本發(fā)明提供了一種探針壓力的調(diào)整方法、探針式測量儀、探針壓力調(diào)整裝置、電子設(shè)備及計算機可讀存儲介質(zhì)，所述調(diào)整方法包括：獲得所述探針式測量儀的探針的針尖距離樣品表面的初始高度與探針扎入樣品時的壓力之間的關(guān)系；根據(jù)所述關(guān)系及所需的扎入樣品時的...

本發(fā)明提供了一種多探頭測量裝置及其測量方法，其中多探頭測量裝置包括：多種類型的探頭，每種類型的探頭均包括4個探針；多個測量電路，每個所述測量電路連接一種類型的探頭；所述測量電路利用相應(yīng)的所述探針來對測量對象進行測量，所述測量電路經(jīng)配置以...

本發(fā)明提供了一種在四探針機臺上根據(jù)探針力確定凸輪旋轉(zhuǎn)度數(shù)的方法，包括：獲取施加在樣品上的探針力和探針針尖與止動墊片之間距離的函數(shù)關(guān)系，根據(jù)所述函數(shù)關(guān)系得到k<subgt;p</subgt;和b<subgt;p</...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體檢測技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種四探針測量儀、四探針測量系統(tǒng)及四探針測量儀測量待測晶圓的方法，其中四探針測量儀包括：四個探針，所述探針具有貫通上下的通道；激光發(fā)射器，所述激光發(fā)射器發(fā)射的激光從上到下穿過所述通道，照射到待測晶圓上...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體檢測技術(shù)領(lǐng)域，提供了四探針測量儀、四探針測量系統(tǒng)及四探針測量儀測量待測晶圓的方法，其中四探針測量儀包括：四個探針；四個套筒，導(dǎo)電板套筒上下開口，將各自的導(dǎo)電板探針包圍在內(nèi)，且導(dǎo)電板探針與導(dǎo)電板套筒內(nèi)壁之間具有間隙；激光發(fā)...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體檢測技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種四探針測量儀、四探針測量系統(tǒng)及四探針測量儀測量待測硅片的方法，其中四探針測量儀包括：四個探針；導(dǎo)電板，所述導(dǎo)電板具有與所述探針相對的孔洞，所述探針從所述孔洞中穿過；電壓控制器，連接于所述導(dǎo)電板，用...

本發(fā)明提供了一種四探針測量儀測量待測晶圓的方法及四探針測量系統(tǒng)，其中該方法包括：將晶圓放置在測試平臺上；使所述四探針測量儀的探針與晶圓表面之間物理接觸；用激光照射所述探針與晶圓的接觸面；向所述四探針測量儀的其中兩根針施加電流，測量另外兩...

本發(fā)明提供了一種開爾文探頭測量金屬功函數(shù)的方法及系統(tǒng)，包括：提供基板，所述基板的表面具有待測金屬薄膜；將所述金屬薄膜接地；利用電壓施加裝置對開爾文探針裝置的振動探頭施加變化的電壓；利用電流監(jiān)測裝置實時監(jiān)測所述探頭與所述待測金屬薄膜之間的...

本發(fā)明提供了一種控制探測器的探頭與晶圓之間距離的方法和裝置，其中方法包括：在探測器的卡盤放置晶圓前，對卡盤施加交流信號，使卡盤產(chǎn)生擾動信號，進而在探測器的探頭處產(chǎn)生耦合電壓；調(diào)整探頭與卡盤之間的距離，利用探測器的信號采集電路，采集不同距...

本技術(shù)是關(guān)于一種晶圓吸盤及晶圓固定裝置，其包括：吸盤本體，所述吸盤本體上設(shè)有一個以上的氣壓槽；所述吸盤本體上設(shè)有氣道；所述氣壓槽包括第一氣壓槽、第二氣壓槽和第三氣壓槽；所述氣道包括設(shè)于吸盤本體上的第一氣道和第二氣道，所述第一氣壓槽與第一...

本技術(shù)是關(guān)于一種硅片的載卸片裝置，其包括：支撐部；導(dǎo)向部，設(shè)于支撐部上，所述導(dǎo)向部相對于支撐部可轉(zhuǎn)動；頂起部，滑動連接于支撐部上；所述頂起部通過所述導(dǎo)向部相對于支撐部上下滑動；驅(qū)動部，設(shè)于支撐部的一側(cè)；所述導(dǎo)向部通過所述驅(qū)動部相對于支撐...

本公開涉及一種方塊電阻測量點原位的晶圓厚度測量裝置。該測量裝置包括固定基座；載片臺，可移動地連接于固定基座，以承載待測硅片；測量機構(gòu)，具有測量探頭；升降機構(gòu)，連接于所述固定基座，所述測量機構(gòu)可移動地連接于所述升降機構(gòu)，以能夠沿豎直方向移...

一種導(dǎo)電薄膜多探針測量裝置，涉及薄膜檢測技術(shù)領(lǐng)域，所解決的是控制探針力的技術(shù)問題。該裝置包括測量基座、探頭座；所述探頭座上設(shè)有多根探針，每根探針上都設(shè)有彈性加力部件，所述測量基座上設(shè)有能上下活動的活動座，并且在測量基座上設(shè)有用于驅(qū)使活動...

一種導(dǎo)電薄膜方塊電阻多探針測量頭，涉及薄膜檢測技術(shù)領(lǐng)域，所解決的是提升邊緣測量能力的技術(shù)問題。該測量頭包括探頭座，其特征在于：所述探頭座上設(shè)有5個探針，該5個探針分別為第一探針、第二探針、第三探針、第四探針、第五探針；所述第一探針、第二...

一種導(dǎo)電薄膜多探針測量裝置及其測量方法，涉及薄膜檢測技術(shù)領(lǐng)域，所解決的是控制探針力的技術(shù)問題。該裝置包括測量基座、探頭座；所述探頭座上設(shè)有多根探針，每根探針上都設(shè)有彈性加力部件，所述測量基座上設(shè)有能上下活動的活動座，并且在測量基座上設(shè)有...

一種晶圓導(dǎo)電薄膜加工設(shè)備，涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，所解決的是提高膜厚測量精度的技術(shù)問題。該系統(tǒng)包括工藝腔、傳送腔，所述工藝腔中設(shè)有膜厚處理裝置，所述傳送腔上設(shè)有兩個裝載盒，傳送腔內(nèi)設(shè)有晶圓預(yù)對準裝置、機械手；所述晶圓預(yù)對準裝置包括預(yù)對準...

一種導(dǎo)電薄膜方塊電阻多探針測量方法及測量頭，涉及薄膜檢測技術(shù)領(lǐng)域，所解決的是提升邊緣測量能力的技術(shù)問題。該方法在目標樣品上設(shè)定5個測量點，其中的4個點按傳統(tǒng)四探針法排列成一個直線段P14，P5設(shè)置在直線段P14的中垂線上，并位于直線段P...

一種晶圓導(dǎo)電薄膜加工系統(tǒng)，涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，所解決的是提高膜厚測量精度的技術(shù)問題。該系統(tǒng)包括工藝腔、傳送腔，所述工藝腔中設(shè)有膜厚處理裝置，所述傳送腔上設(shè)有兩個裝載盒，傳送腔內(nèi)設(shè)有晶圓預(yù)對準裝置、機械手；所述晶圓預(yù)對準裝置包括預(yù)對準...