一種用于區熔硅棒熱應力消除的微波加熱裝置及工藝，其在區熔硅棒的生產制備過程中，采用在特定階段微波精細調控式加熱的方式，在停爐后對區熔硅棒進行了有效地熱應力消除，具有加熱速度快、加熱均勻、控制精確、安全環保等優勢，可有效縮短生產周期、降低...

一種四（二甲氨基）鈦的氣相色譜含量測定方法，采用氣相色譜法進行檢測，方法本身步驟簡單，操作方便，采用氣相色譜法可快速、準確地測定出待檢測樣品中四（二甲氨基）鈦的含量，具體方法通過選擇特定的色譜柱種類，以及色譜儀條件參數的限定，實現了四（...

本發明提供一種電子級六甲基二硅氮烷的制備裝置及其制備工藝，包括合成反應器；除鹽裝置，與所述合成反應器的出料口相連接，用于對合成反應器排出的合成反應液所含有NH<subgt;4</subgt;Cl進行結晶并除鹽；粗餾塔，用于對...

本發明屬于集成電路用鈦基材料四氯化鈦制備領域，涉及一種電子級化學品痕量雜質的去除方法，特別是涉及一種膜過濾吸附制備超純四氯化鈦的方法，包括以下步驟：S1、將微濾膜在超純水中超聲處理后得到超純凈微濾膜；S2、將超純凈微濾膜平整放置在烘箱中...

本技術涉及集成電路制造技術領域，具體涉及一種多晶硅還原爐用石英鏡片組件，包括設置于還原爐上視鏡口內的上、下兩個石英鏡片，所述上、下石英鏡片分別通過上法蘭和下法蘭固定于還原爐上的視鏡口內壁上，所述石英鏡片側面設有金屬涂層，所述石英鏡片上下...

本發明屬于半導體設備技術領域，具體涉及一種碳化硅晶體沉積裝置，包括：筒體和底盤；底盤與筒體密封配合形成沉積空間；通過在筒體內設置具有曲面結構的罩體，使得該曲面結構與進料噴嘴中心相對，起到快速發散分流氣流的作用；且曲面結構底部與側壁漸小的...

本發明屬于碳化硅晶體技術領域，具體涉及多晶碳化硅棒及其制備裝置和方法以及多晶碳化硅粉體。制備裝置包括反應器，反應器包括底板、罩體和罩體內的沉積載體，底板的中央設置抽氣孔，抽氣孔的外部穿設和沉積載體連接的電極，電極的外側設置進氣孔；通過進...

本發明屬于半導體設備技術領域，具體涉及一種碳化硅晶體沉積裝置及抑制微粉形成的控制方法，通過設置多圈棒體以及對應的物料進口管路和冷態進口管路，并根據棒體的直徑情況及時調整不同進口管路的開閉和流量大小，由于高溫氣氛通常位于門字型棒體內部的區...

本發明屬于半導體設備技術領域，具體涉及一種碳化硅晶體沉積裝置及方法，包括：罩體和底盤；底盤與罩體的底端密封配合以形成一密封的沉積空間，通過設置多孔隔板將罩體內的沉積空間分為靠下的反應空間和靠上的補料空間，這樣可單獨向補料空間補充新鮮物料...

本發明屬于半導體設備技術領域，具體涉及一種碳化硅晶體沉積裝置及碳化硅晶體制備方法，通過先在預熱混合模塊的進料混合腔室中進行原料氣體的混合以及利用沉積室尾氣對換熱腔室中的混合氣體進行換熱預熱，從而將原料氣體預熱至接近還原爐內沉積溫度，降低...

本技術提供了一種超高純四氯化鈦的制備系統。該超高純四氯化鈦的制備系統包括：兩級液相吸附裝置、精餾單元和精密過濾單元，兩級液相吸附裝置包括串聯設置的第一吸附柱和第二吸附柱，第一吸附柱設置有第一進氣口，第二吸附柱設置有吸附產物出口，且第一吸...

本技術提供一種電子級四氯化硅的生產裝置，包括管道混合器，用于將氯氣與四氯化硅原料在管道混合器內進行預混合，精餾塔，包括塔頂出口、塔釜出口以及設置在塔頂出口和塔釜出口之間的進料口、回流口和產品出口，精餾塔進料口與管道混合器的出口連通，精餾...

本技術公開一種管道式光氯化連續反應裝置,包括靜態混合器，所述靜態混合器的進口端分別連接四氯化硅料源和氯氣氣源，用于將四氯化硅料源和氯氣硅源進入靜態混合器內進行預混合；反應器，所述反應器具有底部進口端和頂部出口端，所述底部進口端與靜態混合...

本技術公開一種硅基電子特氣用精密過濾器的檢修系統，包括過濾器本體，所述過濾器本體包括殼體和設置在殼體內的濾芯，進料閥通過進料管道與殼體相連，濾芯出料側通過出料管道與出料閥相連；進料管道，用于向過濾器本體供應物料，在進料管道上設置有第一廢...

本技術公開一種硅基電子特氣用鋼制無縫氣瓶鈍化系統，包括鈍化管道，所述鈍化管道設置有氣瓶接口、合格產品接口、真空接口、保護氣接口和廢液排口，氣瓶，所述氣瓶瓶閥向下倒置豎立設置，且所述氣瓶瓶閥與所述氣瓶接口連通，用于向氣瓶中通入合格產品、壓...

本技術提供了一種異戊烷提純裝置。在異戊烷提純裝置中，第一吸附塔的第一出口和第二吸附塔的第二進口相連通，使得第一吸附塔和第二吸附塔串聯，從而使得異戊烷混合氣體依次流經第一吸附塔和第二吸附塔。在第一吸附塔中第一分子篩吸附動力學直徑小于第一分...

本技術涉及半導體技術領域，具體涉及一種用于制備棒狀硅基材料的化學氣相沉積裝置，包括爐筒、底盤、設置于底盤上的進氣口和出氣口、設置于底盤上的電極，爐筒內設置有載體，所述載體通過石墨連接件與電極連接，還包括設置于底盤上的隔熱導流部件。本技術...

本技術提供了一種水解攪拌反應釜，應用于反應釜技術領域。所述裝置包括釜體，所述釜體頂端固定安裝有第一固定塊，所述第一固定塊與攪拌電機固定連接，所述攪拌電機的輸出端與攪拌軸的頂端固定連接，所述釜體底部固定安裝有第二固定塊，所述第二固定塊與所...

本技術提供了一種用于電子級多晶硅還原爐的石墨組件，應用于電子級多晶硅制造技術領域。所述組件包括基座，所述基座設置有電極安裝孔；所述基座設置有橫向置換孔；所述基座設置有第一縱向置換孔；所述基座和硅棒支撐帽螺紋連接；所述基座和硅芯夾持體螺紋...

本發明涉及氮化硅陶瓷材料制備技術領域，具體涉及一種微氯高α相氮化硅粉體的制備方法，步驟為：(1)將摩爾比為1:10?100的液氨與氣態四氯化硅在?60?10℃進行反應0.5?6h，得懸浮液；(2)將所述懸浮液進行一級過濾，濾餅采用脫氯液...