本公開提供了一種太陽電池的制備方法以及太陽電池。該太陽電池的制備方法包括如下步驟：提供半導體襯底；在半導體襯底的背面形成第一鈍化結構，第一鈍化結構包括依次層疊設置的第一隧穿層和第一本征硅層；對第一鈍化結構進行圖形化處理，形成露出半導體襯...

本發明屬于太陽能電池技術領域，提供了一種背接觸電池及其制備方法，該方法包含下列步驟：在半成品電池的正、反面沉積Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;層，得到中間體；在中間體的正面和...

本發明屬于背接觸電池技術領域，公開了一種改善氮化硅粉塵的背接觸電池減反膜的制備方法。本發明將硅片送入PECVD設備中，依次進行升溫、恒溫、抽真空、恒壓后，通入氨氣進行電離，電離結束后抽真空，完成硅片的膜前清洗；然后依次沉積三層氮化硅膜；...

本發明提供了一種后制絨式背接觸電池的正膜結構及其制備方法，屬于太陽能電池技術領域。本發明的正膜結構包括自下而上依次設置于襯底正面的氧化硅預處理膜層1、第一氮化硅低膜層2、第二氮化硅低膜層3、第一氮氧化硅膜層4、氮化硅最上層5、第二氮氧化...

本申請涉及光伏技術領域，提供了一種太陽電池、太陽電池的制備方法以及光伏組件，太陽電池包括基底和鈍化層。其中，基底包括沿厚度方向相對設置的向光面和背光面；鈍化層設置于基底的背光面上，鈍化層包括沿遠離基底的方向依次層疊設置的至少兩層氮化硅層...

本發明公開了一種后制絨式背接觸電池的平鋪式石墨舟及其夾持裝置，屬于太陽能電池技術領域，其包括上舟頁、下舟頁、位于上舟頁和下舟頁之間的多個內舟頁及電極，上舟頁、下舟頁及內舟頁均為實心舟頁，且下舟頁及內舟頁均預留有凹槽，凹槽用于硅片在舟內的...

本發明公開了一種背接觸電池的電極結構，包括：第一細柵、第二細柵、pad點和主柵；所述第一細柵和所述第二細柵相互交錯且平行設置；所述第一細柵和所述第二細柵均與所述主柵垂直交叉設置；所述第二細柵與所述主柵相交處斷開設置；所述第一細柵將除最外...

本發明公開了一種后制絨背接觸電池鍍膜爐管及進氣管路，屬于太陽能電池技術領域，其包括爐管的內部沿圓周方向上間隔設置有多組固定鉤點；多根進氣管與多組固定鉤點一一對應設置，進氣管與爐管的延伸方向一致，并分別通過對應設置的固定鉤點固定在爐管的內...

本發明公開了一種背接觸鈍化電池的制備方法及結構，屬于太陽能電池技技術領域，其包括首先對半導體襯底進行清洗，在襯底的其中一面開始鈍化層的制備；在背面單側沉積一層保護層；使用激光設備對背面的保護膜進行選擇性開槽處理；然后將其放入熱擴散爐中，...

本發明屬于太陽能電池技術領域，提供了一種Topcon太陽能電池背鈍化膜層結構及其制備方法。本發明的背鈍化膜層結構為多層背鈍化疊層結構，順次包含氮化硅膜、氧化硅膜；氮化硅膜的層數為1～4層，氧化硅膜的層數為1層。本發明主要從光學、鈍化方面...

本申請涉及一種背接觸太陽能電池的制備方法及光伏組件，該制備方法包括提供硅基底，硅基底包括第一、第二表面，第一表面包括第一、第二區域；于第一表面形成隧穿氧化層、摻雜半導體層和激光阻擋層；對位于第一區域的激光阻擋層以及第一區域與第二區域鄰接...

本申請涉及一種太陽能電池及其制備方法、光伏組件。太陽能電池，包括：半導體基底，具有相對設置的第一面和第二面；半導體基底上設有沿第一方向交替排布的第一區和第二區；第一方向垂直于半導體基底的厚度方向；第一半導體層，設于第一面上，且位于第一區...

本申請涉及一種背接觸太陽電池，包括：襯底。襯底的同一表面上設置有呈叉指狀間隔設置的第一摻雜層和第二摻雜層，第一摻雜層和第二摻雜層具有相反的摻雜類型。襯底上還設置有隔離槽，隔離槽設置于第一摻雜層和第二摻雜層之間，隔離槽用于間隔第一摻雜層和...

本申請涉及電池技術領域，特別是涉及一種太陽能電池結構。太陽能電池結構包括：基底；細柵，位于基底的一側，細柵包括沿第二方向延伸且間隔交替設置的第一細柵和第二細柵，第一細柵和第二細柵穿越多個第一區域和多個第二區域；絕緣層，包括第一絕緣結構和...

本發明涉及一種背接觸太陽能電池及其制備方法。上述背接觸太陽能電池包括單晶硅襯底、隧穿氧化層、第一摻雜類型多晶硅層、第二摻雜類型多晶硅層、本征非晶硅層、第一電極以及第二電極；所述隧穿氧化層設置在所述單晶硅襯底的一側上，所述第一摻雜類型多晶...

本申請涉及一種太陽電池的制備方法、太陽電池。本申請的太陽電池的制備方法，包括如下步驟：提供襯底，襯底具有相對設置的正面和背面；于襯底的背面上制備依次層疊設置的隧穿氧化層和本征硅材料層；通過激光處理對本征硅材料層進行摻雜，分別得到第一摻雜...

本發明涉及一種背接觸太陽能電池及其制備方法。上述背接觸太陽能電池包括單晶硅襯底、隧穿氧化層、第一摻雜類型多晶硅層、第二摻雜類型多晶硅層、本征非晶硅層、第一電極以及第二電極。隧穿氧化層設置在單晶硅襯底的第一側上，第一摻雜類型多晶硅層、第二...

本申請涉及一種太陽電池的制備方法、太陽電池。本申請的太陽電池的制備方法，包括如下步驟：提供襯底，襯底具有相對設置的正面和背面；在襯底的背面上形成凹槽；在襯底開設有凹槽的背面上制備依次層疊設置的隧穿氧化層和本征硅材料層；本征硅材料層具有分...