本發明提供一種拉晶任務調度方法，包括步驟：獲取任務對應的實時工藝參數；根據所述任務對應的標準工藝參數，判斷是否滿足所述任務的執行條件；若滿足，查詢所述任務是否已下達，若不滿足，則繼續獲取所述實時工藝參數；若未下達，則下達所述任務，若已下...

本技術提供一種晶棒轉運載具，其結構包括架體，所述架體上設有若干個相互獨立的置物區，所述置物區中設有承托件，所述承托件的外周設有若干個側擋件；所述架體上設有若干組貨叉定位件，若干組所述貨叉定位件位于所述架體的不同側。本技術本轉運載具具有多...

本技術公開了一種單晶爐籽晶穩定裝置及單晶爐，包括固定板和伸縮機構，固定板適于與副室內重錘接觸；伸縮機構的伸縮桿與固定板連接，伸縮機構設于副室的觀察窗內，伸縮機構驅動固定板伸入副室內與重錘接觸。本申請通過穩定裝置代替人工勞動力，實現了籽晶...

本發明屬于單晶生產技術領域，涉及一種等徑前期移動坩堝的方法，包括如下步驟：識別單晶的實際拉速V<subgt;1</subgt;；比較所述實際拉速V<subgt;1</subgt;和設定拉速V<subgt;2...

本發明提供一種提升單晶拉速的方法，在單晶拉制過程中，導流筒位置不變，在熔料、穩溫、引晶、擴肩和轉肩工步，水冷內導底部與導流筒底部設有間距，所述間距不變，在等徑工步，所述水冷內導向下移動，直至所述水冷內導底部與所述導流筒底部接觸。本發明的...

本申請提供一種智能預測拉晶收尾方法，步驟包括：收集歷史數據并進行預處理；獲取實際數據；基于預處理后的數據和實際數據建立預測模型；對預測模型進行修正以獲取收尾段拉制工藝。本申請一種智能預測拉晶收尾方法，可對拉晶的收尾段進行自動模擬，并對其...

一種單晶爐停爐快速冷卻方法，主要對單晶生長結束后對爐體內進行快速冷卻，步驟包括：抽取單晶爐內剩余氣體并對其進行處理；再將處理后的氣體回輸至單晶爐內；交替上述步驟直至抽取出的氣體溫度符合要求。本申請方法，對停爐后單晶爐爐體內的熱氣流進行回...

本發明屬于直拉單晶制造技術領域，涉及一種回熔是否完成的檢測方法，包括如下步驟：單晶爐啟動回熔工步的同時，啟動判斷模型；控制圖像采集設備按照預設周期連續采集單晶爐內的液面圖像信息，并反饋給所述判斷模型；持續對比所述圖像信息與所述判斷模型內...

本發明屬于單晶硅生產制造技術領域，涉及一種單晶爐真空管道內壁清理裝置，包括調節桿以及多組與所述調節桿連接的清理組件，且所述清理組件的外圍與真空管道內壁接觸，驅動所述調節桿可帶動所述清理組件轉動，以清理所述真空管道內壁。本發明的有益效果是...

本申請提供一種單晶爐快速充壓方法，主要用于對單晶爐副室的充壓，在單晶爐副室與主室分開之前，朝副室內通入外置氣體，以使副室從負壓狀態恢復至常壓狀態。本申請一種單晶爐快速充壓方法，通過朝副室內通入壓縮氣體代替現有的惰性氣體，并自動控制壓縮氣...

本技術公開了一種復投穩定裝置，復投穩定裝置與復投掛鉤上部連接，復投穩定裝置隨復投掛鉤一同升降的過程中，復投穩定裝置的外周與副室的內壁接觸。本技術能夠與副室內壁接觸，對復投掛鉤和復投器的升降起徑向支撐作用，能夠避免復投器晃動，省去操作人員...

本技術提供一種便攜硅材料導電類型檢測裝置，包括電源模塊、第一探針、第二探針和第三探針，所述電源模塊用于提供交變電壓，所述第一探針和第三探針分別與所述電源模塊電連接，所述第二探針與所述電源模塊之間設有檢測指示模塊，用于檢測電流的方向。本技...

本技術公開了一種化料裝置及設有該裝置的單晶爐，所述化料裝置包括石英坩堝、坩堝發熱體、第一電極和第二電極，坩堝發熱體包括內發熱體和外發熱體，內發熱體和外發熱體的上端連接，內發熱體的內壁與石英坩堝的外壁貼合，內發熱體和外發熱體的下端分別與第...

本發明屬于單晶生產技術領域，涉及一種匹配不同熱場的等徑功率控制方法，包括如下步驟：穩溫時，控制液面溫度T1維持第一時間后，爐臺輸入穩溫補償功率P1；記錄液面溫度由T1升至T2所需要的第二時間；持續觀察等徑后的拉速曲線，并與預設曲線進行比...

本發明提供一種硅晶體沫子料除輕雜裝置，包括：振動上料裝置和溢流清洗裝置，所述振動上料裝置將硅晶體沫子料放置在所述溢流清洗裝置內，所述溢流清洗裝置對所述硅晶體沫子料進行除輕雜。本發明還提供一種硅晶體沫子料除輕雜的方法，包括振動上料和溢流清...

本發明屬于單晶生產技術領域，涉及一種確定引晶功率的方法，包括如下步驟：記錄熔料開始時間h1，當固液比達到預設值時記錄熔料結束時間h2，得到實際熔料時間H，H＝h2?h1；記錄初始裝堝料重量a和所述實際熔料時間H計算熔料速率v，v＝a/H...

本申請提供一種熱場結構，包括導流筒及與所述導流筒配合的爐蓋，所述導流筒至少配設有本體，所述本體包括依次連接的豎直段、曲面段和內徑段，所述豎直段與所述曲面段之間通過過渡段連接；所述曲面段被構造為向外凸起的圓弧面。本申請優化熱場結構，使導流...

本發明屬于單晶生產技術領域，涉及一種尾段單晶成晶方法，包括如下步驟：引晶工藝中，坩堝的堝轉設定為9～10r/min，晶轉設定為10～10.5r/min；放肩工藝的末期，坩堝的堝轉設定為6～8r/min，晶轉設定為8.5～9r/min。本...

本發明提供一種顆粒硅除氫工藝溫度檢測裝置，包括測溫組件，設置在單晶爐的熔硅液面上方，用于測量所述熔硅液面的溫度，所述測溫組件可沿導流筒的高度上下移動。本發明還提供一種顆粒硅除氫工藝溫度檢測方法，熔料過程中，所述測溫組件對所述熔硅液面的溫...

本發明提供一種提高摻鎵單晶拉制棒長的方法，在摻鎵單晶拉制過程中，進行磷元素的摻雜，以控制單晶軸向電阻率的衰減；其中，摻雜方式為：當單晶拉制到第一摻雜長度時，進行含磷元素的氣體或含磷元素的固體進行摻雜；或，當坩堝內剩料重量達到第一摻雜重量...