本技術(shù)提供了一種高導(dǎo)熱金剛石IGBT散熱結(jié)構(gòu)，包括金剛石層和IGBT層，金剛石層一表面設(shè)有銅層，IGBT層至少一面設(shè)有覆有銅層的金剛石層，IGBT層與部分銅層貼合連接。本申請利用金剛石優(yōu)異的導(dǎo)熱率、絕緣性、化學(xué)惰性，設(shè)計(jì)出新型IGBT的...

本技術(shù)公開了一種具有散熱和檢測功能的金剛石基體及金剛石設(shè)備。該金剛石基體包括層疊設(shè)置的多個金剛石片，相鄰兩個金剛石片固定結(jié)合，多個金剛石片包括相鄰設(shè)置的第一金剛石片與第二金剛石片以及相鄰設(shè)置的第三金剛石片與第四金剛石片，第一金剛石片與第...

本技術(shù)公開了一種用于制備單晶金剛石傾斜面的銅夾咀；包括固定部、中間部、安裝口；所述固定部與中間部固定連接；所述安裝口置于中間部的端面上；所述安裝口用于放置單晶金剛石；所述安裝口在端面上凹陷設(shè)置，并且所述安裝口的凹陷底面呈傾斜設(shè)計(jì)；包括固...

本發(fā)明公開了一種金剛石/單晶硅復(fù)合立體基板、其制備方法與應(yīng)用。所述金剛石/單晶硅復(fù)合立體基板包括單晶硅基底和設(shè)置在單晶硅基底上的金剛石層，所述金剛石層遠(yuǎn)離所述單晶硅基底的一側(cè)表面上形成有微納結(jié)構(gòu)，所述微納結(jié)構(gòu)包括間隔分布的多個凸起部。本...

本發(fā)明公開了一種金剛石/硅復(fù)合襯底及其制法、金剛石基硅芯片的制造方法。金剛石/硅復(fù)合襯底的制備方法包括：在硅片的第一表面生長形成碳化物層，碳化物層包括多個間隔排布的碳化物微結(jié)構(gòu)；對碳化物層進(jìn)行表面改性處理，以將碳化物層的表面官能團(tuán)轉(zhuǎn)化為...

本發(fā)明提供了一種具有散熱結(jié)構(gòu)的碟片激光器的制備方法，包括：對硅片進(jìn)行清洗，清洗后放入金剛石微粉溶液中進(jìn)行超聲、烘干后得到預(yù)處理的硅片；在預(yù)處理的硅片表面生長多晶金剛石；腐蝕掉硅襯底，得到多晶金剛石；對多晶金剛石依次進(jìn)行研磨與拋光處理后；...

本技術(shù)提供了一種MPCVD設(shè)備的測溫傳感器支架，包括固定座、導(dǎo)軌、滑塊、安裝架、測角儀和傳感器，固定座為圓環(huán)型，導(dǎo)軌徑向固定于固定座的圓環(huán)上，滑塊設(shè)于安裝架下端與導(dǎo)軌連接，測角儀豎直安裝于安裝架內(nèi)側(cè)，傳感器豎直設(shè)于測角儀上。該安裝架整體...

本技術(shù)提供了一種基于金剛石散熱的光通訊結(jié)構(gòu)，其金剛石基板設(shè)于銅鎢底座上表面或側(cè)面，至少金剛石基板上下表面設(shè)有金屬化層，光芯片設(shè)于金剛石基板上，光芯片與金剛石基板和金剛石基板與銅鎢底座之間設(shè)有焊料層，銅鎢底座底面設(shè)于TEC制冷器上。該光通...

本發(fā)明提供了一種GaN芯片的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法，其中，一種GaN芯片的封裝結(jié)構(gòu)包括：GaN芯片；電極，所述電極設(shè)置在GaN芯片上端面；第一DBC散熱結(jié)構(gòu)，所述第一DBC散熱結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述電極上端面；金剛石微通道，所述金剛石微通道設(shè)置在...

