本發(fā)明涉及壓力傳感器.壓力傳感器(10)具有載體芯片(20)，載體芯片其內(nèi)和/或者其上集成了至少一個(gè)傳感器元件(30)，傳感器元件的測(cè)量信號(hào)取決于載體芯片(20)中的機(jī)械應(yīng)力.載體芯片(20)在其背面以平坦和材料鎖定的形式連接到固體主體...

本發(fā)明涉及用于測(cè)量電子構(gòu)件的氣候室，其具有殼體，殼體包括內(nèi)室和開(kāi)口，內(nèi)室借助殼體與周?chē)h(huán)境至少熱隔離，氣候室包括兩個(gè)可運(yùn)動(dòng)的塊，兩個(gè)塊的兩個(gè)端側(cè)相互對(duì)置，端側(cè)的面構(gòu)成相互平行的平面，內(nèi)室在開(kāi)口區(qū)域中與塊的厚度相應(yīng)地遠(yuǎn)離周?chē)h(huán)境，塊分別包...

一種磁場(chǎng)測(cè)量設(shè)備，其具有第一半導(dǎo)體主體，所述第一半導(dǎo)體主體具有構(gòu)造在第一x?y平面內(nèi)的表面，其中，所述第一半導(dǎo)體主體在所述表面上具有兩個(gè)彼此間隔開(kāi)的并且沿著第一連接直線布置的磁場(chǎng)傳感器，其中，所述磁場(chǎng)傳感器分別測(cè)量磁場(chǎng)的z分量，其中，x...

本發(fā)明涉及具有一個(gè)半導(dǎo)體主體的集成電路殼體(IC-殼體)，其中半導(dǎo)體主體具有一個(gè)單片的集成電路及至少兩個(gè)金屬接觸面，及該集成電路借助導(dǎo)體線路與兩個(gè)電接觸面連接以及半導(dǎo)體主體被設(shè)置在一個(gè)載體基底上且與該載體基底力鎖合地連接，及該載體基底具...

本發(fā)明涉及一種電路殼體，其具有帶有單片集成的第一電路的第一半導(dǎo)體本體，其中，第一電路包括與鍵合面連接的第一信號(hào)輸出端和與鍵合面連接的第一信號(hào)輸入端，并且電路殼體還具有帶有單片集成的第二電路的第二半導(dǎo)體本體，其中，第二電路包括與鍵合面連接...

用于測(cè)試第一IC的信號(hào)路徑的方法，其中封裝的第一IC構(gòu)造一在半導(dǎo)體上共同與磁場(chǎng)傳感器單片集成的電路并且具有信號(hào)輸出端和供給電壓連接端以及測(cè)試運(yùn)行狀態(tài)和正常運(yùn)行狀態(tài)，在正常運(yùn)行狀態(tài)中在信號(hào)輸出端上施加輸出信號(hào)，輸出信號(hào)與在磁場(chǎng)傳感器上獲取...

一種用于借助控制單元和多個(gè)借助三線總線與所述控制單元連接的傳感器從多個(gè)傳感器中決定性地選擇傳感器的方法，其中所述傳感器與所述三線總線的至少兩個(gè)導(dǎo)線彼此并聯(lián)，并且在所述控制單元和所述傳感器之間使用根據(jù)所述SENT規(guī)范的協(xié)議框架來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)交...

本發(fā)明涉及一種電構(gòu)件，具有由第一塑料化合物組成的第一殼體部分(100)，第一殼體部分(100)具有第一凹槽形成型部(110)，在第一凹槽形成型部(110)中布置有帶有集成電路的第一半導(dǎo)體本體(200)，在第一凹槽形成型部(110)的表面...

本發(fā)明公開(kāi)了一種設(shè)備(10)，用于確定傳感器附近的漏磁場(chǎng)。該設(shè)備(10)包括具有四極或更多極和旋轉(zhuǎn)軸(70)的多極永磁鐵(60)。所述多極永磁鐵(60)產(chǎn)生具有磁場(chǎng)矢量(67)的磁場(chǎng)(65)。兩個(gè)垂直霍爾傳感器(40a、40b)布置在圍...

磁場(chǎng)測(cè)量裝置具有：第一半導(dǎo)體主體，具有在第一x-y平面中構(gòu)成的表面，第一半導(dǎo)體主體在該表面上具有兩個(gè)相互間隔開(kāi)的磁場(chǎng)傳感器，磁場(chǎng)傳感器分別測(cè)量磁場(chǎng)的z分量，x方向和y方向和z方向分別相互正交地構(gòu)成；第一磁體，具有在第二x-y平面中構(gòu)成的...

