本發(fā)明公開了一種集成電路用堿性硅清洗液加工廢液處理罐，屬于廢液處理罐技術(shù)領(lǐng)域，包括處理罐罐蓋、處理罐罐體和進(jìn)液管，所述處理罐罐體開口處安裝有處理罐罐蓋，且處理罐罐蓋套設(shè)在進(jìn)液管表面上，所述處理罐罐體內(nèi)壁固定有安裝框，且安裝框中部固定有隔...

本技術(shù)公開了一種便于取樣的化工安全反應(yīng)釜，涉及化工安全反應(yīng)釜技術(shù)領(lǐng)域，本技術(shù)通過安裝有取樣管，支撐桿對(duì)頂部的支撐殼固定，支撐殼對(duì)內(nèi)側(cè)的旋轉(zhuǎn)軸支撐，保證旋轉(zhuǎn)軸可以平穩(wěn)旋轉(zhuǎn)，控制電機(jī)運(yùn)行帶動(dòng)輸出端的旋轉(zhuǎn)軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)帶動(dòng)外側(cè)的驅(qū)動(dòng)輪...

本技術(shù)公開一種保溫車間用事故風(fēng)機(jī)組件，包括事故風(fēng)機(jī)，所述事故風(fēng)機(jī)安裝于保溫車間的墻壁上，所述保溫車間的墻壁上位于所述事故風(fēng)機(jī)的出風(fēng)口安裝有密封罩，所述密封罩包括框體，所述框體內(nèi)設(shè)置有能開閉的多個(gè)百葉片，所述百葉片由驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)以實(shí)現(xiàn)開閉...

本發(fā)明公開了一種12寸集成電路用硅表面減薄清洗液工藝，屬于硅表面洗液生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，準(zhǔn)備原料：鹽酸：5%?25%、硝酸：10%?20%、醋酸：10%?20%和添加劑：0.1%?0.5%；S2、對(duì)S1中的原料進(jìn)行物理純化去除雜質(zhì)；S3、待S...

本發(fā)明公開了碳化硅減薄清洗液，該清洗液由以下原料制成：丙酮25％、苯甲醛15％、磷酸酯5.5％、異丙醇8％、鉬酸鈉2％、氫氧化鈉0.4％、乙醇35％、改性偶聯(lián)劑3％和改性疏水劑0.5％，通過鋯類偶聯(lián)劑、無水乙醇、3％的鹽酸溶液和二鹽基硬...

本發(fā)明公開了鋁硅銅復(fù)合膜層減薄液，包括以下重量份原料：包括重量百分含量為5?20％的硅醇、0.1?5％的無機(jī)硅酸鹽及0.01?1％的堿性活化物，0.1?4％的金屬離子吸附劑，余量為水；制備工藝，包括：將分散劑、水相阻聚劑加入食鹽水中，配...

本技術(shù)涉及集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種去膠液用混合攪拌裝置,包括攪拌桶組件，所述攪拌桶組件包括攪拌桶體與攪拌桶體上端扣設(shè)的攪拌桶蓋，所述攪拌桶組件的中間設(shè)有攪拌組件，且在攪拌桶組件的上端設(shè)有配料組件，所述攪拌桶組件的下端設(shè)有回收...

本實(shí)用新型涉及柔性O(shè)LED顯示制造技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種柔性顯示用顯影液配置裝置,包括配液桶組件，所述配液桶組件包括配液桶與配液桶右上端固定所設(shè)的上配液座，所述配液桶組件的中間設(shè)有攪拌組件，所述配液桶的下端設(shè)有下配液組件。所述配液桶的...

本實(shí)用新型提出蝕刻液生產(chǎn)用反應(yīng)釜，包括反應(yīng)釜體，所述反應(yīng)釜體頂部密封配合有釜頂封蓋，攪拌電機(jī)的輸出軸上端連接有旋轉(zhuǎn)底座，提料筒座的頂部通過支撐桿架與反應(yīng)釜體的內(nèi)腔壁固定，旋轉(zhuǎn)底座上設(shè)有延伸至提料筒座內(nèi)部的提料轉(zhuǎn)軸，提料轉(zhuǎn)軸上設(shè)有提料導(dǎo)液...

本實(shí)用新型提出蝕刻液制備裝置，包括混配釜體，所述混配釜體頂部密封配合有釜蓋，釜蓋中部轉(zhuǎn)接有第一轉(zhuǎn)軸，且第一轉(zhuǎn)軸上設(shè)有若干對(duì)呈水平橫向設(shè)置的第一攪拌桿，混配釜體的底部轉(zhuǎn)接有第二轉(zhuǎn)軸，第二轉(zhuǎn)軸上端連接有U型攪拌桿，U型攪拌桿的兩側(cè)支架設(shè)有若...

本實(shí)用新型涉及鋁腐蝕液生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種鋁腐蝕液生產(chǎn)裝置,包括配置桶組件，所述配置桶組件包括下桶體與下桶體上端扣設(shè)的上桶蓋，所述配置桶組件的中間設(shè)有攪拌組件，且在配置桶組件下端的外側(cè)設(shè)有溫控組件，所述溫控組件包括下桶體下端外側(cè)...

本發(fā)明提出了一種半導(dǎo)體集成電路用光刻膠稀釋劑及其制備方法。屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域。由以下原料按重量份制備而成：正丁基縮水甘油醚10

本發(fā)明提出了一種集成電路用去膠液及其制備方法，屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域。由以下原料制備而成：苯類溶劑20

本發(fā)明提出了一種集成電路用鈦鎢腐蝕液及其制備方法，屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，由以下原料按重量份制備而成：硝酸5

本發(fā)明提出了一種顯示器用低張力鋁腐蝕液及其制備方法，屬于腐蝕液技術(shù)領(lǐng)域，包括以下原料：磷酸、硝酸、硫酸、乙酸、穩(wěn)定劑、表面活性劑、水；所述穩(wěn)定劑的制備方法如下：S1.將海藻酸鈉溶于水后，滴加氯化鈣溶液，乳化，得到納米球；S2.將納米球加...

本發(fā)明提出了一種集成電路用氧化硅減薄液及其制備方法，屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域。由以下原料按重量份制備而成：聚乙烯醇季銨鹽穩(wěn)定劑5

本發(fā)明提供了一種集成電路用低張力高選擇性硅蝕刻液，其包含硝酸、亞硝酸鹽、氟化氫銨、含脲基和吡啶鎓母環(huán)的四氟硼酸鹽或含脲基和咪唑鎓的四氟硼酸鹽、硅化合物、表面活性劑，余量為去離子水。還提供了制備所述集成電路用低張力高選擇性硅蝕刻液的方法。...

本發(fā)明提供了一種集成電路用低張力高選擇性氧化硅蝕刻液，其包含氟化氫、氟化氫銨、有機(jī)硼烷化合物、陰離子表面活性劑、pH調(diào)節(jié)劑和水，其中所述蝕刻液的pH為3

本發(fā)明提供了一種面板行業(yè)用的用于蝕刻銅的堿性蝕刻液，其包含氯化銅、氯化銨、氨水、護(hù)岸劑、濕潤劑和水。優(yōu)選地，所述護(hù)岸劑是8

本發(fā)明提供了一種面板行業(yè)用IGZO/鋁兼容蝕刻液，其包含按重量計(jì)40