本技術(shù)公開(kāi)了PPTC芯片耐高溫性能測(cè)試裝置，具體涉及耐高溫性能測(cè)試領(lǐng)域，包括箱體，箱體的內(nèi)腔通過(guò)分隔板分為測(cè)試腔和設(shè)備腔，箱體的測(cè)試腔中固定連接有支撐板，支撐板的頂部開(kāi)設(shè)有卡槽，卡槽的中部設(shè)置有支撐架，支撐架的中部固定連接有多孔板和限位...

本技術(shù)公開(kāi)了電動(dòng)車功率模組用高溫絕緣帖片，具體涉及電動(dòng)車功率模組領(lǐng)域，包括墊片主體，墊片主體的中部設(shè)置有加強(qiáng)筋，墊片主體的兩側(cè)對(duì)稱設(shè)置有橡膠層，橡膠層的兩側(cè)設(shè)置有陶瓷纖維層，墊片主體的中部插設(shè)有加強(qiáng)桿，墊片主體的頂部靠近頂部橡膠層的位置...

本技術(shù)公開(kāi)了高功率新能源配用過(guò)壓保護(hù)組件，具體涉及新能源技術(shù)領(lǐng)域，包括底板，底板頂部設(shè)有箱體，所述箱體頂部設(shè)有防護(hù)板，所述箱體一側(cè)設(shè)有固定板，所述固定板頂部設(shè)有保護(hù)箱，所述箱體一側(cè)設(shè)有連接管，所述保護(hù)箱與連接管之間設(shè)有連接組件，所述連接...

本技術(shù)公開(kāi)了熱敏電阻模塊型過(guò)載保護(hù)器件，具體涉及過(guò)載保護(hù)器件領(lǐng)域，包括保護(hù)器件本體，保護(hù)器件本體兩側(cè)均連接有引腳，保護(hù)器件本體兩側(cè)底端設(shè)置有支撐組件，各支撐組件頂端均連接有壓接組件，兩個(gè)壓接組件之間連接有兩個(gè)連接板。本技術(shù)通過(guò)兩個(gè)支撐組...

本技術(shù)涉及PPTC加工技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種PPTC芯片自動(dòng)裁切裝置，包括漏板，所述漏板的左右兩側(cè)均設(shè)置有滑槽，所述滑槽的內(nèi)側(cè)滑動(dòng)連接有滑塊，所述滑塊的內(nèi)側(cè)固定連接有多個(gè)彈簧一，多個(gè)所述彈簧一的另一端均固定連接有夾持板，所述夾持板的底端固...

本技術(shù)公開(kāi)了一種過(guò)流保護(hù)元件接觸引腳自動(dòng)折彎封裝機(jī)，具體涉及過(guò)流保護(hù)元件加工技術(shù)領(lǐng)域，包括安裝架，安裝架內(nèi)部設(shè)有轉(zhuǎn)盤，轉(zhuǎn)盤頂端固定連接有四個(gè)置物板，轉(zhuǎn)盤底端固定連接有轉(zhuǎn)軸，轉(zhuǎn)軸與安裝架通過(guò)軸承活動(dòng)連接。本技術(shù)通過(guò)電機(jī)工作帶動(dòng)置物板轉(zhuǎn)動(dòng)，...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種黑膠測(cè)試存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，具體涉及黑膠測(cè)試領(lǐng)域，包括存儲(chǔ)箱、控制面板、密封門和放置板，所述控制面板和密封門設(shè)置在存儲(chǔ)箱的一側(cè)，所述放置板設(shè)置在存儲(chǔ)箱的中部，所述存儲(chǔ)箱的內(nèi)腔一側(cè)設(shè)置有防護(hù)墊，所述存儲(chǔ)箱的內(nèi)腔兩側(cè)對(duì)稱開(kāi)設(shè)有電熱...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種PPTC熱敏電阻元件塑封裝置，具體涉及塑封裝置技術(shù)領(lǐng)域，包括塑封裝置主體，所述塑封裝置主體上設(shè)置有聯(lián)動(dòng)轉(zhuǎn)換組件，所述聯(lián)動(dòng)轉(zhuǎn)換組件包括設(shè)置在上的軸銷架。本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)置聯(lián)動(dòng)轉(zhuǎn)換組件，對(duì)熱敏電阻元件進(jìn)行封裝的同時(shí)，可以...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種PPTC熱敏電阻元件塑封成品烘烤裝置，具體涉及烘烤裝置技術(shù)領(lǐng)域，包括基座以及安裝在基座上的烘干箱，所述烘干箱的內(nèi)部設(shè)置有多個(gè)烘干組件，所述烘干組件包括設(shè)置在烘干箱內(nèi)的兩個(gè)橫桿，兩個(gè)所述橫桿相對(duì)設(shè)置，兩個(gè)所述橫桿上均設(shè)...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種黑膠固化后強(qiáng)度測(cè)試結(jié)構(gòu)，具體涉及黑膠測(cè)試領(lǐng)域，包括測(cè)試箱體、控制面板和密封門，所述控制面板和密封門均設(shè)置在測(cè)試箱體的一側(cè)，所述測(cè)試箱體的檢測(cè)腔底部固定連接有測(cè)試臺(tái)，所述測(cè)試臺(tái)的頂部?jī)蓚?cè)對(duì)稱固定連接有擋板，其中一個(gè)所述...

