本發(fā)明公開了一種鈍化接觸結(jié)構(gòu)、多晶硅鈍化接觸電池及制備方法，本發(fā)明的鈍化接觸結(jié)構(gòu)在局域鈍化接觸結(jié)構(gòu)中采用方阻在2000Ω/sq以上的介質(zhì)緩沖層，且控制介質(zhì)緩沖層的寬度小于背表面的寬度，實(shí)現(xiàn)局部設(shè)置，該結(jié)構(gòu)不僅克服了傳統(tǒng)“賤”金屬漿料使用...

本發(fā)明涉及鈍化接觸電池包括單晶硅片和背面結(jié)構(gòu)層，背面結(jié)構(gòu)層包括基于本征多晶硅層形成選擇性多晶硅層，其中選擇性多晶硅層包括構(gòu)成磷原子的濃度不同的內(nèi)外摻雜結(jié)構(gòu)層的第一、二、三摻雜多晶硅層。本發(fā)明一方面不僅使得非金屬區(qū)域的多晶硅層減少了重?fù)诫s...

本發(fā)明涉及鈍化接觸電池背面結(jié)構(gòu)層的制備方法及鈍化接觸電池，其包括步驟：首先選取單晶硅片去除背面及邊緣的BSG層，同時(shí)在硅片背面依次生長隧穿氧化層和本征多晶硅層；其次基于本征多晶硅層形成選擇性多晶硅層；最后在外摻雜結(jié)構(gòu)層上形成鈍化減反膜層...

本發(fā)明公開了具有選擇性多晶硅層的鈍化接觸電池及其制備方法。本發(fā)明在TOPCon太陽能電池背面每一條激光掃描線均采取分離的形式，中間由磷重?fù)诫s多晶硅層隔開，不存在激光掃描路徑的交疊，且保留了主柵周圍區(qū)域的部分磷摻雜多晶硅層結(jié)構(gòu)，這樣的結(jié)構(gòu)...

本發(fā)明公開了一種TOPCon電池的磷擴(kuò)散方法和制備方法及其應(yīng)用。磷擴(kuò)散方法包括以下步驟：將背面形成有隧穿氧化層和非晶硅層的硅片進(jìn)行升溫、第一次通源沉積、第二次通源沉積、有氧推進(jìn)處理、無氧推進(jìn)處理、第三次通源沉積和降溫退火；所述第一次通源...

本發(fā)明涉及的TBC電池的制備方法，其包括步驟：1)單晶硅表面處理；2)形成隧穿氧化層；3)形成叉指鈍化接觸層；4)形成鈍化層和減反膜層；5)形成金屬電極。本發(fā)明一方面采用沉積技術(shù)結(jié)合圖形化掩膜板和疊加原位摻雜，可實(shí)現(xiàn)一個工序制備完成TB...

本發(fā)明公開了一種用于太陽能電池封裝的除濕材料及其制備方法和應(yīng)用。該除濕材料包括玻璃纖維，以及位于玻璃纖維上的二氧化硅和分子篩；所述分子篩選自13X分子篩、5A分子篩、4A分子篩、3A分子篩中的一種或多種的組合。太陽能電池組件，包括面板、...

本技術(shù)公開了鈍化接觸電池及光伏組件和光伏系統(tǒng)，其電池結(jié)構(gòu)包括硅片本體、正面摻雜層、正面鈍化層、正面金屬電極、背面摻雜層、背面鈍化層、背面金屬電極，其中在背面摻雜層和硅片本體的背面之間形成隧穿氧化層，背面摻雜層包括與背面金屬電極一一對應(yīng)的...

本技術(shù)公開了一種具有選擇性隧穿層厚度的鈍化接觸結(jié)構(gòu)及TOPCon電池，通過調(diào)整隧穿氧化硅層在不同區(qū)域的厚度，具體是調(diào)整非金屬接觸區(qū)域與金屬接觸區(qū)域?qū)?yīng)的隧穿氧化硅層的厚度，不僅降低了金屬接觸區(qū)域的金屬復(fù)合以及接觸電阻率，而且還能明顯抑制...

本技術(shù)公開了背接觸晶硅電池IV測試裝置，測試裝置包括測試光源、測試背板、探測單元，其中測試背板上設(shè)有與電池相匹配的定位區(qū)、位于定位區(qū)內(nèi)的多個真空氣孔，電池吸附并定位在定位區(qū)內(nèi)；電池的背面具有多條正極主柵和負(fù)極主柵，探測單元包括正電流探測...

