本發明公開了一種真空吸盤用加工斜向氣孔的治具，包括有支撐架，所述支撐架上設置有支撐斜面，所述支撐斜面上可拆卸連接有真空吸盤，所述支撐斜面上設置有對刀塊，所述對刀塊上設置有水平對刀面，所述支撐斜面上設置有對刀孔，所述對刀孔沿斜向氣孔軸線方...

本發明公開了一種金屬棒與陶瓷盤組裝的壓合裝置，包括：導向柱：包括有抵接陶瓷盤的固定外柱和抵接金屬棒的活動內柱，所述活動內柱滑動連接在固定外柱內部；壓合組件：抵接活動內柱，帶動活動內柱擠壓金屬棒嵌合在陶瓷盤上活動支撐組件：設置在陶瓷盤下方...

本發明公開了一種半導體刻蝕機用陶瓷介質窗表面加工方法，包括有以下步驟：S1、在陶瓷基體表面進行噴砂處理，形成粗糙面；S2、在粗糙面上進行氧化釔熔射，形成熔射涂層；S3、對熔射涂層進行磨平，形成平整面；S4、在平整面上進行遞進式拋光。通過...

本發明公開了一種氮化鋁陶瓷高溫退火方法，包括以下步驟：S1:使用無水乙醇和純水清洗氮化鋁陶瓷表面；S2:將產品浸泡在由HF和HNO3配制的混合酸溶液中，進行表面酸洗；S3:將產品置于由純水和無水乙醇混合的溶液中，進行超聲波清洗；S4:將...

本發明公開了一種大尺寸陶瓷圓盤端面平面度的加工裝置及方法，包括有：底座；裝夾臺，裝夾臺中部上設置有產品安置區；其中，所述裝夾臺與底座之間連接設置有高度調節組件，所述高度調節組件包括若干呈環形陣列設置的調節桿，各調節桿可獨立調節。該裝置通...

本發明公開了一種刻蝕設備用陶瓷噴嘴的表面粗糙度檢測裝置及方法，旨在解決現有的陶瓷噴嘴粗糙度檢測方法很難批量檢測，無法保證陶瓷噴嘴檢測粗糙度的穩定性、同步性和正確性的不足。該發明包括轉臺，轉臺上設置若干定位治具；機械手，抓取陶瓷噴嘴轉移到...

本發明公開了一種耐高溫末端效應器，包括效應器主體和陶瓷蓋片，所述的陶瓷蓋片與效應器主體之間通過一熔接層密封粘接為一體，所述的熔接層是由電子封裝漿加熱固化形成；在所述的陶瓷蓋片和效應器主體之間形成有真空密封氣道。還公開了該耐高溫末端效應器...

本發明公開了一種氮化鋁陶瓷的燒結方法，包括有以下步驟：S1、取氮化鋁造粒粉末加壓冷等靜壓成型，得到氮化鋁陶瓷胚體；S2、取氧化鋁造粒粉末加壓冷等靜壓成型，得到氧化鋁陶瓷胚體；S3、將步驟S2中的氧化鋁陶瓷胚體進行燒結，得到氧化鋁燒結體；...

本發明公開了一種陶瓷真空手臂的耐高溫膠帶組裝裝置及組裝方法，包括激光切割機構和安置手臂主體的定位基板，所述定位基板和激光切割機構之間設置有切換式膠帶安置板，所述切換式膠帶安置板上包括有膠帶定型部，所述膠帶定型部可切換匹配激光切割機構或定...

本發明公開了一種氧化鋁陶瓷深孔加工刀具及加工方法，包括刀具本體，所述刀具本體包括切削端頭和設置有通孔的基桿段，所述切削端頭與基桿段之間設置有銜接段，所述銜接段側部包括連通于通孔的側出液孔。通過在刀具本體側部設置的側出液孔為切削液及陶瓷粉...

本發明公開了一種陶瓷熱交換器制作方法，旨在解決傳統金屬材質熱交換器不適用于高溫環境使用且容易被等離子氣體腐蝕不足。該發明采用陶瓷熱交換器，耐高溫、耐腐蝕，使用溫度可以達到1600℃，而且陶瓷材質性能穩定，不與工藝氣體反應。本申請中先在陶...

本發明公開了一種復雜形狀反應燒結碳化硅陶瓷成型模具，包括多孔樹脂外模和多孔樹脂內模，所述的多孔樹脂外模的內腔與多孔樹脂內模的外壁之間形成復雜形狀型腔，所述的多孔樹脂外模下部設置有連通復雜形狀型腔的注漿孔，所述的多孔樹脂內模上端設置有連通...

本發明公開了一種低氧含量氮化鋁陶瓷材料制備方法，旨在解決氮化鋁陶瓷材料氧含量高，熱導率性能不佳的不足。該發明包括以下步驟：S1，將氮化鋁造粒粉體冷等靜壓成型得到陶瓷坯體；S2，將陶瓷坯體置于脫脂爐內進行脫脂，脫脂過程使用氮氣氣氛；S3，...

本發明公開了一種半導體快速退火爐用超薄熱壓碳化硅環加工方法，旨在解決熱壓碳化硅環加工過程中存在產品斷裂風險的不足。該發明熱壓碳化硅環加工過程中，通過治具上的安裝槽對熱壓碳化硅環毛坯進行定位，定位可靠，有效的防止產品偏移發生，且固體棒蠟能...

本發明公開了一種超薄SIC環表面微米級平面度的加工方法，旨在解決現有的治具對SIC材料裝夾加工過程中，穩定性不佳，無法實現微米級的平面度加工的不足。該發明包括以下步驟：S1，將SIC環裝入退火爐內進行退火處理，釋放應力；S2，將完成退火...

本發明公開了一種高純氧化鋁陶瓷方形導軌的成型工藝，旨在解決大尺寸方形軌道的制備成本高，難度大的不足。該發明包括以下步驟：S1，將氧化鋁陶瓷粉體填入干壓模具中；S2，采用壓力機對干壓模具內的氧化鋁陶瓷粉體施壓，使氧化鋁陶瓷粉體按照模腔形狀...

本發明涉及碳化硅陶瓷技術領域，公開了一種高比剛度的碳化硅陶瓷及其制備方法

本發明涉及半導體行業用陶瓷真空吸盤技術領域，公開了一種適于吸附晶圓的陶瓷真空吸盤及降低晶圓表面劃傷率的生產方法。本發明的陶瓷真空吸盤包括吸盤底座和安裝在吸盤底座上的多孔陶瓷，多孔陶瓷經以下過程制備得到：以內部燒結密實的碳化硅陶瓷為基體，...

本發明公開了一種陶瓷噴嘴薄壁孔加工刀具及加工方法，旨在解決陶瓷噴嘴上薄壁網孔受磨削擠壓產生缺口和剝離的不足。該發明陶瓷噴嘴薄壁孔加工刀具包括刀體，刀體上設置刀頭，刀頭側壁上設有側槽。利用該刀具在噴嘴毛坯端面上加工若干個薄壁網孔，使用治具...

本發明涉及半導體用微孔陶瓷真空吸盤技術領域，公開了一種高平整度的陶瓷真空吸盤。本申請的陶瓷真空吸盤所用微孔陶瓷的制備方法包括以下步驟：（1）將顆粒級別相當的氧化鋁、硅化物及燒結助劑的粉?；旌系玫交旌戏哿?；（2）將混合粉粒在模具中成型得到...