說(shuō)明了用于非接觸式測(cè)量旋轉(zhuǎn)角度15的設(shè)備10。具有多個(gè)極的永磁體60安裝在軸的前面，其中極的數(shù)量總計(jì)為四個(gè)或更多，并且不能被三整除。在永磁體60下方的平面中，至少三個(gè)第一橫向霍爾傳感器40a-c位于圓形路徑50中。還說(shuō)明了由橫向霍爾傳感...

一種霍爾傳感器設(shè)備，其構(gòu)造在半導(dǎo)體本體上，所述霍爾傳感器設(shè)備具有第一霍爾傳感器和第二霍爾傳感器，其中，兩個(gè)霍爾傳感器中的每一個(gè)具有至少四個(gè)單個(gè)的霍爾元件，并且所述四個(gè)霍爾元件以串聯(lián)電路連接，其中，每個(gè)霍爾元件具有三個(gè)布置成一排的連接觸點(diǎn)...

本發(fā)明涉及一種用于探測(cè)空間磁場(chǎng)的三維霍爾傳感器。此外，本發(fā)明還涉及一種用于借助該霍爾傳感器來(lái)測(cè)量空間磁場(chǎng)的方法。霍爾傳感器包括能導(dǎo)電的基體和至少三個(gè)電極對(duì)，其中每個(gè)電極對(duì)都包括第一接口和第二接口，它們以如下方式布置在基體上，即，可以使電...

一種測(cè)量系統(tǒng)，所述測(cè)量系統(tǒng)：具有用于產(chǎn)生磁場(chǎng)的磁體裝置，具有用于檢測(cè)所述磁場(chǎng)至少在第一空間方向(y)上的磁通密度(By)的磁場(chǎng)傳感器，其中，所述磁場(chǎng)傳感器相對(duì)于所述磁體裝置固定地定位，其特征在于，所述磁體裝置具有用于產(chǎn)生主磁場(chǎng)的至少兩個(gè)...

監(jiān)測(cè)裝置，具有：第一線路區(qū)段；控制單元；以及第一電流獲知單元，所述第一電流獲知單元具有：第一電流源；第一開(kāi)關(guān)；第一差動(dòng)放大器，其中，控制單元在第一差動(dòng)放大器的輸出端與所述第一開(kāi)關(guān)的控制輸入端之間接入，其中，第一線路區(qū)段以實(shí)際電流加載，在...

基于集成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體氣體傳感器具有半導(dǎo)體主體和通過(guò)間隙與通道區(qū)域分離的氣體敏感的控制電極且構(gòu)造為懸浮柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者控制電極設(shè)置為具有間隙的電容器的第一板且電容器的第二板與電容性控制構(gòu)造的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極連接，控制電極具...

本發(fā)明涉及一種固定裝置，其包括：一具有集成電路的半導(dǎo)體本體；一構(gòu)造在所述半導(dǎo)體本體的表面上的介電鈍化層；一構(gòu)造在所述鈍化層下方的帶狀導(dǎo)體；一構(gòu)造在所述帶狀導(dǎo)體下方的氧化物層；一連接介質(zhì)，所述連接介質(zhì)在一構(gòu)造在所述鈍化層上方的構(gòu)件與所述半...

力傳感器，具有：載體，其具有前側(cè)和背側(cè)；半導(dǎo)體本體，其具有表面和背面和構(gòu)造在半導(dǎo)體本體的表面上的壓阻元件，其中半導(dǎo)體本體與載體力鎖合地連接；第一翼部，其構(gòu)造在半導(dǎo)體本體的表面上并且具有上側(cè)和下側(cè)，其中翼部可基本上沿著半導(dǎo)體本體的表面的法...

霍爾傳感器，具有：一個(gè)具有第一連接端子、具有第二連接端子及具有第三連接端子的第一霍爾元件，一個(gè)具有第四連接端子、具有第五連接端子及具有第六連接端子的第二霍爾元件，一個(gè)具有第七連接端子、具有第八連接端子及具有第九連接端子的第三霍爾元件，一...

磁場(chǎng)傳感器具有霍爾傳感器，所述霍爾傳感器具有第一連接接觸部并且具有第二連接接觸部并且具有第三連接接觸部并且具有第四連接接觸部并且具有第五連接接觸部，其中，在第一連接接觸部與第五連接接觸部之間設(shè)有具有控制輸入端的第一開(kāi)關(guān)并且所述第一開(kāi)關(guān)將...