平均反射率。所述金屬氮化物可以為氮化鈦、氮化鋯、氮化鉿或其它金屬的氮化物,并且可以為0.1微米到10微米厚度,優選為4微米到5微米厚度。所述層不...
    • 揭露一種生產硅碳化物之方法。本方法包含提供升華爐之步驟,該升華爐包含爐殼、至少一個置于該爐殼外之加熱元件、以及置于該爐殼內通過絕緣物圍繞之熱區。該熱區包含坩堝,該坩堝具有置于其下部區中之硅碳化物先驅物及置于其上部區中之硅碳化物晶種。將該...
    • 硅桿柱的冷絲點火系統及方法
      本發明揭示一種為了硅生產點火一或多個絲的方法及系統,其包含使用與該一或多個絲連接的一變壓器將一輸出電壓施加至該一或多個絲。另外,該方法包含與該輸出電壓的該施加組合,經由一扼流圈而將一電流供應至該變壓器的一初級繞組以限制該電流至一第一預定...
    • 用于半導體的可調適獨立金屬件
      公開了一種獨立金屬件及制作方法,其中所述金屬件電鑄在導電芯模上。所述金屬件具有多個電鑄元件,其被構造來充當光伏電池的電導管。第一電鑄元件具有下列各項中的至少一個:a)沿所述第一元件的第一長度的非均勻寬度,b)在沿所述第一元件的所述第一長...
    • 公開了一種獨立金屬件和制作方法,其中所述金屬件電鑄在導電芯模上。所述芯模具有外表面,所述外表面具有預成形圖案,其中所述金屬件的至少一部分在所述預成形圖案中形成。將所述金屬件與所述導電芯模分離,形成可以與光伏電池用半導體材料的表面耦合的獨...
    • 用于半導體的獨立金屬件
      公開了一種獨立金屬件和制作方法,其中所述金屬件電鑄在導電芯模上。所述芯模具有外表面,所述外表面具有預成形圖案,其中所述金屬件的至少一部分在所述預成形圖案中形成。將所述金屬件與所述導電芯模分離,形成可以與光伏電池用半導體材料的表面耦合的獨...
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