本實用新型提供一種薄膜體聲波諧振器及無線通信裝置，該薄膜體聲波諧振器包括；襯底，襯底一側設置有凹槽；支撐層，支撐層設置在凹槽開口一側，覆蓋襯底未設置凹槽的區域；底電極，設置在凹槽開口一側，底電極朝向凹槽一側與凹槽兩側的支撐層連接，壓電薄...

本發明公開了一種大尺寸低應力單晶氮化物厚膜結構，包括襯底，及生長在所述襯底上的單晶氮化物厚膜；所述襯底上刻蝕有溝道，所述溝道將所述襯底的表面分成多個不連續的區域；所述溝道的深度大于所述單晶氮化物厚膜的厚度。本發明在溝道處理后的襯底上生長...

本發明涉及半導體技術領域，具體涉及一種嵌入式電極結構LED器件及其制備方法。所述嵌入式電極結構LED器件包括從下到上依次排列的第二硅襯底、鍵合層、第一鈍化層、金屬層、反射鏡層、p?GaN層、AlGaN電子阻擋層、InGaN/GaN多量子...

本發明提供一種嵌入式LED芯片及其制備方法，該LED芯片包括：導電襯底、第一鍵合金屬層、第二鍵合金屬層、功能層、柱狀P電極和柱狀N電極；所述導電襯底、所述第一鍵合金屬層、所述第二鍵合金屬層和所述功能層按照從下向上的順序依次排布；所述柱狀...

本實用新型提供一種FBAR雙工器以及無線通信模塊，該FBAR雙工器包括；FBAR雙工器包括：空腔、鍵合層、壓電層以及第一通孔；鍵合層設置在空腔外側，其中，鍵合層根據空腔的區域、等效電感以及等效電容的圖形進行圖形化設置；壓電層設置在鍵合層...

本實用新型公開了一種頻率可調的薄膜體聲波諧振器，包括：襯底、底電極、調諧層、壓電層以及頂電極，底電極設置在襯底的上表面，調諧層設置在底電極的上表面，壓電層設置在調諧層的上表面，頂電極設置在壓電層的上表面，底電極和頂電極均連接有電極引出結...

本實用新型公開了一種背硅刻蝕型剪切波濾波器，該濾波器包括：硅襯底、壓電材料層以及頂部電極，所述頂部電極采用石墨烯制成；所述壓電材料層覆蓋在所述硅襯底上，所述硅襯底設有多個凹槽以使所述壓電材料層位于所述凹槽處的下表面能夠與空氣接觸，所述頂...

本實用新型公開了一種曝光機自動上下片裝置，包括傳送機械手、第一裝片卡槽、第二裝片卡槽、自動對平邊裝置與曝光機，所述傳送機械手設置在所述曝光機前端，所述第一裝片卡槽設置在所述傳送機械手左側，所述自動對平裝置設置在所述傳送機械手與所述曝光機...

本實用新型公開了一種氮化物和金屬薄膜沉積與修整設備，包括載片裝置、修膜裝置、金屬濺射裝置、氮化物濺射裝置、傳送裝置；傳送腔分別與載片腔、修膜腔、金屬濺射腔、氮化物濺射腔的晶片傳送口連通；在每個晶片傳送口處均安裝有閥門，每個閥門都能夠實現...

本實用新型公開了一種芯片雙面對準鍵合機，包括具有第一標識的頂部卡盤、設置在所述頂部卡盤下方的具有第二標識的底部卡盤、設置在所述頂部卡盤與所述底部卡盤之間的機械臂、用于帶動所述頂部卡盤的第一驅動機構以及用于帶動所述底部卡盤橫向移動的第二驅...

本實用新型提供一種單片集成的射頻器件及集成電路系統，射頻器件包括鍵合連接的濾波器與電子器件；電子器件的第一緩沖層設置在第一基板上，第三單晶層遠離第二單晶層的一側設置有鈍化層，鈍化層上設置有連接濾波器與電子器件的通孔；濾波器的金屬電極設置...

本實用新型提供一種FBAR濾波器，FBAR濾波器包括：鍵合襯底，鍵合襯底一側設置有與第一鍵合層鍵合連接的第二鍵合層，支撐層設置在第一鍵合層遠離第二鍵合層的一側；第一電極，第一電極設置在支撐層遠離第一鍵合層的一側，支撐層空腔貫穿支撐層、第...