本發(fā)明公開(kāi)了一種PTC熱敏電阻元件加工工藝，包括以下步驟：S1，原料準(zhǔn)備：分別準(zhǔn)備59％HDPE高密度聚乙烯、10％CB碳黑材料和10％半導(dǎo)體導(dǎo)熱陶瓷粉末；S2，高分子混煉：將S1中原料按體積百分比加入雙螺桿混練機(jī)中進(jìn)行預(yù)混、混煉，得到...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種新型保護(hù)裝置，包括基板，所述基板表面設(shè)置有第一電極和第二電極，所述基板上設(shè)置有發(fā)熱體，所述發(fā)熱體表面覆蓋有一絕緣層，所述絕緣層上方設(shè)置有中間電極，所述發(fā)熱體上方設(shè)置有一熔斷件，所述熔斷件與第一電極、第二電極和中間電極...

本實(shí)用新型公開(kāi)的屬于過(guò)電流保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種USB

本實(shí)用新型涉及散熱裝置技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電子元件多信道散熱路徑的散熱基板，包括散熱基板，所述散熱基板的下端設(shè)置有減震裝置，所述散熱基板的側(cè)壁設(shè)置有散熱裝置，所述散熱裝置包括水冷組件與風(fēng)冷組件，所述水冷組件設(shè)置在散熱基板的下方，所述風(fēng)...

本發(fā)明公開(kāi)了一種IGBT模塊散熱結(jié)構(gòu)及其高分子復(fù)合散熱材料，從上到下包括芯片層、接合層、厚銅層、絕緣導(dǎo)熱層和散熱層，所述絕緣導(dǎo)熱層形成在所述散熱層上，所述絕緣導(dǎo)熱層由高分子復(fù)合散熱材料構(gòu)成，所述厚銅層真空壓合技術(shù)熱壓形成在所述絕緣導(dǎo)熱層...

本實(shí)用新型公開(kāi)了通信傳輸技術(shù)領(lǐng)域，具體為：一種USB type C傳輸線纜，包括連接口固定座，所述連接口固定座的右側(cè)外壁固定有連接線纜，所述連接線纜的右側(cè)端連接有接口保護(hù)組件，所述接口保護(hù)組件包括連接口保護(hù)殼、typeC接口、滑動(dòng)部件和...

本實(shí)用新型公開(kāi)了過(guò)壓保護(hù)器件用的散熱基板，包括TVS芯片和金屬基板，所述TVS芯片的兩側(cè)對(duì)稱設(shè)有金/銀電極，所述TVS芯片的外側(cè)對(duì)稱設(shè)有銅支架，且所述金屬基板底部設(shè)有安裝槽口，所述安裝槽口內(nèi)對(duì)稱設(shè)有固定桿，兩個(gè)所述固定桿之間設(shè)有液冷銅盒...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種導(dǎo)熱基板，其包括：一石墨層；一金屬底板；一金屬層；一導(dǎo)熱絕緣高分子層，位于該金屬層與該金屬底板之間；及一陶瓷材料層，包括一上陶瓷層或一下陶瓷層，或同時(shí)包括該上陶瓷層和該下陶瓷層；其中該上陶瓷層設(shè)置于該金屬層與該導(dǎo)熱絕...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種保護(hù)元件及其電路保護(hù)裝置，其包含一基板、熔斷件及加熱件；基板表面設(shè)有第一電極和第二電極；熔斷件設(shè)置于該基板上，兩端電連接第一電極和第二電極；熔斷件依次包括疊層的第二金屬層、第一金屬層與第三金屬層，第二金屬層和第三金屬...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種薄型散熱基板，其為層疊結(jié)構(gòu)且自下至上依序包括金屬基底、導(dǎo)熱電絕緣復(fù)合材料層和電路圖案層，其中該導(dǎo)熱電絕緣復(fù)合材料層位于該金屬基底和該電路圖案層之間，該導(dǎo)熱電絕緣復(fù)合材料層包含高分子聚合物基材、以及均勻散布于該高分子聚...