本發(fā)明公開了一種電池管理系統(tǒng)、方法及存儲(chǔ)介質(zhì)，所述系統(tǒng)包括：數(shù)據(jù)采集端與設(shè)備管理端，數(shù)據(jù)采集端與設(shè)備管理端之間通過射頻連接；數(shù)據(jù)采集端，用于響應(yīng)設(shè)備管理端發(fā)送的控制指令，采集電池?cái)?shù)據(jù)，并將電池?cái)?shù)據(jù)發(fā)送給所設(shè)備管理端；設(shè)備管理端，用于接收...

本發(fā)明公開了一種IO電路及芯片。IO電路包括依次設(shè)置的ESD保護(hù)器件、第一金屬層、第二金屬層、第一走線層和PAD本體；第二金屬層包括第二梳狀結(jié)構(gòu)，第二梳狀結(jié)構(gòu)包括第二基部和多條第二梳條；第一走線層包括第一梳狀結(jié)構(gòu)，第一梳狀結(jié)構(gòu)包括第一基...

本發(fā)明公開了一種用于電子元件的功耗測(cè)量裝置，包括：信號(hào)采集組件，配置成采集與所述電子元件功耗變化相關(guān)的第一信號(hào)；信號(hào)過濾組件，與所述信號(hào)采集組件耦接，配置成過濾所述第一信號(hào)中的預(yù)設(shè)頻率分量；信號(hào)放大組件，與所述信號(hào)過濾組件耦接，配置成放...

本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N用于隨機(jī)數(shù)檢測(cè)的非重疊模板的匹配方法和裝置、電子設(shè)備以及非瞬時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述匹配方法包括根據(jù)目標(biāo)模板的長(zhǎng)度，初始化目標(biāo)模板數(shù)組和統(tǒng)計(jì)數(shù)組；利用所述目標(biāo)模板，確定所述目標(biāo)模板數(shù)組對(duì)應(yīng)位置的元素值；移位所述非重疊模...

本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種開關(guān)切換電路，用于電路技術(shù)領(lǐng)域，包括：開關(guān)邏輯模塊包括多個(gè)串聯(lián)的延遲模塊，每個(gè)延遲模塊的第一輸出端以及第二輸出端分別輸出不同的電信號(hào)，多個(gè)延遲模塊的第一輸出端分別與第一開關(guān)陣列中不同開關(guān)的導(dǎo)通控制端連接，多個(gè)延遲模...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N故障注入的參數(shù)搜索方法、裝置及故障注入系統(tǒng)、設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域。一種故障注入的參數(shù)搜索方法，包括：獲取故障注入成功的數(shù)據(jù)量，確定所述數(shù)據(jù)量是否達(dá)到預(yù)設(shè)閾值；若是，獲取故障注入成功的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)參數(shù)；根據(jù)...

本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種電磁故障注入的測(cè)試裝置

本申請(qǐng)涉及應(yīng)用于模數(shù)轉(zhuǎn)換器的參考電平產(chǎn)生電路和產(chǎn)生參考電平的方法，該參考電平產(chǎn)生電路包括：電荷泵

本申請(qǐng)實(shí)施例公開一種單片機(jī)及音頻播放方法，屬于單片機(jī)技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)公開了一種軟件執(zhí)行流程監(jiān)控方法、監(jiān)控系統(tǒng)及存儲(chǔ)介質(zhì)，軟件執(zhí)行流程監(jiān)控方法應(yīng)用于監(jiān)控系統(tǒng)中的硬件探測(cè)引擎，硬件探測(cè)引擎和處理器耦接，包括：硬件探測(cè)引擎在軟件執(zhí)行過程中，捕捉軟件運(yùn)行的指令執(zhí)行流；硬件探測(cè)引擎根據(jù)軟件運(yùn)行過程中的上下文...

本申請(qǐng)涉及集成電路領(lǐng)域，公開了一種MCU的校準(zhǔn)裝置及MCU的校準(zhǔn)方法。該MCU的校準(zhǔn)裝置包括：放大器，基于接收的輸入電壓進(jìn)行放大，產(chǎn)生輸出電壓；模數(shù)轉(zhuǎn)換電路，與放大器連接，接收輸入電壓和輸出電壓，并基于輸入電壓和輸出電壓進(jìn)行采樣，以得到...

