本實用新型提供MEMS芯片封裝結構，包括MEMS芯片和號筒，MEMS芯片具有相對的正面及背面，背面具有背腔，正面具有焊盤，號筒具有相對的正面和背面，號筒的背面與MEMS芯片的正面鍵合連接，號筒的正面和背面貫穿開設有開口，開口用于限定ME...

本實用新型提供一種壓電微機械揚聲器，所述壓電微機械揚聲器包括：基底層，具有一空腔，所述空腔位于所述基底層的一端；下電極層，設置于所述基底層上，且所述下電極層位于所述基底層的另一端；壓電層，設置于所述下電極層上；以及上電極層，設置于所述壓...

本實用新型提供一種振膜偏轉角度檢測裝置，所述角度檢測裝置包括：基板；信號柱，設置于所述基板上，且所述信號柱的內部具有一第一屏蔽層，所述第一屏蔽層與所述基板電性連通；第二屏蔽層，設置于所述基板上，且所述第二屏蔽層包裹所述信號柱；以及振膜，...

本實用新型提供MEMS芯片與ASIC芯片集成封裝的封裝結構，包括：轉接基板；MEMS芯片，MEMS芯片與轉接基板電氣聯通；ASIC芯片，ASIC芯片靠近MEMS芯片的表面設置有第一焊接凸起，第一焊接凸起與轉接基板電連接；封裝基板，封裝基...

本發明提出用于制備MEMS芯片的材料，包括：結構層；過渡層；金屬層；壓電層；制備工藝，包括：結構層正面及背面生長過渡層，再生長兩層壓電層，壓電層的正面及背面生長金屬層。根據本發明實施例提出的MEMS芯片的制備方法，具有雙面壓電材料層，兩...

本實用新型提供一種壓電超聲換能器，包括：設置有第一通孔的襯底層；振膜，設置于所述襯底層上，所述振膜上設置有第二通孔，所述第二通孔的孔徑由靠近所述襯底層的一側至所述第二通孔的另一側逐漸增大；以及鈍化層，設置于所述振膜上，且所述鈍化層上設置...

本實用新型提供一種MEMS超聲波傳感器封裝結構，所述封裝結構包括：PCB板；至少一個MEMS芯片，設置于所述PCB板上；以及號筒結構，設置于所述PCB板上，且所述號筒結構罩設于所述MEMS芯片的外部，用于限定所述MEMS芯片的視場。本實...

本實用新型提供一種集成MEMS芯片與ASIC芯片的超聲波傳感器，所述超聲波傳感器包括：基板；ASIC芯片，設置于所述基板上；MEMS芯片，設置于所述基板上，所述MEMS芯片位于所述ASIC芯片的一側，且所述ASIC芯片電性連接于所述ME...

本實用新型提供一種集成MEMS芯片以及ASIC芯片堆疊封裝的超聲波傳感器，所述超聲波傳感器包括：ASIC芯片封裝組件；MEMS芯片封裝組件，設置于所述ASIC芯片封裝組件上，且所述MEMS芯片封裝組件與所述ASIC芯片封裝組件呈堆疊設置...

本實用新型公開了MEMS芯片封裝結構及具有其的超聲波傳感器，包括MEMS芯片和封裝基板；具有其的超聲波傳感器，包括MEMS芯片封裝結構和封裝外殼；封裝工藝，包括以下步驟：取片；植錫球；倒裝焊接；粘接封裝外殼；注灌封膠；粘接蓋板；粘接防水...

本發明提供一種具有振膜偏轉角度閾值檢測結構的微鏡及其加工工藝，所述微鏡包括：第一基板，用于安裝微鏡結構；第二基板，鍵合于所述第一基板上，且所述第二基板位于所述第一基板的一側；形成差分電容的檢測柱結構，設置于所述第二基板的內部，所述檢測柱...

本發明提供具有可控視場的超聲波芯片封裝結構，包括MEMS芯片，所述MEMS芯片具有相對的正面及背面，所述背面具有背腔，所述正面具有焊盤；號筒，所述號筒具有相對的正面及背面，所述號筒的正面與MEMS芯片的背面固定連接，所述號筒的正面和背面...

本實用新型提供集成內嵌電容檢測結構的壓電微鏡，包括壓電微鏡本體，所述壓電微鏡本體具有相對的正面和背面，所述背面具有背腔，所述壓電微鏡本體具有振膜；第一基板，所述第一基板具有相對的正面與背面，所述正面具有焊盤，所述第一基板的正面與所述壓電...

本發明提供超聲波傳感器封裝結構，包括MEMS芯片；基板，基板與MEMS芯片的正面對應固定連接；焊接凸起，焊接凸起用于基板與MEMS芯片的電連接；外殼，外殼與基板密封連接；蓋板，蓋板與外殼密封連接，且蓋板具有聲孔；密封膠，MEMS芯片與基...

本發明提供一種壓電微機械揚聲器，所述壓電微機械揚聲器包括：基底層，具有一空腔，所述空腔位于所述基底層的一端；下電極層，設置于所述基底層上，且所述下電極層位于所述基底層的另一端；壓電層，設置于所述下電極層上；以及上電極層，設置于所述壓電層...

本實用新型提供一種具有吸聲結構的超聲波傳感器，所述超聲波傳感器包括：MEMS芯片，具有一前腔和一背腔；第一晶圓，具有至少一個聲孔，所述第一晶圓設置于所述MEMS芯片上，且所述第一晶圓位于所述MEMS芯片的背腔；以及吸聲結構，設置于所述第...

本發明提供超聲波傳感器，包括MEMS芯片、封裝基板和貼片膠，MEMS芯片具有相對的正面和背面，背面具有背腔，封裝基板與MEMS芯片電氣聯通，MEMS芯片的背面通過貼片膠與封裝基板粘接固定，MEMS芯片的背腔由貼片膠限定出密封腔。超聲波傳...

本發明提供MEMS芯片與ASIC芯片集成封裝的封裝結構及封裝方法，包括：轉接基板；MEMS芯片，MEMS芯片與轉接基板電氣聯通；ASIC芯片，ASIC芯片靠近MEMS芯片的表面設置有第二焊接凸起，第二焊接凸起與轉接基板電連接；封裝基板，...

本發明公開了MEMS芯片封裝結構，包括MEMS芯片和封裝基板；具有其的超聲波傳感器，包括MEMS芯片封裝結構和封裝外殼；封裝工藝，包括以下步驟：取片；植錫球；倒裝焊接；粘接封裝外殼；注灌封膠；粘接蓋板；粘接防水防塵膜；測試并包裝。本發明...

本發明提供收發分體式超聲波傳感器模組，包括基板；外殼，外殼與基板密封連接，外殼開設有發射聲孔和接收聲孔；MEMS發射芯片，MEMS發射芯片位于發射腔體內部，且MEMS發射芯片的背面與基板貼合固定，MEMS發射芯片與基板電氣聯通；MEMS...