本公開實施例提供了一種高電子遷移率晶體管及其制備方法，屬于半導體技術領域。該高電子遷移率晶體管包括襯底、溝道層、勢壘層、鈍化層和帽層，襯底、溝道層、勢壘層和鈍化層依次層疊，鈍化層具有露出勢壘層的通孔；帽層位于鈍化層的遠離勢壘層的表面，且...

本公開提供了一種改善絕緣層破裂的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括：外延層、電極和絕緣層，所述電極位于所述外延層的表面上，所述絕緣層位于所述電極的表面上；所述絕緣層包括：絕緣材料層和金屬阻擋層，所述金屬阻擋...

本公開提供了一種熱綁定輔助裝置及熱綁定方法，屬于半導體制備技術領域。該熱綁定輔助裝置包括：定位插座和定位插件；定位插座包括多個插座單元，各插座單元呈矩陣排布，插座單元具有晶粒容置孔和插槽，插槽圍設在晶粒容置孔的四周；定位插件包括多個插件...

本公開實施例提供了一種過流保護電路及開關電源，屬于電路領域。該過流保護電路包括開關子電路、監測子電路和驅動子電路；監測子電路用于監測開關子電路中是否產生過流現象，以及基于監測結果生成控制信號；驅動子電路的第一輸入端與監測子電路的輸出端連...

本公開提供了一種晶體管及其制備方法。該晶體管包括：襯底和外延結構；所述外延結構位于所述襯底上，所述襯底遠離所述外延結構的一面具有多條微流道，所述多條微流道用于供冷卻劑流動。在襯底遠離外延結構的一面設計多條微流道，在微流道中承載流動的冷卻...

本公開提供了一種改善刻蝕損傷的發光二極管及其制備方法，屬于光電子制造技術領域。該制備方法包括：形成外延層；采用激光照射所述外延層的局部區域，使所述外延層的局部區域分解并形成凹槽。本公開實施例能在外延層上形成凹槽的過程中改善對外延層側壁的...

本公開實施例提供了一種HEMT的模擬方法、裝置和設備，屬于半導體器件領域。該方法包括：獲取高電子遷移率晶體管的電路模型，所述電路模型包括三極管和漏極電阻，所述漏極電阻與所述三極管的漏極連接；構建電壓反饋電路，所述電壓反饋電路用于向所述漏...

本公開提供了一種改善刻蝕偏差的發光二極管和制品，屬于光電子制造技術領域。該發光二極管包括外延層，所述外延層包括依次層疊的第一半導體層、多量子阱層和第二半導體層，所述第二半導體層具有露出所述第一半導體層的第一通孔；所述第二半導體層的表面具...

本公開提供了一種晶體管電路及其制作方法，屬于半導體器件領域。晶體管電路包括：第一晶體管和第二晶體管；第一晶體管和第二晶體管包括共用的襯底、依次層疊在襯底的溝道層和勢壘層；勢壘層具有延伸到溝道層內的凹槽；第一晶體管還包括第一介電層、第一源...

本公開提供了一種發光二極管芯片及其制備方法，屬于半導體技術領域。發光二極管芯片包括外延層、銀鏡層、一次電極，銀鏡層和一次電極依次疊設在外延層的一側；一次電極包括歐姆接觸部和反光部，歐姆接觸部和反光部電連接，歐姆接觸部和外延層電連接，反光...

本公開提供了一種集成器件及其封裝方法，屬于電力電子領域。該集成器件包括：第一晶體管、第二晶體管和基板，第一晶體管具有第一源極、第一漏極和第一柵極，第二晶體管具有第二源極、第二漏極和第二柵極，基板包括相互絕緣的源極板、漏極板和柵極板，第一...

本公開提供了一種發光二極管及發光二極管制備方法。發光二極管包括：外延結構、介質膜反射層和銀鏡層；外延結構開設有臺階結構，臺階結構包括臺階頂面和臺階底面，介質膜反射層覆蓋臺階結構；介質膜反射層在所述臺階底面開設有第一介質膜通孔，介質膜反射...

本公開提供了一種發光二極管及發光二極管制備方法。發光二極管包括：襯底、外延結構和反射層；所述外延結構呈臺階結構，所述外延結構還開設有延伸到所述襯底的隔離槽；所述反射層覆蓋所述臺階結構和所述隔離槽的一部分，所述隔離槽的另一部分露出所述襯底...

本公開提供了一種發光二極管及發光二極管制備方法。發光二極管包括：圖形化襯底、外延結構、絕緣結構、電極結構和平坦層。外延結構位于圖形化襯底上，外延結構開設有臺階結構，臺階結構的臺階面位于外延結構內；外延結構還開設有隔離槽，隔離槽底部位于圖...

本公開提供了一種發光二極管及發光二極管制備方法。發光二極管包括：襯底、外延結構、電流阻擋層、透明導電層、電極結構、涂覆層和反射層；外延結構位于襯底上，外延結構呈臺階結構；外延結構還開設有隔離槽；電流阻擋層位于外延結構上；透明導電層覆蓋電...

本公開提供了一種發光二極管和發光二極管的制作方法，屬于發光器件領域。該發光二極管包括：發光二極管芯片和位于所述發光二極管芯片的出光面的法向增透膜；所述法向增透膜包括交替層疊的第一膜層和第二膜層，所述第一膜層為硅的氧化物膜層，所述第二膜層...

本公開提供了一種晶體管及其制作方法，屬于半導體器件領域。所述晶體管包括：襯底，依次層疊在所述襯底的溝道層和勢壘層；所述勢壘層具有延伸到所述溝道層內的凹槽；介電層，包括第一介電子層和第二介電子層，所述第一介電子層和所述第二介電子層依次覆蓋...

本公開提供了一種顯示面板的鍵合壓印方法和顯示面板，屬于光電子制造技術領域。該鍵合壓印方法包括：提供一制品，所述制品包括載板和設置在所述載板上的至少一種發光芯粒；制作壓印模板，所述壓印模板的板面具有至少一種壓印凸起，一種所述壓印凸起在所述...

本公開提供了一種晶體管及其制備方法，屬于電力電子領域。該晶體管包括：外延片、源電極、漏電極、柵電極；外延片包括溝道層和勢壘層，外延片具有有源區和無效區；漏電極位于勢壘層的遠離溝道層的表面上，且漏電極位于有源區內，漏電極通過第一通孔與溝道...

提供了一種半橋直流?直流轉換電路及電子設備，屬于開關技術領域。該半橋直流?直流轉換電路包括：第一HEMT、第二HEMT、MOSFET和直流?直流轉換器；第一HEMT位于上半橋，第二HEMT位于下半橋。MOSFET位于上半橋或下半橋。