本發明公開一種半導體裝置及其制作方法，半導體裝置包括基底、金屬柵極結構、至少一虛設體、兩源極/漏極區以及介電層。金屬柵極結構設置在基底上。至少一虛設體設置在金屬柵極結構內。兩源極/漏極區設置在金屬柵極結構兩側的基底內。介電層設置在基底上...

本發明提供一種半導體結構的蝕刻方法，包含提供一基底，基底上包含有一柵極結構，柵極結構旁邊包含有一氧化層以及一第一氮化層，以及進行一蝕刻步驟，以移除第一氮化層并且保留氧化層，其中蝕刻步驟中，蝕刻氮化層與蝕刻氧化層的蝕刻選擇比大于300。

本發明公開一種涂布頂抗反射涂層的方法，包含提供一轉盤，轉盤上方放置一基底，基底上有一光致抗蝕劑層，噴涂一去離子水至光致抗蝕劑層上，噴涂一頂抗反射涂布液至去離子水上，使頂抗反射涂布液與去離子水混合，并形成一混和液體，以及進行一旋轉涂布步驟...

本發明公開一種靶材以及其制作方法，其中該靶材適用于半導體制作工藝，包含一由一第一金屬以及一第二金屬所制成的合金靶材，其中靶材包含有一上段區間以及一下段區間，其中在該下段區間中該第一金屬與該第二金屬的原子比例，不同于該上段區間中該第一金屬...

本發明公開一種半導體結構的制作方法，其包括提供襯底，具有介電層和形成在介電層中的柵極溝槽；以及在配備有自動電容調諧器的PVD室中對襯底執行物理氣相沉積工藝，在介電層的頂面和柵極溝槽的內面上沉積金屬層。所述物理氣相沉積工藝包括：(i)調節...

本發明提供一種電阻式隨機存取存儲器(RRAM)結構以及其制作方法。該電阻式隨機存取存儲器結構包含一下電極，位于一基底上，一電阻轉換層，位于下電極上，以及一上電極，位于電阻轉換層上，其中從一剖面圖來看，電阻式隨機存取存儲器結構具有一平坦頂...

本發明公開一種改善光致抗蝕劑殘留的半導體制作工藝，包含提供一含氮層、在該含氮層上形成一底部抗反射涂層，其中該含氮層中的氮離子會擴散進入該底部抗反射涂層、對該含氮層進行一熱板烘烤制作工藝，使該底部抗反射涂層中的氮離子從表面揮發、在該熱板烘...

本發明提供一種半導體清潔步驟，包含提供一腔體，腔體包含有一底面以及一側壁，腔體中包含有一加熱器位于底面，進行一第一沉積步驟，以在腔體的側壁上留下一殘留層，進行一碳沉積步驟，以至少在加熱器的表面上形成一碳層，以及進行一等離子體清潔步驟，以...

本發明公開一種光致抗蝕劑的涂布制作工藝，其包含首先提供一晶片，一第一噴嘴懸掛至一第一機械手臂，一第二噴嘴懸掛至一第二機械手臂，其中第一噴嘴用于噴灑潤濕液，第二噴嘴用于噴灑光致抗蝕劑液，然后進行一光致抗蝕劑的涂布制作工藝，其中光致抗蝕劑的...

本發明公開一種制作半導體元件的方法，包含以下步驟。形成柵極材料層于基底上，其中柵極材料層包含非晶材料，非晶材料具有相變溫度，非晶材料于相變溫度轉變為多晶材料。在第一制作工藝溫度形成第一硬掩模于柵極材料層上，其中第一制作工藝溫度小于相變溫...

本發明公開一種半導體結構以及其測試方法，其中該半導體結構包含一材料層，多個電阻式隨機存取存儲器單元以一陣列方式排列于材料層上，其中陣列包含有一第一外圈，第一外圈由一部分多個電阻式隨機存取存儲器單元所組成，并位于陣列的最外圈，以及一外圍金...

本發明提出了一種機器學習智能派工系統，包含歷史信息模塊儲存各種歷史數據、基礎信息模塊儲存各種基礎數據、算法模塊通過機器學習根據該歷史數據與該基礎數據得出預估的配方組執行時間與轉換時間、自動控制裝置模塊根據該歷史數據、該基礎數據以及該所預...

本發明公開一種半導體結構的制作方法，包含提供一高電壓金屬氧化物半導體，高電壓金屬氧化物半導體包含有一基底，基底上包含有一NMOS區以及一PMOS區，其中NMOS區與PMOS區內均各自包含有一氧化層，對PMOS區進行一P型離子摻雜步驟，在...

本發明提供一種半導體制作工藝機臺及其運作方法，其中該半導體制作工藝機臺包含多個腔體，其中多個腔體中的其中至少一個為一預載腔(load?lock?chamber)，預載腔包含有一底面以及一相對底面的一頂蓋；以及一充氣管路連接預載腔的頂蓋。

本發明公開一種測試鍵結構，包括：襯底；第一金屬墊，設置于所述襯底上；鄰近所述第一金屬墊的第二金屬墊，設置于所述襯底上；間隙，位于所述第一金屬墊和所述第二金屬墊之間；第一接觸，設置于所述第一金屬墊上；以及第二接觸，設置于所述第二金屬墊上。

本發明公開一種半導體元件及其制作方法，包括基底、柵極結構以及介電層。柵極結構設置在基底上并包括倒梯型形狀。介電層設置在基底上，且柵極結構設置在介電層內。其中，柵極結構包括金屬柵極結構或多晶硅柵極結構。

本發明公開一種半導體制作工藝方法，包含形成一基底，基底上包含有一第一區域以及一第二區域，形成至少一第一柵極位于第一區域內的基底上，以及形成一第二柵極，位于第二區域內的基底上，形成一氧化層，覆蓋第一柵極以及第二柵極，形成一氮化層，覆蓋氧化...

一種晶圓圖像均衡化的方法，包含取得晶圓圖像，將晶圓圖像轉換為位圖數據，生成位圖數據的三原色像素分布，根據三原色像素分布生成三原色像素累積概率分布，根據三原色像素累積概率生成映射函數，將三原色像素分布藉由所述映射函數轉換為均衡化像素分布，...

本發明公開一種光刻膜層堆疊及光刻方法，其中該光刻膜層堆疊，用于一浸潤式光刻制作工藝。光刻膜層堆疊包含一光致抗蝕劑層、一波長調整層以及一頂部涂層。光致抗蝕劑層設置于一基底上，波長調整層設置于光致抗蝕劑層上，頂部涂層設置于波長調整層上，其中...

本發明公開一種機臺監控系統及機臺監控方法，其中該機臺監控系統包含多個第一機臺以及一控制模塊。多個第一機臺用于一第一制作工藝，控制模塊與多個第一機臺連接，其中控制模塊配置以執行：依據各第一機臺的一第一風險分數，將各第一機臺定義為一高風險第...