本發明屬于電子元器件封裝領域，尤其涉及一種IGBT模塊，包括DBC板，在所述DBC板上具有第一電路，所述第一電路包括第一線路、第二線路、第三線路，在第一線路、第二線路、第三線路上均串聯有第一開關管和第二開關管，第一開關管和第二開關管的結...

本發明公開了多電源域的靜電放電保護電路及芯片，靜電放電保護電路包括信號接地端、電源接地端以及至少一個正電源連接端；其中：信號接地端與電源接地端之間設置有若干個依次串聯連接的靜電放電保護單元；正電源連接端與第一節點連接，第一節點位于信號接...

本技術提供了一種IGBT模塊，包括：外框，呈中空結構；DBC板，包括一塊DBC銅層、一塊DBC陶瓷層以及一塊電路銅層，所述DBC銅層和電路銅層分別設置在DBC陶瓷層的兩側表面上，所述DBC陶瓷層固定在外框的中空結構的下端開口處；芯片，至...

本技術提供了一種電路板針腳檢測裝置，包括：控制箱，在其內設置有檢測電路，所述檢測電路包括檢測開關；工作臺，設置在控制箱上，在其上設置有穿孔，穿孔的數量與但檢測的功率模塊的針腳數量相同，且穿孔的位置與功率模塊的針腳的相對位置相同，功率模塊...

本技術提供了一種擴膜治具，包括：底板，具有第一通孔，所述第一通孔的直徑大于位于其上的晶圓的直徑，在所述底板上且位于第一通孔的邊緣設置有凸環，凸環的內徑與第一通孔的內徑相同；壓環，其一側通過合頁與底板連接，在其上設置有第二通孔，第二通孔的...

本發明公開了隔離柵極驅動電路及驅動器，該隔離柵極驅動電路包括信號還原模塊、調制模塊、高通濾波模塊及下降沿監測模塊，調制模塊具有第一端與第二端，其中，第一端輸出的第一脈沖信號與第二端輸出的第一脈沖信號為軌到軌的差分脈沖信號；下降沿監測模塊...

本發明提供了一種電路板針腳檢測裝置，包括：控制箱，在其內設置有檢測電路，所述檢測電路包括檢測開關；工作臺，設置在控制箱上，在其上設置有穿孔，穿孔的數量與但檢測的功率模塊的針腳數量相同，且穿孔的位置與功率模塊的針腳的相對位置相同，功率模塊...

本發明提供了一種IGBT模塊，包括：外框，呈中空結構；DBC板，包括一塊DBC銅層、一塊DBC陶瓷層以及一塊電路銅層，所述DBC銅層和電路銅層分別設置在DBC陶瓷層的兩側表面上，所述DBC陶瓷層固定在外框的中空結構的下端開口處；芯片，至...

本發明提供了一種功率模塊的封裝方法，具體包括如下步驟：步驟一、將銅底板上料；步驟二、對銅底板進行印刷，將第一錫膏放置到銅底板上表面預定的位置；步驟三、將DBC板上料，并粘在第一錫膏上；步驟四、對DBC板進行印刷，將第二錫膏放置到DBC板...

本發明公開了一種碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管結構及其制備方法,涉及半導體集成電路領域，其包括：漏極位于襯底的背面，N

本發明公開了一種驅動電路，與PMOS功率管以及NMOS功率管連接，包括：PMOS驅動模塊、NMOS驅動模塊、PMOS抗干擾模塊、NMOS抗干擾模塊；所述PMOS驅動模塊通過所述PMOS抗干擾模塊與所述PMOS功率管連接，所述NMOS驅動...

本發明公開了一種快恢復二極管及其制備方法，包括：陽極金屬、P+型陽極區、P

本發明公開了一種逆導絕緣柵雙極型晶體管結構及其制備方法，涉及功率器件技術領域，其包括絕緣柵雙極型晶體管區域和二極管區域；二極管區域包括快恢復二極管陰極結構、第二漂移區結構和快恢復二極管陽極結構；快恢復二極管陰極結構包括二極管區域的下表面...

本發明公開了一種逆導型絕緣柵雙極型晶體管、制造方法及器件。逆導型絕緣柵雙極型晶體管包括：集成在襯底上的二極管部和與所述二極管部連接的絕緣柵雙極型晶體管部；其中，所述二極管部包括：第一正面金屬區；與所述第一正面金屬區底部連接的多個側翼注入...

本發明公開了一種逆導型絕緣柵雙極型晶體管元胞結構、制造方法及器件。逆導型絕緣柵雙極型晶體管元胞結構包括：集成在襯底上的絕緣柵雙極型晶體管部和與絕緣柵雙極型晶體管連接的二極管部；其中，二極管部包括：第一正面金屬區；設置在第一正面金屬區底部...

本發明公開了一種邏輯保護電路及其控制方法、功率模塊，包括：邊沿觸發器以及邏輯變換模塊；所述邊沿觸發器的輸入端接入故障信號，所述邊沿觸發器的時鐘信號端接入輸入信號，所述邊沿觸發器的置位端接入所述故障信號；所述邏輯變換模塊的一個輸入端接入所...

本發明公開了一種共模瞬變抗干擾濾波器及其控制方法，包括：第一電阻、第一電容、第一開關模塊、第二開關模塊以及邏輯控制模塊；所述邏輯控制模塊的輸入端分別接入輸入信號以及輸出信號，所述邏輯控制模塊的輸出端分別與所述第一開關模塊以及所述第二開關...