本發明公開了一種發光裝置及顯示裝置，該發光裝置包括透明層、架空層、粘合層、多個發光元件以及布線層；架空層形成于透明層的表面，架空層包括第一表面和第二表面，第一表面與透明層相貼合，架空層的第二表面上形成有至少一個凹槽，凹槽自第二表面至第一...

本發明公開了一種發光裝置及顯示裝置，該發光裝置包括多個發光元件、填充層、布線層以及多個焊盤電極。其中，多個發光元件間隔設置；填充層設置于相鄰發光元件之間，以填充相鄰發光元件之間的間隙；填充層包括第一填充結構，第一填充結構至少設置于每個發...

本發明公開了一種發光裝置及顯示裝置，該發光裝置包括多個發光元件、布線層以及絕緣層。多個發光元件間隔設置。布線層形成于多個發光元件上，并與每個發光元件電連接。絕緣層形成于布線層上，絕緣層的邊緣具有多個缺口部，每個缺口部至少暴露出發光裝置的...

本發明公開了一種發光裝置及顯示裝置，該發光裝置包括透明層、多個角度調節層、多個發光元件、布線層及多個保護電極；多個角度調節層間隔設置于所述透明層的上方；每個發光元件對應設置于每個所述角度調節層上，且每個所述發光元件的出光側與所述角度調節...

本發明公開了一種發光裝置及顯示裝置，發光裝置包括透明層、間隔布置的多個發光元件、驅動芯片及兩個以上的焊盤。透明層包括相對設置的第一表面和第二表面，第一表面為出光面。間隔布置的多個發光元件設置于透明層的第二表面上。驅動芯片設置于透明層的第...

本申請提供了一種DBR結構、發光二極管及發光裝置，該DBR結構依次包括：第一部分，包括若干個光學厚度大于0.1λ的第一材料層，以及至少一個光學厚度小于0.05λ的第一材料層；第二部分，其中第一材料層的光學厚度介于0.3λ至0.45λ之間...

本發明涉及半導體技術領域，提供一種發光二極管及發光裝置。該發光二極管包括外延結構、第二接觸電極、絕緣層。外延結構包括依次層疊的第一半導體層、有源層和第二半導體層；多個第二接觸電極分布在第二半導體層上方且電連接第二半導體層；絕緣層至少覆蓋...

本發明提供一種半導體發光元件及發光裝置，半導體發光元件自發光外延層向第一表面投影，第一半導體層的下邊緣具有第一投影線，第二導電類型半導體層的上邊緣具有第二投影線，第一投影線位于第二投影線的外圍，并且焊盤電極靠近發光外延層的邊緣的投影邊界...

本申請提供了一種發光二極管及發光裝置，該發光二極管至少包括：外延結構，包括依次疊置的第一半導體層、有源層及第二半導體層，還包括第一臺面和第二臺面，第一臺面露出第一半導體層表面，第二臺面露出第二半導體層表面；電流擴展層，設置于第二半導體層...

本申請提供了一種單元像素，包括：透明層；多個間隔設置的發光元件；填充層，填充于相鄰所述發光元件之間，所述填充層包括遠離所述透明層的第一表面和靠近所述透明層的第二表面；布線層，位于所述發光元件之上，并與所述發光元件電極墊接觸；其中，所述填...

本發明提供一種發光裝置及其制備方法、以及顯示器，該發光裝置包括多個發光模組，發光模組包括位于遠離基板一側的第一保護層，由于發光模組與基板焊接時，金屬連接層的厚度難以統一，難以保證各個發光模組的出光面統一齊平，因此本發明將第一保護層的材料...

本發明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種發光二極管，其包括至少二半導體疊層，各半導體疊層包括依次的第一半導體層、發光層和第二半導體層，第一接觸電極設置在第一半導體層上并電連接第一半導體層，第二接觸電極設置在第二半導體層上并電連接第二半...

本申請提供一種發光模組，包括：間隔布置的多個發光元件；布線層，形成于所述多個發光元件上，并用于與所述發光元件電連接；導電焊盤，形成于所述布線層遠離所述發光元件的一側，并與所述布線層電連接，所述導電焊盤的厚度大于或者等于5μm，所述導電焊...

提供一種發光二極管芯片，包括：透明襯底；半導體疊層，位于透明襯底上，由下至上包括依次堆疊的第一導電型半導體層、位于所述第一導電型半導體層上的第二導電型半導體層、及位于所述第一導電型半導體層與第二導電型半導體層之間的活性層；正面絕緣反射層...

本申請公開了發光元件、發光器件及顯示裝置，涉及半導體器件技術領域。發光元件包括發光元件為倒裝發光二極管且具有處于倒裝發光二極管最外側且相背設置的出光面和背光面；倒裝發光二極管包括外延疊層和分光層，外延疊層用于產生預定光；分光層設置于外延...

本申請提供一種高壓倒裝發光二極管芯片，包括襯底、外延層、接觸電極、絕緣反射層、第一保護層和焊盤層，絕緣反射層包括依次堆疊的第一絕緣層、第二絕緣層、第一反射層，第一保護層覆蓋至少部分第一反射層的上表面，相比于第一反射層，第一保護層為致密層...

本發明公開了一種發光裝置及顯示裝置，發光裝置包括透明層、多個發光元件及布線層。其中，透明層的第一表面上設置有第一圖形結構。多個發光元件間隔設置于透明層的第一表面的上方，每個發光元件的出光面與透明層的第一表面相對，發光元件的出光面上設置有...

本發明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種發光二極管，其包括外延結構和第一絕緣保護層，外延結構包括自下向上依次層疊的第一半導體層、發光層和第二半導體層，外延結構具有臺面，臺面是指第一半導體層的未被發光層所覆蓋到的上表面，第一絕緣保護層覆...

本發明涉及半導體技術領域，提供一種倒裝發光二極管及發光裝置，該倒裝發光二極管包括第一接觸電極、第二接觸電極、第一焊盤、第二焊盤；所述第一接觸電極包括第一導通部和第一擴展部；至少部分第一擴展部的投影與第二焊盤重疊，第一接觸電極含有鎳層；第...

本申請公開了倒裝發光二極管及發光裝置，涉及半導體制造技術領域。倒裝發光二極管包括外延層、第一接觸電極、第二接觸電極、絕緣層、第一焊盤電極和第二焊盤電極；外延層包括依次層疊的第一半導體層、發光層和第二半導體層；第一接觸電極電連接于第一半導...