本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造工藝中提高薄膜材料的臺(tái)階覆蓋率的方法，其包括：在具有一定深寬比的(非平面)結(jié)構(gòu)上沉積薄膜材料；獲取所述薄膜材料的臺(tái)階覆蓋率數(shù)據(jù)；針對(duì)所述薄膜材料選擇原子層刻蝕(ALE)化學(xué)反應(yīng)；調(diào)節(jié)所述ALE工藝的參數(shù)使其臺(tái)階覆...