本發明提供一種金屬封裝開封裝置，其特征在于：它包括底座，在底座上設有旋轉盤，在旋轉盤上有兩條交叉分布的滑軌，在每條滑軌上均設有兩塊滑塊，兩塊滑塊穿設有調節裝置，通過調節裝置使得兩塊滑塊在滑軌上相對移動，在每塊滑塊上均設有夾塊，在夾塊上設...

一種厚膜混合集成電路連片的分片裝置，其特征在于：它包括底座（1），在底座（1）上設有一對固定塊（2），在兩塊固定塊（2）對應側的側壁上設有與電路連片（6）對應的卡槽（3），設置至少一個掰片塊（4），在掰片塊（4）一側設有與卡槽（3）對應...

本發明提供一種混合集成電路的芯片埋置結構及其制備方法，它包括封裝基板（1），在封裝基板（1）上設有埋置槽（11）和BGA焊球（2），在埋置槽（11）內連接有多層芯片互聯組件（3），在多層芯片互聯組件（3）上連接有AlN基片（5），在埋置...

本發明涉及一種U型電阻率溫度特性的多晶硅電阻制作方法，1、在硅襯底（1）的氧化硅層上，采用LPCVD工藝淀積多晶硅薄膜（3），2、在多晶硅薄膜（3）上淀積TEOS介質層（4），進行RTA快速熱退火；采用爐管工藝高溫退火對多晶硅再結晶；3...

本發明涉及一種與多晶硅發射極工藝兼容的低溫度系數多晶硅電阻制備方法，1、外延片（4）上向外延基區注入硼離子，淀積多晶硅薄膜；2、多晶硅薄膜上淀積介質層（9），向多晶硅薄膜注入砷雜質形成多晶硅發射區（11）；3、注入磷雜質和硼雜質形成多晶...

本發明涉及一種集成電路電阻特性的自動測試方法，其特征在于包括以下步驟：1）、對該集成電路所用到的芯片及穩壓器在常溫常壓、常溫低壓、低溫常壓、高溫常壓下進行自動測試，提取相應的數據；2）、采用加電進行電壓測試的方式進行電阻檢測。3）、采用...

一種ESD試驗的固定轉換裝置，其特征在于：它包括轉換板（2），在轉換板（2）上設有一組排針（3）和多組螺旋連接頭（4），在每個螺旋連接頭（4）上均可拆卸的連接有接線器（5），接線器（5）包括與螺旋連接頭（4）對應配合的接頭（5a），在接...

本發明屬于微系統技術領域，尤其涉及一種光電集成微系統3D封裝結構及其制作方法。包括自上而下層疊設置的光電探測模組、信號調理模組和運算處理模組，光電探測模組、信號調理模組和運算處理模組均獨立封裝，相鄰兩模組間電學互連，光電探測模組上具有可...

本發明涉及一種電源設備數據采集和故障檢測的裝置，其特征在于由不同類型的接口組成的電源通信采集端口、一組電壓電流采集（測量）模塊、主控制器、數據上傳通信端口、供電模塊及安裝外殼組成，每個電壓電流采集（測量）模塊與主控制器連接通訊，供電模塊...

本發明提供一種MEMS器件的焊盤的制備方法，它包括在雙拋硅片上依次制備有第一介質層、第一過渡金屬層、第一金屬層、第二過渡金屬層、第二介質層、第三過渡金屬層、第二金屬層（10）和過渡介質層（11）。本發明通過在焊盤內增加合適的過渡金屬層和...

本發明公開一種靜電消除裝置，它包括：底座（1），其特征在于：在底座（1）上通過連接裝置可拆卸的安裝有靜電消除器本體（2），在底座（1）上還連接有一組接線固定裝置（3）。本發明使用方便，便于對靜電消除器本體進行快速的安裝，方便將靜電消除器...

本發明涉及一種多層壓電復合材料感驅一體電極焊盤制作方法，屬于傳感器技術領域。它包括絕緣封裝層，絕緣封裝層內具有由下到上依次設置的第一驅動功能層組、感應功能層組、第二驅動功能層組和第三驅動功能層組；第一至第三驅動功能層組均包括由下到上依次...

本發明涉及一種消除真空回流焊芯片翻轉的方法，屬于厚膜混合電路組封裝焊接技術領域。本發明主要通過調整抽真空閥的抽真空速率，并在回流階段按照階梯式抽真空，即采用小抽閥抽真空3～10s、加熱3～5s并重復進行2～4次的工藝步驟，在降低抽真空速...

本發明公開了晶胞結構驅動管的版圖布局方法，包括：S1、根據LAYOUT?DRC?RULE和晶體管圖層信息，確定襯底/阱的接觸類型及尺寸；S2、根據LAYOUT?DRC?RULE、晶體管圖層信息和襯底/阱接觸類型信息，確定接觸孔的通孔類型...

本發明涉及一種壓阻式三軸加速度計制備方法，包括以下步驟，1.在雙拋硅片（1）制作空腔（4）和Z軸方向止擋（5）；3.將雙拋硅片（2）與雙拋硅片（1）鍵合在一起并制作XYZ軸敏感結構（7、8、9）、XYZ軸止擋（10、11）；4.在雙拋硅...

本發明公開了16位PWM?DAC數模轉換電路，包括16位脈寬調制器、高低位PWM量化器以及二階有源低通濾波器；16位脈寬調制器包括兩路雙8位PWM調制轉換通道，分別為高8位PWM調制轉換通道和低8位PWM調制轉換通道；高低位PWM量化器...

本發明公開了光電測量技術領域的一種偏振EMCCD器件參數測試系統，包括均勻光源、偏振角度控制模塊、暗箱以及上位機參數測試系統；暗箱用于放置待測偏振EMCCD器件；均勻光源用于產生目標波長和目標光強的均勻光并照射至偏振角度控制模塊，偏振角...

一種MEMS差壓傳感器芯片結構及制備方法，它包括襯底，在襯底上設有硅片，在硅片上設有壓力空腔、一組隔離槽和一組壓敏電阻，在硅片上還設有一組與壓敏電阻對應配合的金屬引線。通過在硅片上光刻、硼注入、去膠和硼擴散工藝制備壓敏電阻而后通過光刻、...

本發明公開了一種應用于流水線模數轉換器的參考電壓電路，包括正負參考電壓輸出緩沖電路，包括順次相連的第一電壓移位電路、正負參考電壓輸出緩沖電路和共模電壓反饋電路；所述共模電壓輸出緩沖電路包括順次相連的第二電壓移位電路和共模輸出緩沖器，所述...

本發明公開的一種滿占空比的高速驅動電路，包括驅動電路模塊、自舉升壓電路模塊、穩壓電路模塊，所述驅動電路模塊由第一驅動電路和第二驅動電路組成，所述第一驅動電路和第二驅動電路均通過輸入信號IN1和輸入信號IN2驅動，且所述輸入信號IN1、輸...