本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種硅基有機(jī)發(fā)光二極管的強(qiáng)微腔陽(yáng)極結(jié)構(gòu)及制備方法。該制備方法包括在CMOS基板上鍍一層第一透明絕緣氧化物層；對(duì)第一透明絕緣氧化物層進(jìn)行處理，得到RGB子像素所分別對(duì)應(yīng)的子像素溝槽；于子像素溝槽內(nèi)沉積一層陽(yáng)極金屬層作為金...

本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N微腔OLED顯示器及其制備方法，該微腔OLED顯示器包括微腔OLED顯示組件和覆蓋于其出光面的透鏡層，透鏡層上陣列排布有楔形微透鏡，每個(gè)楔形微透鏡覆蓋至少一個(gè)像素單元。這一設(shè)計(jì)旨在解決強(qiáng)微腔OLED顯示器在光機(jī)應(yīng)用中面臨...

本申請(qǐng)公開了一種OLED產(chǎn)品亮度差異改善系統(tǒng)及方法，涉及亮度補(bǔ)償領(lǐng)域，該系統(tǒng)包括：柔性電路板和驅(qū)動(dòng)芯片；柔性電路板用于在出廠后連接不同的治具，并獲取采用當(dāng)前治具點(diǎn)亮OLED產(chǎn)品時(shí)的當(dāng)前驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)和當(dāng)前反饋電壓信號(hào)，并將當(dāng)前驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)...

本發(fā)明提供了一種硅基OLED強(qiáng)微腔陽(yáng)極架構(gòu)及其制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的硅基OLED強(qiáng)微腔陽(yáng)極架利用陽(yáng)極層的側(cè)壁依次包覆氮化鈦和氧化銦錫，避免了陽(yáng)極材料的腐蝕，可顯著降低后續(xù)制程可能造成的對(duì)陽(yáng)極層金屬的腐蝕；且對(duì)于后續(xù)微腔厚...

本申請(qǐng)公開了一種顯示屏溫度補(bǔ)償方法及系統(tǒng)，涉及溫度補(bǔ)償領(lǐng)域，該方法包括：計(jì)算目標(biāo)顯示屏的初始溫度與當(dāng)前溫度的差值得到目標(biāo)溫差；根據(jù)目標(biāo)溫差和Gamma模型確定目標(biāo)顯示屏的Gamma數(shù)據(jù)差；根據(jù)目標(biāo)顯示屏的Gamma數(shù)據(jù)差對(duì)目標(biāo)顯示屏中寄...

本發(fā)明公開了一種硅基OLED使用的激光打碼治具，涉及激光打碼治具技術(shù)領(lǐng)域，包括治具臺(tái)，所述治具臺(tái)的頂部開設(shè)有滑槽，所述治具臺(tái)的頂部固定安裝有滑軌，所述滑軌的頂部固定安裝有大電機(jī)，且大電機(jī)的輸出端設(shè)置有絲桿，所述大電機(jī)輸出端的絲桿外壁螺紋...

本申請(qǐng)公開了一種三疊層OLED器件及三疊層OLED器件對(duì)應(yīng)的RGB像素裝置制備方法，涉及OLED微顯示領(lǐng)域，該三疊層OLED器件包括：R發(fā)光單元、G發(fā)光單元、B發(fā)光單元、陽(yáng)極層和陰極層；所述R發(fā)光單元、所述G發(fā)光單元和所述B發(fā)光單元基于...

本技術(shù)公開了一種用于real?RGB的陽(yáng)極基體及發(fā)光器件，涉及發(fā)光器件制作技術(shù)領(lǐng)域，用于real?RGB的陽(yáng)極基體包括：切斷結(jié)構(gòu)、隔離結(jié)構(gòu)以及具有陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的基板，至少部分所述隔離結(jié)構(gòu)設(shè)置于相鄰兩個(gè)所述陽(yáng)極結(jié)構(gòu)之間的所述基板上，所述陽(yáng)極結(jié)...

本發(fā)明提供了一種陽(yáng)極保護(hù)制備Real?RGB?OLEDoS的方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供了一種陽(yáng)極保護(hù)制備Real?RGB?OLEDoS的方法，本發(fā)明先形成第一介電材料層(200)，再利用光刻刻蝕去膠工藝分別進(jìn)行第一刻蝕、第三刻...

本發(fā)明提供了一種硅基OLED強(qiáng)微腔陽(yáng)極的制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明利用干法刻蝕除去所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)之間的透明導(dǎo)電層物質(zhì)以及金屬電極沉積層，形成所述金屬電極層，然后去除所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和...

