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    廣東小天才科技有限公司專利技術(shù)

    廣東小天才科技有限公司共有6225項(xiàng)專利

    • 本申請實(shí)施例公開了一種TWS耳機(jī)的控制方法、裝置、TWS耳機(jī)及存儲介質(zhì),該TWS耳機(jī)的控制方法可以包括:檢測TWS耳機(jī)的佩戴狀態(tài);在顯示屏幕上顯示與佩戴狀態(tài)匹配的目標(biāo)內(nèi)容。通過實(shí)施該方法,可以基于TWS耳機(jī)的佩戴狀態(tài),控制TWS耳機(jī)的顯...
    • 本發(fā)明實(shí)施例公開了一種印刷電路板裝配PCBA,應(yīng)用于電路板技術(shù)領(lǐng)域,可解決如何在不大幅改變結(jié)構(gòu)物料堆疊以及空間條件受限的情況下,提升PCBA的力學(xué)可靠性的問題。該P(yáng)CBA包括:PCB板,包括相背設(shè)置的第一面和第二面;至少一個(gè)電子元件,每...
    • 本發(fā)明公開了一種耳機(jī)降噪方法及裝置、電子設(shè)備、存儲介質(zhì);所述方法包括:在與耳機(jī)保持連接的情況下,獲取所述耳機(jī)對應(yīng)的場景信息;確定與所述場景信息對應(yīng)的目標(biāo)降噪策略;將所述目標(biāo)降噪策略發(fā)送至所述耳機(jī),以使所述耳機(jī)根據(jù)所述目標(biāo)降噪策略進(jìn)行降噪...
    • 本申請實(shí)施例公開了一種音量調(diào)節(jié)方法、裝置、設(shè)備以及存儲介質(zhì)。該方法通過獲取預(yù)設(shè)時(shí)長的環(huán)境聲音樣本,從環(huán)境聲音樣本中提取人聲成分,并對人聲成分進(jìn)行解析得到至少一個(gè)人聲聲源;將人聲聲源對應(yīng)的聲紋特征與設(shè)置的用戶聲紋特征進(jìn)行比對;響應(yīng)于存在第...
    • 本申請實(shí)施例公開了一種文字輸入方法、系統(tǒng)、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì),該文字輸入方法應(yīng)用于可穿戴設(shè)備,所述可穿戴設(shè)備包括攝像頭,所述方法包括:通過所述攝像頭采集多幀包含耳機(jī)的目標(biāo)圖像,所述耳機(jī)包括發(fā)光模塊;識別所述發(fā)光模塊在各幀所述目標(biāo)圖...
    • 本申請實(shí)施例公開了一種屏幕防抖方法及裝置、設(shè)備、存儲介質(zhì),應(yīng)用于電子設(shè)備,電子設(shè)備包括屏幕和支撐件,屏幕可轉(zhuǎn)動(dòng)地與支撐件連接,所述方法包括:在電子設(shè)備的屏幕輸出畫面的情況下,獲取目標(biāo)圖案,目標(biāo)圖案用于指示用戶面部與屏幕的預(yù)設(shè)方向的相對位...
    • 本發(fā)明公開一種電子設(shè)備及智能穿戴設(shè)備,涉及智能穿戴設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,該電子設(shè)備包括設(shè)備本體以及支撐架,支撐架與設(shè)備本體通過驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)連接,驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)設(shè)備本體繞Z軸相對支撐架繞轉(zhuǎn)動(dòng),驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括可相對運(yùn)動(dòng)的固定端以及輸出端,固定端與設(shè)備本...
    • 本申請實(shí)施例公開了一種無創(chuàng)血糖測量方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì),該方法通過指紋傳感器獲取待檢測用戶的皮膚接觸數(shù)據(jù),再根據(jù)該皮膚接觸數(shù)據(jù)確定皮膚接觸面積,當(dāng)接觸狀態(tài)滿足預(yù)設(shè)條件,則從皮膚接觸數(shù)據(jù)中獲取待檢測用戶的皮膚紋理信息,以及通過光學(xué)探...
    • 本發(fā)明公開一種電子設(shè)備及智能穿戴設(shè)備,涉及智能穿戴設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,其中,該電子設(shè)備包括設(shè)備本體以及支撐架,支撐架與設(shè)備本體通過驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)連接,驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)設(shè)備本體繞第一轉(zhuǎn)動(dòng)軸線相對支撐架繞轉(zhuǎn)動(dòng),設(shè)備本體內(nèi)設(shè)置有驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括可相...
    • 本發(fā)明公開一種電子設(shè)備及智能穿戴設(shè)備,涉及智能穿戴設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域,該電子設(shè)備包括設(shè)備本體以及支撐架,支撐架與設(shè)備本體繞X軸轉(zhuǎn)動(dòng)連接,并且,支撐架與設(shè)備本體之間設(shè)置有驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括可相對運(yùn)動(dòng)的固定端以及輸出端,固定端與設(shè)備本體固定...
