本發明涉及一種半導體絕緣襯底的制備方法、半導體絕緣襯底、晶體管以及晶體管的制備方法。其中，半導體絕緣襯底的制備方法，包括：提供鍵合基片以及支撐基片；在支撐基片上形成溝道材料層；在溝道材料層上形成鈍化層；將鍵合基片與支撐基片鍵合以形成鍵合...

本申請涉及一種電流采樣裝置、系統和電流采樣方法，電流采樣裝置，包括：電流采集設備、電壓采集設備和處理設備，電流采集設備包括多個依次串聯的多個電流采集器，電流采集設備串接于工作線路中。在工作線路中的電流過小時，通過多個電流采集器的內阻增大...

本發明公開了一種寬輸入共模電壓范圍電流檢測放大器電路，屬于電流檢測放大器電路技術領域，在電流檢測時用低壓域有限輸入共模范圍的運算放大器實現了超寬范圍的共模電壓輸入，高壓的壓降降在電阻上，所有運算電路均由低壓器件實現，不需要額外產生高壓電...

本發明公開了一種功率器件的過溫檢測電路，屬于過溫檢測電路技術領域，三極管的PN結發射極與場效應管共享一個PGND，相對應的比較電平也對應到同一個電位，場效應管的熱能可以通過PGND的金屬連線繞過DTI傳到三極管的發射極，其次PGND與三...

本申請實施例提供了一種半導體結構及其制造方法，包括提供硅襯底，在硅襯底上外延形成鍺膜，在鍺膜上外延生長砷化鎵膜，這樣將鍺膜作為硅襯底和砷化鎵膜層之間的緩沖層，改善硅襯底和砷化鎵膜層之間的晶格失配，減少砷化鎵膜層中的反向疇，減少砷化鎵膜層...

本申請實施例提供了一種半導體結構及其制造方法，包括提供鍺襯底，在鍺襯底上形成砷化鎵層，在砷化鎵層上形成銦鎵磷層。這樣砷化鎵層能夠可以作為鍺襯底和銦鎵磷層之間的緩沖層，改善鍺襯底和銦鎵磷層之間的晶格失配，減少銦鎵磷層中的反向疇，減少銦鎵磷...

本申請實施例提供了一種半導體結構及其制造方法，包括提供硅襯底，在硅襯底上可以外延形成緩沖層，緩沖層可以包括鍺膜和/或砷化鎵膜，在緩沖層上外延形成磷化銦層。這樣鍺膜和/或砷化鎵膜可以作為硅襯底和磷化銦層之間的緩沖層，改善硅襯底和磷化銦層之...

本申請提供了一種基于雙d?q軸的六相PMSM控制裝置及六相PMSM系統，包括第一控制電路通過電流檢測電路采集六相電機輸入端的六相電流，并將該六相電流依次進行clark變換、基于轉子檢測裝置檢測的六相電機中轉子當前角度進行park變換和數...

本申請涉及一種多相交錯并聯電路中功率管的控制方法、裝置和存儲介質，所述方法通過獲取已知功率管的總數量，并根據多相交錯并聯電路的負載電流，確定同時開通的功率管的數量K。控制K個所述功率管開通，當K個所述功率管開通時間等于預設時間時，控制第...

本發明涉及一種功率模塊的控制方法、功率模塊的控制裝置、功率模塊的控制設備及功率設備。一種功率模塊的控制方法，用于利用驅動模塊驅動功率模塊對電機進行控制；驅動模塊至少包括上橋驅動單元及下橋驅動單元，功率模塊至少包括上橋功率單元和與下橋功率...

本申請具體涉及一種多相DCDC轉換控制電路及方法，所述電路包括并聯的多條直流轉換支路及控制器，所述控制器通過控制各開關單元的開通時間來改變轉換控制電路中導通的直流轉換支路的個數，并控制各所述開關單元的開關頻率使得所述轉換控制電路的工作效...

本發明公開了一種可控壓擺率N型MOS高邊驅動電路，屬于驅動電路技術領域，用可控電流對開關的柵極充放電，在充放電完成時，強開或者強關柵極以防止柵極的電壓擾動，所有MNx為與襯底隔離的NMOS器件，M0為需驅動的高邊N型MOS開關，VHIG...