本發(fā)明提供了一種強(qiáng)微腔微顯示陽(yáng)極結(jié)構(gòu)及其制備方法，屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。本發(fā)明的強(qiáng)微腔微顯示陽(yáng)極結(jié)構(gòu)包括CMOS電路層、子像素區(qū)和貫穿所述CMOS電路層的CMOS導(dǎo)電通孔層，所述子像素區(qū)間隔設(shè)置在所述互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體電路層上，所述子像素區(qū)...

本發(fā)明提供了一種Real?RGB?OLEDoS的制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過對(duì)第一介電材料層材料、導(dǎo)體材料層材料和第二介電材料層材料分別進(jìn)行第一底部?jī)?nèi)切、第二底部?jī)?nèi)切和第三底部?jī)?nèi)切以及對(duì)非第一子像素區(qū)的第一子像素區(qū)OLED功...

本發(fā)明公開了一種像素單元及其制作方法，涉及顯示設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，像素單元包括基板、三個(gè)子像素層、陽(yáng)極層和陰極層，三個(gè)子像素層沿著遠(yuǎn)離基板的方向依次疊設(shè)于基板正面，陽(yáng)極層設(shè)置于基板正面，每個(gè)子像素層的正面均設(shè)置有一個(gè)陰極層，陰極層選用透明材質(zhì)...

本發(fā)明提供了一種用于緩解、防止WOLED橫向漏電流的陽(yáng)極結(jié)構(gòu)、OLED顯示面板及其制備方法，屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。包括CMOS和N個(gè)結(jié)構(gòu)單元，N個(gè)所述結(jié)構(gòu)單元間隔設(shè)置在所述互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體層上，所述N為≥1的正整數(shù)，所述結(jié)構(gòu)單元之間利用陽(yáng)...

本發(fā)明屬于OLED封裝結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陽(yáng)極結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用、一種OLED結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供一種陽(yáng)極結(jié)構(gòu)，包括基板和位于所述基板表面呈陣列分布的若干像素單元；每條像素單元包括陽(yáng)極層和覆蓋在所述陽(yáng)極層上的PEDOT：PSS層；...

本發(fā)明屬于有機(jī)發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種OLED結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供一種OLED結(jié)構(gòu)，包括依次層疊設(shè)置的陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述發(fā)光層的材料包括主體材料和客體材料；所述主體材料包括n型半...

本發(fā)明屬于有機(jī)發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種OLED陽(yáng)極結(jié)構(gòu)、一種OLED微顯示器。本發(fā)明提供一種OLED陽(yáng)極結(jié)構(gòu)，包括由下到上依次層疊設(shè)置的CMOS基板、鋁層、修飾層和透明金屬氧化物層；所述修飾層包括單質(zhì)銀層或銀合金層。本發(fā)明以銀或...

本技術(shù)公開了一種OLED封裝結(jié)構(gòu)，涉及封裝技術(shù)領(lǐng)域，包括基底，基底頂面的顯示區(qū)四周設(shè)置有凹槽，基底頂面及凹槽內(nèi)表面設(shè)有第一CVD無(wú)機(jī)膜層，第一CVD無(wú)機(jī)膜層在凹槽位置處形成無(wú)機(jī)膜層凹槽，第一CVD無(wú)機(jī)膜層上設(shè)有噴墨有機(jī)膜層，噴墨有機(jī)膜層...

本發(fā)明公開了一種透明陰極結(jié)構(gòu)及硅基有機(jī)發(fā)光二極管，涉及二極管配件的技術(shù)領(lǐng)域，包括依次設(shè)置第一有機(jī)薄膜層、稀土金屬氧化物層、第二有機(jī)薄膜層和透明金屬氧化物層。本發(fā)明的陰極結(jié)構(gòu)具有高電子注入效率及優(yōu)秀電子傳輸性能，能在不影響白光OLED器件...

本技術(shù)公開了一種Micro?OLED結(jié)構(gòu)，涉及顯示器件技術(shù)領(lǐng)域，Micro?OLED結(jié)構(gòu)的陽(yáng)極層包括若干陽(yáng)極結(jié)構(gòu)，陽(yáng)極結(jié)構(gòu)包括陽(yáng)極基體、第一陽(yáng)極側(cè)壁和第二陽(yáng)極側(cè)壁，第一陽(yáng)極側(cè)壁和第二陽(yáng)極側(cè)壁對(duì)稱設(shè)置在陽(yáng)極基體上，PDL層包括若干PDL結(jié)...