本技術(shù)公開了太陽能電池的柵線電阻測量裝置，其包括框架、探測針組件和數(shù)字源表測量組件，其中探測針組件包括排座、多個探針以及滑動連接部，多個探針分別并排插裝于各排座中以形成探針排，且各探針排中的探針相對交錯串接以形成第一、二接線端；各探針排...

本技術(shù)公開了一種鈍化接觸結(jié)構(gòu)及鈍化接觸晶硅電池，包括：分別設(shè)置在金屬接觸區(qū)域的第一隧穿氧化硅層、第一多晶硅層，第一多晶硅層覆蓋在第一隧穿氧化硅層上；分別設(shè)置在硅基體的背表面上的第二隧穿氧化硅層、第二多晶硅層；在金屬接觸區(qū)域，第一隧穿氧化...

本發(fā)明涉及具有自限制膜層結(jié)構(gòu)的鈍化接觸電池及制備方法，且包括步驟：選取單晶硅片進(jìn)行表面預(yù)處理，使得正面和背面分別形成絨面；在硅片正面形成硼摻雜發(fā)射極，背面進(jìn)行拋光處理以形成平面；在平面上覆蓋形成隧穿氧化層及背面摻雜層；形成鈍化減反射膜層...

本發(fā)明涉及晶硅電池切割面鈍化方法及太陽能電池片半片和電池結(jié)構(gòu)，其晶硅電池切割面鈍化方法用于太陽能電池片半片的切割面在同一個腔體的兩個分區(qū)中依次進(jìn)行相分隔的PVD磁控濺射以使得切割面上依次形成第一鈍化層和第二鈍化層。本發(fā)明一方面通過所形成...

本發(fā)明公開了一種用于TOPCon電池片主柵的漿料及其制備方法和應(yīng)用。以重量百分比計(jì)，該漿料包括以下組分：銀粉65％?80％、有機(jī)載體5％?10％和玻璃粉10％?25％；玻璃粉中，以重量百分比計(jì)，含有二氧化硅83％?88％、高軟化點(diǎn)含鉀玻...

本技術(shù)公開了具有非對稱半片結(jié)構(gòu)的背接觸電池，該背接觸電池包括具有半片結(jié)構(gòu)的硅基層；分布在硅基層背面上的多根正、負(fù)極主柵和多根正、負(fù)極副柵；正極主柵包括相互導(dǎo)通的正極主柵段、正極框架、正極焊接點(diǎn)，負(fù)極主柵包括相互導(dǎo)通的負(fù)極主柵段和負(fù)極焊接...

本發(fā)明公開了一種具有選擇性多晶硅層的鈍化接觸電池及其制備方法。該電池采用選擇性多晶硅層摻雜技術(shù)，在多晶硅層的局部區(qū)域間隔設(shè)置摻雜多晶硅層，在背面鈍化減反射層上間隔設(shè)置局域凹槽，金屬柵線僅在凹槽區(qū)域與摻雜多晶硅層形成接觸，非局域開孔區(qū)域，...

本發(fā)明涉及具有選擇性多晶硅層的鈍化接觸電池結(jié)構(gòu)及制備方法，包括步驟：1）選取單晶硅片進(jìn)行表面處理并形成絨面；2）對制絨硅片表面形成硼摻雜發(fā)射極；3）去除背面及邊緣的BSG層；4）依次生長隧穿氧化層和本征多晶硅層；5）形成選擇性多晶硅層；...

本發(fā)明涉及TOPCon電池結(jié)構(gòu)及其制備方法，該方法選擇單晶硅為基底并正背面處理，正面形成硼摻雜發(fā)射極和BSG層，背面形成隧穿氧化層；在隧穿氧化側(cè)層背面依次形成n+poly?Si層和PSG層；去除BSG層和PSG層，并在n+poly?Si...

本發(fā)明涉及基于一次印刷以篩選獲取漿料印刷性的方法及網(wǎng)版，其方法包括如下步驟：S1、預(yù)設(shè)網(wǎng)版圖形；S2、漿料印刷燒結(jié)；S3、EL測試。本發(fā)明一方面基于同一網(wǎng)版上設(shè)置不同網(wǎng)版線寬參數(shù)進(jìn)行分區(qū)和一次印刷、燒結(jié)及EL測試，即，經(jīng)過篩選一次性獲取...