本申請(qǐng)涉及振蕩器領(lǐng)域，公開了一種晶體振蕩器電路及晶體振蕩方法。該晶體振蕩器電路包括：電流源，用于產(chǎn)生偏置電流；晶振電路，與電流源連接，基于偏置電流建立晶體振蕩，產(chǎn)生第一時(shí)鐘信號(hào)；輸出電路，分別與電流源和晶振電路連接，從晶振電路接收到第一...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N采用自適應(yīng)片內(nèi)補(bǔ)償?shù)木€性穩(wěn)壓器。線性穩(wěn)壓器包括誤差放大器、第一場(chǎng)效應(yīng)管、動(dòng)態(tài)零點(diǎn)產(chǎn)生電路、第一電容、第一電阻和第二電阻，誤差放大器的正輸入端與第一電阻的第一端電連接，用于獲取電壓變化；負(fù)輸入端電連接線性穩(wěn)壓器的第一輸入電壓...

本申請(qǐng)涉及集成電路領(lǐng)域，公開了一種失調(diào)校準(zhǔn)電路和失調(diào)校準(zhǔn)方法。該失調(diào)校準(zhǔn)電路包括：校準(zhǔn)電路，用于產(chǎn)生第一補(bǔ)償電流、第二補(bǔ)償電流和第三補(bǔ)償電流，第三補(bǔ)償電流等于第一補(bǔ)償電流和第二補(bǔ)償電流之和；校準(zhǔn)數(shù)字控制電路，接收放大器電路的輸出電壓信號(hào)...

本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N存儲(chǔ)器接口模塊和用于存儲(chǔ)器接口模塊的方法、電子設(shè)備以及非瞬時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述多個(gè)外接存儲(chǔ)器遵守多個(gè)不同的協(xié)議，所述存儲(chǔ)器接口模塊包括配置寄存器、序列發(fā)生器、信號(hào)發(fā)生接收器和多個(gè)外接存儲(chǔ)器接口，其中：所述配置寄存器...

本實(shí)用新型公開了一種放大器，涉及電路領(lǐng)域，比較模塊在第一電流和初始尾電流的一半存在差值時(shí)輸出加強(qiáng)尾電流，并通過輸出模塊輸出增益后的加強(qiáng)尾電流，最終放大模塊將加強(qiáng)尾電流和初始尾電流作為放大器的最終尾電流，實(shí)現(xiàn)對(duì)放大器的尾電流的增大，比較模...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N高壓毛刺泄放及濾除電路，用于通用接口，所述高壓毛刺泄放及濾除電路包括第一開關(guān)管、第二開關(guān)管、高壓毛刺泄放鉗位電路和低通濾波器，其中：所述第一開關(guān)管正極電連接所述通用接口的電壓輸入端，負(fù)極電連接所述高壓毛刺泄放鉗位電路的第一...

本申請(qǐng)公開了一種電池包荷電狀態(tài)的預(yù)測(cè)方法、電池包和計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法包括：獲取電池包在結(jié)束對(duì)負(fù)載設(shè)備放電后靜置預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)的靜置溫度值；確定電池包在靜置預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)的電壓變化率；根據(jù)靜置溫度值和電壓變化率，預(yù)測(cè)電池包的荷電狀態(tài)。上述方...

本申請(qǐng)針對(duì)目前使用的過沖電壓抑制方法存在的問題，提供一種LDO啟動(dòng)電路，包括：第一電流源通過第一開關(guān)與第一電容的第一端連接；第一電容的第二端接地，且第一電容的第一端通過第二開關(guān)接地；控制模塊與第一開關(guān)和第二開關(guān)的控制端連接；LDO中EA...

本發(fā)明公開了一種應(yīng)用程序部署方法及相關(guān)裝置，方法應(yīng)用于Boot裝置，包括：當(dāng)檢測(cè)到應(yīng)用程序未下載時(shí)，對(duì)內(nèi)存中除Boot區(qū)外的分區(qū)進(jìn)行內(nèi)存擦除；當(dāng)完成內(nèi)存擦除時(shí)，對(duì)應(yīng)用程序進(jìn)行應(yīng)用程序下載，并在應(yīng)用程序下載完成時(shí)，在內(nèi)存中對(duì)應(yīng)用程序進(jìn)行應(yīng)...