本發明公開一種影像傳感器，包括以下構件。柵極結構位于基底上。光偵測器與存儲節點分別位于柵極結構的一側與另一側的基底中。介電層位于基底與柵極結構上，且具有位于光偵測器的正上方的第一開口。第一遮光層位于介電層中，且具有位于光偵測器的正上方的...

本發明提供一種半導體裝置及其操作方法。半導體裝置包括設置在基底上的第一元件及第二元件。第一元件包括自基底的表面延伸至基底中的深阱區、分別在深阱區中的主體區和漂移區、分別在主體區及漂移區中的源極區和漏極區、設置在基底的表面上且位于主體區和...

本發明公開一種半導體結構，包括基底、電容器與氧化物半導體場效晶體管。電容器位于基底上。氧化物半導體場效晶體管位于基底上。氧化物半導體場效晶體管電連接于電容器。

具有可調穩壓電容的堆疊式存儲器及穩壓電容的設定方法，包括：邏輯芯片；及存儲器芯片，與邏輯芯片的大小一致，具有多個塊元，其中多個塊元的至少一個為未使用存儲器塊元。未使用存儲器塊元包括存儲器陣列。存儲器陣列包括多條字線、多條位線、分別形成在...

一種存儲器芯片的測試裝置及其方法。存儲器芯片與邏輯芯片面對面貼合以形成堆迭式存儲器。測試裝置至少包括：多個探針測試接墊，形成在存儲器芯片的表面，用以接收外部時鐘信號與多個測試信號，其中多個測試信號在外部時鐘信號的上升沿與下降沿被采樣讀取...

本發明公開一種晶體管結構，包括基底、柵極結構、第一摻雜區、第二摻雜區、飄移區、場板、電荷存儲層與第一介電層。柵極結構位于基底上。第一摻雜區與第二摻雜區位于柵極結構的兩側的基底中。飄移區位于柵極結構與第二摻雜區之間的基底中。場板位于飄移區...

本發明公開一種半導體元件結構的制造方法，包括以下步驟。在基底上形成第一介電層。在第一介電層上形成相互連接的P型半導體層與N型半導體層。在P型半導體層與N型半導體層上形成第二介電層。在第二介電層中形成第一開口與第二開口。在第一開口中形成第...

本發明公開一種影像傳感器及其制造方法，其中該影像傳感器包括基底、全域快門組件、接地摻雜區以及遮光層。基底至少具有相鄰的像素陣列區與邊界區。全域快門組件位于像素陣列區，其中全域快門組件包括存儲節點。接地摻雜區位于邊界區。遮光層位于像素陣列...

本發明公開一種具有雙層柵極介電層的半導體元件以及形成柵極介電層的半導體制作工藝，其中該形成柵極介電層的半導體制作工藝包含提供一基底，其具有第一區域與第二區域、在該基底的該第一區域上形成CMOS元件、在整個該基底以及該些CMOS元件上形成...

本發明公開一種半導體結構及其制造方法，其中該半導體結構包括基底、多層外延結構、摻雜區、終端環與第一介電層。多層外延結構位于基底上。在多層外延結構中具有溝槽。多層外延結構包括第一外延層、第二外延層與第三外延層。第二外延層位于第一外延層與第...

本發明公開一種氣體分析系統，包括分析裝置、共用管路、多個待分析氣體源、多個采樣管路、沖洗氣體供應裝置、沖洗氣體供應管路與加濕器。共用管路連接于分析裝置。多個采樣管路連接于多個待分析氣體源與共用管路之間。多個采樣管路彼此分離。沖洗氣體供應...

本發明公開一種晶片的處理方法，包括以下步驟。在第一晶片上形成離型層。在第二晶片上形成粘著層。第一晶片與第二晶片中的一者為元件晶片。元件晶片包括有效晶粒區與修整區。利用搬運器將第一晶片放置于第二晶片上，而使得離型層與粘著層彼此接合，且粘著...

本發明公開一種存儲器結構及其制造方法，其中該存儲器結構包括基底、第一導線、第一接觸窗、柵極、第二導線、第一介電層、第二介電層、第二接觸窗與電容器。基底包括基底層、絕緣層與半導體層。絕緣層位于基底層上。半導體層位于絕緣層上。第一導線位于絕...

本發明公開一種晶片堆疊方法，包括以下步驟。提供第一晶片。將第二晶片接合于第一晶片，而形成第一晶片堆疊結構。對第一晶片堆疊結構進行第一邊緣缺陷檢查，而找出第一邊緣缺陷且測量出第一晶片堆疊結構的邊緣與第一邊緣缺陷的遠離第一晶片堆疊結構的邊緣...

本發明公開一種鐵電存儲器結構，包括基底、第一導線、第一介電層、通道柱、第二導線、柵極柱、第二介電層與鐵電材料層。第一導線位于基底上。第一介電層位于第一導線上。通道柱位于第一導線上，且位于第一介電層中。第二導線位于第一介電層與通道柱上。柵...

本發明公開一種調壓系統及使用其的失效管控方法，其中該調壓系統包括調壓閥、氣體提供單元以及壓力偵測單元。調壓閥包括第一閥體與作動單元。第一閥體與作動單元構成第一內部空間。氣體提供單元連接調壓閥且被配置于提供保護氣體至第一內部空間中。第一內...

本發明公開一種半導體結構及其制造方法，其中該半導體結構包括基底、第一介電層、埋入式字線結構、第二介電層與第三介電層。在基底中具有開口。第一介電層位于開口的表面上。埋入式字線結構位于開口中。埋入式字線結構包括埋入式字線與阻障層。埋入式字線...

本發明公開一種光掩模結構的設計方法，包括以下步驟。提供第一布局圖案。在第一布局圖案旁加入輔助圖案。進行光學鄰近修正，而將第一布局圖案轉變成第二布局圖案，其中輔助圖案具有鄰近于第二布局圖案的相鄰部，相鄰部與第二布局圖案之間的第一距離小于安...

本發明公開一種半導體結構及其制造方法，其中該半導體結構包括元件晶片、載板結構與重布線層結構。元件晶片包括以下構件。第一基底具有彼此相對的第一面與第二面。第一介電層位于第一面上。第一接合墊位于第一介電層中。電源通孔結構穿過第一基底。載板結...

本發明公開一種半導體結構，包括基底與電容器結構。電容器結構設置在基底上方。電容器結構包括第一電極層、第二電極層與第一介電層。第二電極層設置在第一電極層上。第一介電層設置在第一電極層與第二電極層之間。第一介電層為包括至少一個第一氮化硅層與...