    • 本發(fā)明公開一種筆頭結(jié)構(gòu)及詞典筆,涉及電子設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域,其中,筆頭結(jié)構(gòu)包括筆頭支撐件以及壓力傳感器,筆頭支撐件的內(nèi)部中空形成有安裝腔,筆頭支撐件的第一端開設(shè)有連通安裝腔的掃描窗口,安裝腔內(nèi)位于掃描窗口的左右兩側(cè)設(shè)置有相對的承力側(cè)壁,承力...
    • 本發(fā)明公開一種壓電馬達(dá)、云臺相機(jī)及電子產(chǎn)品,其中,壓電馬達(dá)包括基座、設(shè)置于所述基座上的壓電組件,以及與所述壓電組件傳動(dòng)連接的動(dòng)力輸出組件,所述壓電組件與所述動(dòng)力輸出組件之間設(shè)置有摩擦桿,通過所述摩擦桿將所述壓電組件產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)傳遞至所述動(dòng)...
    • 本發(fā)明公開一種筆頭結(jié)構(gòu)及詞典筆,涉及電子設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域,其中,筆頭結(jié)構(gòu)包括筆頭支撐件、承力組件以及壓力傳感器,筆頭支撐件內(nèi)部中空形成有安裝腔,并且,筆頭支撐件的一端開設(shè)有連通安裝腔的掃描部以及承托部,承托部設(shè)置在掃描部的一側(cè),承力組件位...
    • 本發(fā)明屬于耳機(jī)領(lǐng)域,公開了一種夾耳式耳機(jī),包括功能部、夾持部和轉(zhuǎn)軸機(jī)構(gòu),功能部包括第一殼體;夾持部包括第二殼體;所述第一殼體與所述第二殼體通過所述轉(zhuǎn)軸機(jī)構(gòu)轉(zhuǎn)動(dòng)連接,用于調(diào)節(jié)并固定所述功能部與所述夾持部之間的夾角,以形成夾持耳朵的夾持空間...
    • 本發(fā)明涉及耳機(jī)技術(shù)領(lǐng)域,提供一種夾耳式耳機(jī)包括耳機(jī)主體和夾持部;所述夾持部通過轉(zhuǎn)軸與耳機(jī)主體轉(zhuǎn)動(dòng)連接,以形成夾持耳朵的夾持空間,夾持部至少具有夾持狀態(tài)和非夾持狀態(tài);在非夾持狀態(tài),夾持部繞轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng),以打開夾持空間;在夾持狀態(tài),夾持部繞轉(zhuǎn)軸...
    • 本申請?zhí)峁┗贜FC的交友方法、裝置及存儲介質(zhì)。本申請的技術(shù)方案中,第一電子設(shè)備通過NFC模塊獲取第二電子設(shè)備的第一標(biāo)識,并將第一標(biāo)識發(fā)送至服務(wù)器,相應(yīng)地,服務(wù)器接收來自第一電子設(shè)備獲取的第一標(biāo)識和/或第二電子設(shè)備獲取的第一電子設(shè)備的第...
    • 本申請公開一種可調(diào)節(jié)識別范圍的掃描筆,包括:掃描筆本體、變焦攝像頭、姿態(tài)傳感器,所述掃描筆本體的內(nèi)部設(shè)置有微處理器,所述掃描筆本體的一端設(shè)置有筆頭;所述變焦攝像頭安裝于所述掃描筆本體靠近所述筆頭的一端,所述變焦攝像頭與所述微處理器電連接...
    • 本申請涉及智能手表技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種可穿戴智能設(shè)備。該設(shè)備,包括:外部電壓信號進(jìn)入可穿戴智能設(shè)備后被劃分為第一電壓信號和第二電壓信號,第一電壓信號用于為可穿戴智能設(shè)備的表體充電;無線充電發(fā)送端,接收第二電壓信號,用于將第二電壓信號轉(zhuǎn)換為...
    • 本發(fā)明公開了一種智能主機(jī)及智能穿戴設(shè)備,所述智能主機(jī)包括:托板,所述托板設(shè)置有卡扣組件和第一相對端;主機(jī)本體,設(shè)置于所述托板上,所述主機(jī)本體能夠向靠近或遠(yuǎn)離所述第一相對端的方向移動(dòng);轉(zhuǎn)軸組件,設(shè)置于所述第一相對端,所述主機(jī)本體通過所述轉(zhuǎn)...
    • 本申請公開一種基材表面設(shè)置混色PVD層的方法,通過在PVD工藝處理后的基材表面部分區(qū)域進(jìn)行減材料處理,直至暴露基材,再次進(jìn)行PVD工藝處理時(shí),PVD層形成于整個(gè)基材暴露面,也即PVD層會填充至減材料處理后的凹槽或縫隙中,再通過之后的減材...
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