本發明涉及一種SiC基電流孔徑垂直外延結構及其制備方法、功率器件，具體涉及半導體功率器件領域，所述SiC基電流孔徑垂直外延結構包括：依次設置于襯底上的緩沖層、漂移層、導通孔徑層、4H?SiC溝道層和3C?SiC層。本發明提供的電流孔徑垂...

本發明涉及一種用于MOSFET的外延結構及其制備方法和用途，具體涉及功率器件領域，所述外延結構包括：依次設置于襯底上的緩沖層、第一漂移層、第二漂移層、AlN層、第一NO摻雜3C?SiC層、O摻雜3C?SiC層和第二NO摻雜3C?SiC層...

本發明涉及一種鍵合復合襯底及其制備方法、外延結構及其制備方法、器件，具體涉及功率器件領域，所述鍵合復合襯底包括：依次鍵合的多晶SiC層、第一4H?SiC層、3C?SiC層和第二4H?SiC層。本本發明提供的鍵合復合襯底，通過采用特定設計...

本發明涉及一種GaN基HEMT外延片及其制備方法和用途，具體涉及半導體材料領域，所述GaN基HEMT外延片包括：襯底，從下至上依次設置于襯底上的成核層、高阻層、溝道層、插入層、勢壘層和蓋帽層；所述高阻層包括垂直所述高阻層設置方向交替配合...

本發明涉及一種低Mg記憶和延遲效應的外延層結構及其制備方法和用途，具體涉及半導體制備領域，所述外延層結構包括：依次設置于襯底上的氮化鎵緩沖層、未摻雜氮化鎵層、Si摻雜N型氮化鎵層、多量子阱層、第一P型氮化鎵層、電子阻擋層、第二P型氮化鎵...

本發明涉及一種N型碳化硅外延片的制備方法，具體涉及碳化硅外延生長技術領域，所述制備方法包括：對襯底進行刻蝕處理，之后依次進行N型緩沖層生長和N型漂移層生長，得到N型碳化硅外延片；所述N型漂移層生長中所用N型摻雜劑包括氰硅烷化合物。本發明...

本技術提供了一種碳化硅外延生長環形夾具，所述碳化硅外延生長環形夾具包括帶平邊的第一弧形件和不帶平邊的第二弧形件，所述第一弧形件和所述第二弧形件可拆卸連接；將碳化硅外延生長環形夾具的平邊與圓邊分開，使得在取放片的時候可以將帶平邊的第一弧形...

本技術提供了一種碳化硅外延生長擋止環，所述碳化硅外延生長擋止環的上表面呈斜面，沿遠離所述碳化硅外延生長擋止環的中心的方向，所述碳化硅外延生長擋止環的上表面向下傾斜，在碳化硅外延生長過程中，隨著碳化硅沉積物在擋止環上表面的斜面上生長，并不...

本發明提供一種控制缺陷的碳化硅外延結構及其制備方法與應用，所述制備方法包括以下步驟：(1)對碳化硅襯底進行原位刻蝕；(2)在碳化硅襯底的表面生長第一N型緩沖層；(3)在惰性氣體的氛圍中原位引入氧原子進行通氧刻蝕；(4)在第一N型緩沖層的...

本發明提供一種具有2DHG和2DEG的增強型SiC外延結構及制備方法，所述增強型SiC外延結構包括依次設置的Si面P型3C?SiC層、Si面3C?SiC勢壘層、2DHG、Si面4H?SiC溝道層、Si面N型4H?SiC漂移層、Si面N型...