本技術(shù)公開了一種用于碳化硅外延設(shè)備的托盤結(jié)構(gòu)，包括氣浮托盤和位于所述氣浮托盤上方的晶圓載盤，所述氣浮托盤上設(shè)置有三個螺孔，三個所述螺孔分布在三角形的三個頂點位置；其中一個所述螺孔中螺紋連接有第一螺桿，另外兩個所述螺孔中均螺紋連接有第二螺...

本技術(shù)公開了一種用于內(nèi)孔表面CVD涂層制備的裝置，其包括：支撐環(huán)、承接板和沉積基座；所述承接板呈圓形，所述承接板的邊緣搭接于所述支撐環(huán)上；所述承接板上設(shè)置有若干個通孔；所述沉積基座為圓筒型結(jié)構(gòu)，其內(nèi)腔為與待處理零件外形匹配的形狀；所述沉...

本技術(shù)公開了一種用于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的捕集裝置，其包括依次連通的進(jìn)氣管(1)、進(jìn)氣管路(2)、捕集罐體(3)、出氣管路(4)和出氣管(5)；其中，所述進(jìn)氣管路(2)、捕集罐體(3)和出氣管路(4)并聯(lián)設(shè)置有兩套；所述進(jìn)氣管路(2)、出氣...

本技術(shù)公開了一種用于CVD的多氣源進(jìn)氣裝置，其包括：同心設(shè)置第一進(jìn)氣管、第二進(jìn)氣管、第三進(jìn)氣管和噴嘴機(jī)構(gòu)，第二進(jìn)氣管的內(nèi)徑大于第一進(jìn)氣管的外徑，第三進(jìn)氣管的內(nèi)徑大于第二進(jìn)氣管的外徑；噴嘴機(jī)構(gòu)包括同心設(shè)置的第一噴氣通道、第二噴氣通道和第三...

本技術(shù)公開了一種CVD設(shè)備的供料系統(tǒng)，其包括：MTS儲液罐、進(jìn)料罐、混料罐、反應(yīng)腔進(jìn)氣管以及若干供氣管；所述MTS儲液罐通過第一進(jìn)料管與所述進(jìn)料罐連通，所述進(jìn)料罐通過第二進(jìn)料管與所述混料罐連通，若干所述供氣管與連通至所述混料罐，所述反應(yīng)...

本發(fā)明公開了一種制備碳化鉭涂層的CVD裝置，包括沉積爐、混合氣體進(jìn)氣管道、五氯化鉭粉體倉、螺旋輸送機(jī)構(gòu)、流化倉、進(jìn)氣裝置、流化氣體進(jìn)氣管道；所述流化倉位于所述五氯化鉭粉體倉的下方；所述螺旋輸送機(jī)構(gòu)豎直設(shè)置，其上端連接于所述五氯化鉭粉體倉...

本發(fā)明公開了一種用于制備顆粒產(chǎn)品的化學(xué)氣相沉積裝置，筒體豎直設(shè)置在化學(xué)氣相沉積爐的內(nèi)腔中，筒體的上端抵接于上蓋，下端抵接于下蓋；筒體的內(nèi)壁上設(shè)置有至少三個支撐圓環(huán)；筒體內(nèi)設(shè)置有至少三個多孔板；多孔板具有若干個通孔，多孔板的邊緣擱置于支撐...

本發(fā)明涉及陶瓷涂層領(lǐng)域，具體涉及一種碳化鉭復(fù)合涂層及其制備方法和應(yīng)用。所述碳化鉭復(fù)合涂層包括由表及里的碳化鉭涂層和碳化鉭?碳復(fù)合涂層；所述碳化鉭?碳復(fù)合涂層為多孔碳素涂層與含鉭原料在孔內(nèi)發(fā)生原位反應(yīng)得到。本發(fā)明通過對石墨基體噴碳處理，使...

本發(fā)明公開了一種臥式化學(xué)氣相沉積設(shè)備，包括爐體旋轉(zhuǎn)支撐組件和工件保持組件；爐體的軸線方向為水平方向，工件保持組件位于爐體內(nèi)，工件保持組件包括沿著軸線方向間隔設(shè)置的兩個以上的圓環(huán)，全部的圓環(huán)豎直設(shè)置且通過兩個以上的連接軸串聯(lián)在一起，圓環(huán)所...

本技術(shù)公開了一種外延治具的安裝結(jié)構(gòu)，包括定位軸(1)和石墨托盤(2)，所述定位軸(1)位于所述石墨托盤(2)的下方且定位于所述石墨托盤(2)的中心，其特征在于，所述定位軸(1)的頂端為弧頂結(jié)構(gòu)，所述石墨托盤(2)下表面的中心具有與所述弧...

本發(fā)明公開了一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備的真空與尾氣處理系統(tǒng)，其包括：尾氣管道、真空泵、水環(huán)泵和堿液池；所述尾氣管道的一端與反應(yīng)爐連通，所述尾氣管道的另一端與所述水環(huán)泵的進(jìn)氣口連通；所述真空泵通過真空管道與所述尾氣管道連通，實現(xiàn)所述真空泵與所述...

本發(fā)明涉及一種低溫化學(xué)氣相反應(yīng)法制備SiC涂層的方法，主要用于碳素材料的抗氧化保護(hù)。該方法采用適量Si粉、SiO2粉以及適量SiO粉為反應(yīng)原料，通過化學(xué)氣相反應(yīng)法在較低溫度下制備SiC涂層。該方法工藝簡單，制備的涂層結(jié)構(gòu)致密均勻，晶粒細(xì)...

本實用新型公開了一種用于放置硅襯底的石墨基座，包括由石墨制成的基座本體(1)，所述基座本體(1)上設(shè)置有用于容納襯底的圓形凹槽(2)，其特征在于：所述圓形凹槽(2)的邊緣處設(shè)置有錐面臺階(3)，所述錐面臺階(3)遠(yuǎn)離所述圓形凹槽(2)圓...