本發(fā)明提供了一種復(fù)合金剛石光學(xué)窗口材料的制備方法，包括：將硅片進(jìn)行清洗，將清洗后放入金剛石微粉溶液中進(jìn)行超聲處理，超聲后取出烘干；采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備在附著金剛石微粉的硅片表面生長多晶金剛石，生長后在多晶金剛石正中間放上金屬...

本發(fā)明公開了一種金剛石?陶瓷復(fù)合基板的制備方法，屬于復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明包括如下步驟：S1、襯底預(yù)處理；S2、通過MPCVD裝置生長金剛石；本發(fā)明通過在陶瓷基板上利用MPCVD的方式在表面生長一層20?200微米厚的多晶金剛石薄膜，...

本申請?zhí)峁┝艘环N采用燒結(jié)方式在金剛石上覆銅的方法，包括以下步驟：準(zhǔn)備高熱導(dǎo)率的多晶金剛石熱沉片和銅粉；2)將熱沉片進(jìn)行磁控濺射得到鍍薄銅沉片；將熱沉片置于模具內(nèi)，倒入銅粉，震平，施加壓力，得到覆銅金剛石的預(yù)制件；連同模具放入保護(hù)氣氛燒結(jié)...

本發(fā)明提供了一種在碳化硅表面鍍膜的方法，包括：吸附納米金剛石步驟：對碳化硅基材表面進(jìn)行清洗，清洗后吹干碳化硅基材表面，得到清潔干凈的樣品；將樣品放入等離子清潔機(jī)中，使樣品表面附帶上靜電，附帶上靜電后將其浸泡于納米金剛石溶液中，使其表面電...

本申請?zhí)峁┝艘环N用于集成電路的金剛石散熱基板，包括金剛石層，以及依次鍍射于金剛石層上的種子層和金屬化層，所述種子層為能與C元素形成碳化物的金屬。其通過利用MPCVD在硅襯底上生長多晶金剛石薄膜；再將金剛石片采用熱蒸鍍或PVD對其鍍射種子...

本發(fā)明屬于材料科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種覆銅金剛石熱沉片的制備方法，包括：在金剛石熱沉片的每一面分別依次濺射氮化鋁膜層、純金屬鈦層和銅層，制得預(yù)制件；將預(yù)制件放入真空退火爐內(nèi)退火，得到退火后的預(yù)制件，將退火后的預(yù)制件進(jìn)行電鍍覆銅，制得覆...

本發(fā)明屬于傳感器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種壓力傳感器芯片及其制備方法，包括：彈性膜；四個壓敏電阻，四個所述壓敏電阻設(shè)置在所述彈性膜上；以及電極，四個所述壓敏電阻和所述電極形成惠斯通電橋結(jié)構(gòu)。金剛石具有超寬禁帶寬度、超高電子遷移率、高硬度和超...

本發(fā)明公開了一種基于靜電自組裝法的金剛石薄膜沉積方法，包括以下步驟：提供基板，對基板進(jìn)行清洗和干燥，將干燥后的基板進(jìn)行預(yù)處理，使預(yù)處理后的基板帶有電荷，預(yù)處理的方式包括加熱處理或者浸漬處理；提供金剛石微粒，對金剛石微粒進(jìn)行預(yù)處理，使預(yù)處...

本發(fā)明屬于材料科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種生長凸面金剛石的鉬臺與生長方法，一方面，一種生長凸面金剛石的鉬臺，包括：碗狀殼體；至少四層圓環(huán)；以及凹槽，所述凹槽設(shè)置在碗狀殼體內(nèi)側(cè)的底部。另一方面，一種生長凸面金剛石的生長方法，包括：將襯底材料...

本申請涉及一種金剛石膜片制備方法及金剛石膜片，其包括S1：提供基板；S2：對基板進(jìn)行清潔，具體為利用等離子體對基板材料表面進(jìn)行轟擊蝕刻清潔；S3：在基板上生長金剛石膜片；S4：將金剛石膜片與基板分離，其中，金剛石膜片與基板的熱膨脹系數(shù)不...

本發(fā)明公開了一種氮化鎵激光器及其加工工藝，包括基座